一种叠层电子元件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种叠层电子元件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1，以印刷有多个连接点或者内电极的载板为母板，将母板放置在激光开孔设备的XY可移动平台上，由激光开孔设备对母板上的对位靶标做识别抓取，根据对位载板上的多个连接点的位置计算并存储各开孔点的实际位置；S2，流延制作所述下基板；S3，在所述下基板上印刷下引出端；S4，印刷连接点；S5，流延制作—中基板；S6，激光蚀刻；S7，蚀刻后，将制作的部分移回流延工艺中，印刷内电极；S8，重复步骤S4～S7；S9，印刷连接点；S10，流延制作最后一层中基板；S11，印刷上引出端；S12，流延制作上基板。本发明专利技术的叠层电子元件的制备方法，制得的叠层电子元件的连接可靠性高，产品竞争力强。

【技术实现步骤摘要】
一种叠层电子元件及其制备方法
本专利技术涉及一种叠层电子元件及其制备方法。
技术介绍
目前，业内湿法工艺制作的叠层电子元件，如叠层电感的相关系列产品中，长时间使用后存在着因连接点连接不可靠、虚弱连接等导致开路较高的现象，造成相关物料损失及返工成本高，引起频繁的客户投诉，较大程度上影响了产品的竞争力。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种叠层电子元件及其制备方法，制得的叠层电子元件的连接可靠性高，产品竞争力强。本专利技术的技术问题通过以下的技术方案予以解决：一种叠层电子元件的制备方法，所述叠层电子元件包括下基板、多个中基板和上基板；包括以下步骤：S1，以印刷有多个连接点或者内电极的载板为母板，所述多个连接点在所述对位载板上的位置对应叠层电子元件中各连接点在各中间基板上的位置；将所述母板放置在激光开孔设备的XY可移动平台上，由所述激光开孔设备对所述母板上的对位靶标做识别抓取，根据所述对位载板上的多个连接点的位置计算并存储各开孔点的实际位置；S2，流延制作所述下基板；S3，在所述下基板上印刷下引出端；S4，印刷连接点；S5，流延制作—中基板；S6，将已制作的部分移动至所述激光开孔设备的XY可移动平台上进行激光蚀刻，以蚀刻掉覆盖对应连接点区域上的流延膜；S7，蚀刻后，将制作的部分移回流延工艺中，印刷内电极；S8，重复步骤S4～S7，直至制作形成完整的内电极线圈；S9，在内电极线圈的末端上印刷连接点；S10，流延制作最后一层中基板；S11，印刷上引出端；S12，流延制作上基板。优选的技术方案中，步骤S1中，所述激光开孔设备中预先存储有对应于各中间基板上连接点的开孔点阵，所述激光开孔设备根据所述对位载板上的多个连接点的位置对开孔点阵进行补偿计算得到各开孔点的实际位置。步骤S1中，所述母板上的对位靶标为十字形或者圆形。步骤S6中，蚀刻后，所述连接点的直径为内电极线宽的3/4以上。步骤S6中，进行激光蚀刻时，激光的功率根据需要蚀刻掉的流延膜的厚度调整设定。采用功率为4～6.4W的激光蚀刻掉32μm厚的流延膜。步骤S6中，进行激光蚀刻时，激光器为二氧化碳激光器、皮秒绿光激光器或皮秒红外激光器。所述叠层电子元件为叠层电感。本专利技术的技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决：一种根据如上所述的制备方法制得的叠层电子元件。本专利技术与现有技术对比的有益效果是：本专利技术的叠层电子元件及其制备方法，在现有的湿法叠层电子元件成型制作过程中嵌入激光对位蚀刻技术，通过在印刷连接点，覆盖流延膜形成中基板后，对中基板进行激光对位蚀刻，以蚀刻掉叠层流延过程中覆盖在连接点上的流延膜，使连接点显露充分，则内电极在经连接点连接时连接面积更大，从而提高连接点连接的可靠性，即便长时间使用，也能确保连接点可靠连接各部分的内电极，确保产品长时间使用的连接可靠性，提高产品竞争力。本专利技术将激光蚀刻技术有效的应用于湿法叠层工艺平台中，提高了湿法叠层电子元件产品的连接点可靠性，大幅的减少了开路，提升了产品的竞争力。【附图说明】图1是本专利技术具体实施方式的叠层电子元件的制作流程图；图2是本专利技术具体实施方式的示意的开孔点阵图；图3是本专利技术具体实施方式的母板和可移动平台的结构示意图；图4是本专利技术具体实施方式的母板定位在可移动平台上的状态示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施方式并对照附图对本专利技术做进一步详细说明。当前业内湿法叠层电子元件的制作工艺中，连接点的显露常见为化学处理方法，本专利技术在此基础上嵌入物理方法，彻底地解决前者在制程中存在的连接点显露不良的问题。本专利技术在现有的湿法叠层成型制程中嵌入激光对位蚀刻技术，通过对位蚀刻掉叠层过程中覆盖在连接点上的流延膜，使连接点显露的更充分，电极在经连接点连接时连接面积更大，以此提高连接点连接的可靠性。如图1所示，叠层电子元件的制作流程包括：1，准备承载板。2，在承载板上流延下基板。3，印刷下引出端100。4，印刷连接点200。5，流延形成中基板。6，转移到激光开孔设备中，由激光开孔设备的激光器300对流延膜上对应连接点200的区域进行激光蚀刻，从而显露出流延膜覆盖住的连接点，使得连接点显露充分。7，蚀刻后，将制作的部分移回流延工艺中，印刷内电极400。图1所示的工艺中仅示意了形成一层中基板及内电极的情形，后续重复步骤4～7(印刷连接点、流延中基板、印刷内电极)，从而形成多层中基板以及在多层中基板上印制内电极，最终制作形成完整的内电极线圈。制作完成后，进入步骤8，在内电极线圈的末端印刷连接点。9，流延制作最后一层中基板。10，印刷上引出端500。11，流延上基板(流延之后均需烘干，烘干为本领域成熟技术，在此不过多说明)。上述连接点使上下电极连接的机理为：通过在流延膜上印刷连接点(基于点浆与流延浆料所含的溶剂互不相溶，过流延膜后，点浆与流延浆料的互相排斥后，连接点自然显露，即使得上下电极线圈连通。传统处理方式中，局部连接点银浆被流延浆料覆盖，导致虚弱连接甚至连接点开路的问题。本具体实施方式中，通过嵌入激光蚀刻过程，由对位蚀刻掉叠层过程中覆盖在连接点上的残余流延膜，使连接点显露得更充分，电极在经连接点连接时连接面积更大，以此提高连接点连接的可靠性使得连接点充分显露。上述制作过程的关键部分在于激光蚀刻对位要精准，以确保蚀刻后露出连接点的效果要好。本具体实施方式中通过如下的激光对位蚀刻技术，实现精准对位蚀刻。设置激光开孔设备具备识别抓取、补偿计算和存储功能。首先，在激光开孔设备中存储在连接点上开孔对应的开孔点阵。存储时可通过激光开孔设备的存储模块中存储一个CAD文档以存储该开孔点阵。如图2所示，为示意的开孔点阵图。其次，如图3所示，以印刷有连接点或内电极(图中为示出)的载板(需先过流延膜)为母板700。母板700上可通过丝网印刷出多个对应连接点的位置，同时可印刷出靶标，例如十字形或者圆形靶标。将母板放置在激光开孔设备的XY可移动平台800上，母板上的定位孔701通过平台上的定位销800卡住定位。如图4所示，激光开孔设备的识别抓取模块对母板700上的十字靶标(图中未示出)做识别抓取，然后激光开孔设备的补偿计算模块对开孔点阵做开孔位置上的补偿计算。通过补偿计算，使得位置点阵与叠层制作过程中丝网设计后印刷在基板上的连接点位置一致。通过存储模块记忆存储每一个开孔点的实际位置。为验证对位开孔点的实际位置是否准确，可以将母板固定后，通过所记忆的开孔位置对母板的四角或其他指定区域进行对位，判断开孔位置是否均可以很好的打在连接点上。如是，表明开孔点的实际位置是精准对位的。如否，可做进一步的补偿计算，直至精准对位准确。此外，叠层成型制作过程是比较长的一个过程，需要半天以上的时间。如果在制作过程中发现有偏位(可能因为丝网长时间使用出现轻微变形)，则可以借用母板和软件上的位置补偿调整，再适当调整位置，以此再一次保证开孔位置打在连接点上即可。通过上述设置，在湿法叠层工艺中，当印刷了当前连接点并流延了流延膜的承载板转移到激光开孔设备中对其进行激光蚀刻处理时，将承载板放置在激光开孔设备的可移动平台上，按照所记忆存储的开孔位置以预先所设定的开孔参数(如激光雕刻功率、激光开孔时间等)，当可移动平台自动移动到激光开孔设备的激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层电子元件的制备方法，所述叠层电子元件包括下基板、多个中基板和上基板；其特征在于：包括以下步骤：S1，以印刷有多个连接点或者内电极的载板为母板，所述多个连接点在所述对位载板上的位置对应叠层电子元件中各连接点在各中间基板上的位置；将所述母板放置在激光开孔设备的XY可移动平台上，由所述激光开孔设备对所述母板上的对位靶标做识别抓取，根据所述对位载板上的多个连接点的位置计算并存储各开孔点的实际位置；S2，流延制作所述下基板；S3，在所述下基板上印刷下引出端；S4，印刷连接点；S5，流延制作—中基板；S6，将已制作的部分移动至所述激光开孔设备的XY可移动平台上进行激光蚀刻，以蚀刻掉覆盖对应连接点区域上的流延膜；S7，蚀刻后，将制作的部分移回流延工艺中，印刷内电极；S8，重复步骤S4～S7，直至制作形成完整的内电极线圈；S9，在内电极线圈的末端上印刷连接点；S10，流延制作最后一层中基板；S11，印刷上引出端；S12，流延制作上基板。

【技术特征摘要】
1.一种叠层电子元件的制备方法，所述叠层电子元件包括下基板、多个中基板和上基板；其特征在于：包括以下步骤：S1，以印刷有多个连接点或者内电极的载板为母板，所述多个连接点在所述对位载板上的位置对应叠层电子元件中各连接点在各中间基板上的位置；将所述母板放置在激光开孔设备的XY可移动平台上，由所述激光开孔设备对所述母板上的对位靶标做识别抓取，根据所述对位载板上的多个连接点的位置计算并存储各开孔点的实际位置；S2，流延制作所述下基板；S3，在所述下基板上印刷下引出端；S4，印刷连接点；S5，流延制作—中基板；S6，将已制作的部分移动至所述激光开孔设备的XY可移动平台上进行激光蚀刻，以蚀刻掉覆盖对应连接点区域上的流延膜；S7，蚀刻后，将制作的部分移回流延工艺中，印刷内电极；S8，重复步骤S4～S7，直至制作形成完整的内电极线圈；S9，在内电极线圈的末端上印刷连接点；S10，流延制作最后一层中基板；S11，印刷上引出端；S12，流延制作上基板。2.根据权利要求1所述的叠层电子元件的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述激光开孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾艳军，蒋家军，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44