According to the invention, a semiconductor device is provided, which comprises a semiconductor die or a chip, a packaging body, and a guide hole for a package body. The semiconductor chip comprises a plurality of conductive pads. The encapsulation body encapsulates the sidewalls of the semiconductor chip, and has at least one hole having a side wall formed in the package body having a first surface roughness value specified. The encapsulation body through hole is located in the hole of the packaging body, and comprises a dielectric material and at least one conductive interconnection metal. The dielectric material is located on the side wall of the hole and defines at least one hole having a side wall having a second surface roughness value smaller than the first surface roughness value. The interconnection metal is arranged in the hole.
【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2013年12月20日、申请号为“201310712235.9”、专利技术名称为“用于导电性的电磁兼容晶片”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术大体上涉及半导体装置,且更具体来说,涉及一种半导体封装及其对应制造工艺。
技术介绍
电气领域中,常规扇出型(fan-out)半导体封装通常包括形成于所述封装的封装主体内的至少一个导通孔。在这些半导体封装的制造工艺中,经由使用激光对封装的封装主体进行钻孔以在其中形成至少一个导孔。接着电镀并且用导电金属填充此导孔以便形成导通孔。在常规扇出型半导体封装中,封装主体为包含环氧树脂和二氧化硅(SiO2)填料的复合材料。因为环氧树脂和二氧化硅填料的激光可吸收特性不同且二氧化硅填料的大小通常在10μm到100μm的范围内变化,所以在完成前述激光钻孔工艺后,导孔的侧壁通常较难形成圆形,孔的侧壁的表面粗糙度较高且孔的尺寸大于最佳尺寸。尽管使用高准确度激光以用于钻孔工艺,但这些特定缺点仍会出现。结果,在形成如上文所描述的导通孔的过程中,电镀和后续填孔工艺为复杂且耗时的,因此增加相关成本且进一步使得电镀质量难以控制。更具体来说,在常规扇出型半导体封装中,经由使用溅镀工艺来促进导孔的电镀。在溅镀机器中,在大体上平行于孔的侧壁的方向上进入对应导孔的方式从溅镀机器喷洒电镀材料。进入孔的方向以及从溅镀机器喷洒的电镀材料的极小粒径常常导致填料阻碍将电镀层完全、均匀地涂覆到侧壁上。就此来说,孔的侧壁的表面粗糙度可由于此侧壁部分地通过从环氧树脂突出的填料的部分而界定。通常将电镀层涂覆到所暴露填料面向溅镀机器的顶侧,而这些填料的对 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其包括:半导体芯片,其包含多个导电接垫;封装主体,其至少部分地封装所述半导体芯片且具有顶表面及底表面,所述底表面和所述顶表面相对,所述封装主体为包含树脂和填料的复合材料;位于所述封装主体的所述底表面上的导电层;以及至少一个穿导孔,其在所述封装主体中且电连接至所述导电层,所述穿导孔自所述导电层延伸且突出所述封装主体的所述顶表面。
【技术特征摘要】
2012.12.20 US 13/721,5991.一种半导体装置,其包括:半导体芯片,其包含多个导电接垫;封装主体,其至少部分地封装所述半导体芯片且具有顶表面及底表面,所述底表面和所述顶表面相对,所述封装主体为包含树脂和填料的复合材料;位于所述封装主体的所述底表面上的导电层;以及至少一个穿导孔,其在所述封装主体中且电连接至所述导电层,所述穿导孔自所述导电层延伸且突出所述封装主体的所述顶表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:所述封装主体具有形成于其中的至少一个孔,所述至少一个孔界定孔侧壁,其部分地由自所述树脂突出且具有第一表面粗糙度值的所述填料的部分界定;所述穿导孔位于所述孔中;以及所述穿导孔包括电介质材料,其位于所述孔的所述孔侧壁上且界定至少一个孔洞,所述至少一个孔洞具有一孔洞侧壁,所述孔洞侧壁具有小于所述第一表面粗糙度值的第二表面粗糙度值。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述孔侧壁的所述第一表面粗糙度值在从约5μm到约100μm的范围中。4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述孔洞侧壁的所述第二表面粗糙度值在从约2μm到约20μm的范围中。5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述树脂为环氧树脂且所述填料为二氧化硅填料。6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述穿导孔进一步包括:种子层,其位于所述穿导孔的孔洞侧壁上;以及互连金属,其位于所述孔洞内和所述种子层的至少一部分上。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其进一步包括导电层,所述导电层一体地连接到所述互连金属且促进所述导电层到所述半导体芯片的所述接垫中的至少一者的电连接,所述导电层覆叠所述种子层的部分。8.根据权利要求2所述的半导体装置,其中至少两个封装主体穿导孔位于所述孔中,所述穿导孔中的每一者包括通过所述电介质材料界定且各自具有孔洞侧壁的至少两个孔洞中的一个相应孔洞,所述孔洞侧壁具有小于所述第一表面粗糙度值的所述第二表面粗糙度值。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述穿导孔中的每一者进一步包括:种子层,其位于所述穿导孔的孔洞侧壁上;以及互连金属,其位于所述穿导孔的所述孔洞内和所述穿导孔的种子层的至少一部分上。10.根据权利要求8所述的半导体装置,其中:所述孔侧壁的所述第一表面粗糙度值在从约5μm到约100μm的范围中;且通过所述电介质材料界定的所述孔洞中的每一者的所述孔洞侧壁的所述第二表面粗糙度值在从约2μm到约20μm的范围中。11.一种半导体装置,其包括:半导体芯片;封装主体,其至少部分地封装所述半导体芯片且具有顶表面及底表面,所述底表面和所述顶表面相对,所述封装主体为包含树脂和填料的复合材料;位于所述封装主体的所述底表面上的导电层;以及...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈勇仁,丁一权,黃敏龙,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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