【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路并且具体地涉及使用具有竖直结的鳍制造的结型场效应晶体管(JFET)器件。
技术介绍
现有技术教导了利用一个或多个结型场效应晶体管(JFET)器件形成集成电路。该JFET器件包括在栅极导体下方形成的结。由充当栅极的结施加场,而不是如常规的MOSFET型器件那样使用绝缘栅极。电流在位于栅极下方的掺杂半导体区中的栅极区和漏极区之间流动。通过将电压施加到栅极导体,耗尽电荷的区在掺杂半导体区中形成,以夹断导电路径并限制电流的流动。由于缺乏可用的移动电荷,耗尽区表现为绝缘结构。常规的JFET器件针对在模拟设计中的使用是有吸引力的电路。该器件容易形成和操作。然而,这样的JFET器件受制于难以控制短沟道效应这一显著的缺点。此外,JFET器件的典型制造与主流CMOS制造技术不相容。因此在本领域中需要解决前述和其他问题以提供配置和操作改善的JFET器件,其中,该器件的制造与CMOS技术兼容。
技术实现思路
根据本申请实施例的一个方面,提供一种集成电路晶体管器件,其特征在于,包括:半导体衬底;在所述半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的区;半导体材料鳍,所述半导体材料鳍具有与在所述半导体衬底之内的所述区接触的第一端并且具有第二端并且具有在所述第一端和所述第二端之间的多个侧壁,所述鳍掺杂有所述第一导电类型掺杂物;与所述半导体材料鳍的所述第二端接触的第一外延区,所述第一外延区掺杂有所述 ...
【技术保护点】
一种集成电路晶体管器件,其特征在于,包括:半导体衬底;在所述半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的区;半导体材料鳍,所述半导体材料鳍具有与在所述半导体衬底之内的所述区接触的第一端并且具有第二端并且具有在所述第一端和所述第二端之间的多个侧壁,所述鳍掺杂有所述第一导电类型掺杂物;与所述半导体材料鳍的所述第二端接触的第一外延区,所述第一外延区掺杂有所述第一导电类型掺杂物;以及与所述半导体材料鳍的多个侧壁接触的第二外延区,所述第二外延区掺杂有第二导电类型掺杂物。
【技术特征摘要】
2015.04.02 US 14/677,4041.一种集成电路晶体管器件,其特征在于,包括:
半导体衬底;
在所述半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的区;
半导体材料鳍,所述半导体材料鳍具有与在所述半导体衬底之内
的所述区接触的第一端并且具有第二端并且具有在所述第一端和所
述第二端之间的多个侧壁,所述鳍掺杂有所述第一导电类型掺杂物;
与所述半导体材料鳍的所述第二端接触的第一外延区,所述第一
外延区掺杂有所述第一导电类型掺杂物;以及
与所述半导体材料鳍的多个侧壁接触的第二外延区,所述第二外
延区掺杂有第二导电类型掺杂物。
2.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,所述第
一导电类型掺杂物为n型并且所述第二导电类型掺杂物为p型。
3.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,所述第
一导电类型掺杂物为p型并且所述第二导电类型掺杂物为n型。
4.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,在所述
半导体衬底之内的所述区的掺杂浓度超过了所述半导体材料鳍的掺
杂浓度。
5.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,所述第
二外延区的掺杂浓度超过了所述半导体材料鳍的掺杂浓度。
6.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,进一步
包括在所述半导体衬底之内的所述区顶部的绝缘材料层,所述绝缘材
料层将多个相邻的鳍的底部部分彼此隔离开。
7.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,所述集
成电路晶体管器件是结型场效应晶体管器件,其中所述第二外延区包
括栅极结构,在所述半导体衬底之内的所述区包括源极区并且所述第
一外延区包括漏极区。
8.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,所述第
一外延区由选自由以下各项组成的组的第一半导体材料形成:硅、硅
锗和碳化硅。
9.如权利要求1所述的集成电路晶体管器件,其特征在于,所述第
二外延区由选自由以下各项组成的组的第二半导体材料形成:硅、硅
锗和碳化硅。
10.一种集成电路,其特征在于,包括:
半导...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳青,J·H·张,
申请(专利权)人:意法半导体公司,
类型:新型
国别省市:美国;US
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