半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备制造技术

本发明专利技术提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年11月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0165567的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
符合示例性实施例的设备涉及半导体发光器件和包括该半导体发光器件的半导体发光设备。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种包括当向其施加电能时发射光的材料的器件，其中通过半导体结部中的电子-空穴复合产生的能量被转换为将从其发射的光。通常采用LED作为照明器件、显示器件等中的光源，因此，加速了LED的发展。随着近来基于氮化镓(GaN)的LED的发展加快，利用这种基于氮化镓的LED的移动小键盘、转弯信号灯、相机闪光灯等已经商业化。因此，加速了利用LED的普通照明器件的发展。对于诸如大TV的背光单元、车辆的大灯、普通照明器件等的应用它们的产品，发光器件的应用逐渐朝着具有高输出和高效率程度的大型产品发展。通常，由于倒装芯片式LED的限制在于电极焊盘较宽地设置在其上安装有LED的表面上，这吸收了从有源层发射的光，外部光提取效率会降低。另外，由于电极焊盘较大，因此会不能确保相对于设置在下部上的具有不同极性的接触电极的绝缘。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了一种减少通过电极焊盘吸收的光的量的方案。本专利技术构思的示例性实施例还提供了一种确保接触电极与电极焊盘之间的电绝缘的方案。根据示例性实施例的一方面，提供了一种半导体发光器件，该器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区中的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。多层反射结构可形成其中具有第一折射率的第一介电层和具有第二折射率的第二介电层交替地堆叠的分布布拉格反射器。调整多层反射结构的第一介电层和第二介电层的第一折射率和第二折射率以及厚度，以相对于由有源层产生的光的波长获得高度反射率。多层反射结构设置在发光结构上以覆盖整个发光结构，并且使沿着半导体发光器件的衬底的反方向行进的光的方向改变为衬底的方向。半导体发光器件还可包括设置在发光结构上的绝缘层，以使得第一接触电极和第二接触电极的至少一部分被暴露出来。绝缘层可形成其中具有不同折射率的多个介电层交替地堆叠的分布布拉格反射器。绝缘层可包括与多层反射结构的材料相同的材料。绝缘层具有与多层反射结构的一个介电层的厚度实质相同的厚度。第一区可包括从发光结构的一侧延伸至其与所述一侧相对的另一侧的多个指状物区，并且第一接触电极和第二接触电极可包括设置在所述多个指状物区中的指状物电极。多层反射结构可设置在绝缘层上，并且具有暴露出第一接触电极的区的第一开口和暴露出第二接触电极的区的第二开口，并且第一电极焊盘和第二电极焊盘可分别通过第一开口和第二开口连接至第一接触电极和第二接触电极。可设置多个第一开口和多个第二开口，并且第一电极焊盘和第二电极焊盘分别通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘可设置为穿过所述多个指状物区。绝缘层设置在包括分别设置在第一接触电极和第二接触电极上的多个开口的多层反射结构上。绝缘层包括多个开口，所述多个开口设置在与部分地暴露出对应的第一接触电极和第二接触电极的第一接触电极和第二接触电极相对应的位置中。第二电极焊盘的至少一部分可设置在第一接触电极上，并且第二电极焊盘的至少一部分与第一接触电极可通过多层反射结构绝缘。多层反射结构的一部分可设置为与发光结构的表面接触。在多层反射结构中，可将具有不同折射率的多个介电层重复堆叠4次至20次。多层反射结构的所述多个介电层可由选自由SiOx、SiNx、Al2O3、HfO、TiO2、ZrO和它们的组合构成的组的材料形成。半导体发光器件还可包括钝化层，该钝化层设置在电极焊盘上并且包括部分地暴露出第一电极焊盘和第二电极焊盘的多个键合区。钝化层的所述多个键合区的一部分设置为不与多层反射结构的多个开口的一部分重叠。钝化层包括与多层反射结构的材料相同的材料。钝化层包括开放区，该开放区部分地暴露出第一电极焊盘和第二电极焊盘，并且连接至探针引脚以在安装半导体发光器件之前确定半导体发光器件是否可操作。根据示例性实施例的另一方面，提供了一种半导体发光器件，所述器件可包括：发光结构，其包括按顺序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且通过去除第二导电类型的半导体层和有源层的一些部分而形成蚀刻区以暴露出第一导电类型的半导体层的一部分；多层反射结构，其设置在发光结构上并且具有多个开口；第一接触电极和第二接触电极，其电连接至第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层，并且设置在所述多个开口中；绝缘层，其覆盖多层反射结构以及第一接触电极和第二接触电极；第一电极焊盘，其设置在多层反射结构的包括与第二接触电极的上部相对应的区的区中；以及第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极。凸块下冶金层还可设置在第一电极焊盘和第二电极焊盘上。第一电极焊盘和第二电极焊盘可包括具有实质相同水平的区。根据示例性实施例的另一方面，提供了一种半导体发光设备，该设备可包括：封装件主体，其具有引线框；以及半导体发光器件，其设置在封装件主体上并且连接至引线框，其中半导体发光器件包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区中；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且第一电极焊盘的至少一部分被设置在第二接触电极上；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在所述第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在所述第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在所述第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至所述第一接触电极，并且具有设置在所述第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至所述第二接触电极；以及多层反射结构，其介于所述第一电极焊盘与所述第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

【技术特征摘要】
2014.11.25 KR 10-2014-01655671.一种半导体发光器件，包括：
发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第
一导电类型的半导体层、按顺序设置在所述第一导电类型的半导体层
的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；
第一接触电极，其设置在所述第一导电类型的半导体层的第一
区上；
第二接触电极，其设置在所述第二导电类型的半导体层上；
第一电极焊盘，其电连接至所述第一接触电极，并且具有设置
在所述第二接触电极上的至少一部分；
第二电极焊盘，其电连接至所述第二接触电极；以及
多层反射结构，其介于所述第一电极焊盘与所述第二接触电极
之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多层反
射结构形成其中具有第一折射率的第一介电层和具有第二折射率的
第二介电层交替地堆叠的分布布拉格反射器。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多层反
射结构设置在所述发光结构上以覆盖整个所述发光结构，并且使沿着
所述半导体发光器件的衬底的反方向行进的光的方向改变为所述衬
底的方向。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括设置在所述
发光结构上的绝缘层，以使得所述第一接触电极和所述第二接触电极
的至少一部分被暴露出来。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘层
形成其中具有不同折射率的多个介电层交替地堆叠的分布布拉格反

\t射器。
6.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘层
包括与所述多层反射结构的材料相同的材料。
7.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘层
具有与所述多层反射结构的一个介电层的厚度实质相同的厚度。
8.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述多层反
射结构设置在所述绝缘层上，并且包括暴露出所述第一接触电极的区
的第一开口和暴露出所述第二接触电极的区的第二开口，并且所述第
一电极焊盘和所述第二电极焊盘分别通过所述第一开口和所述第二
开口连接至所述第一接触电极和所述第二接触电极。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中，所述多层反
射结构包括多个第一开口和多个第二开口，并且所述第一电极焊盘和
所述第二电极焊盘分别通过所述多个第一开口和所述多个第二开口
连接至所述第一接触电极和所述第二接触电极。
10.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘
层设置在包括分别设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上
的多个开口的所述多层反射结构上。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多层
反射结构的一部分设置为与所述发光结构的表面接触。
12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括钝化层，
该钝化层设置在所述电极焊盘上并且包括部分地暴露出所述第一电
极焊盘和所述第二电极焊盘的多个键合区。
13.一种半导体发光设备，包括：
封装件主体，其具有引线框；以及
半导体发光器件，其设置在所述封装件主体上并且连接至所述<...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈载仁，宋尚烨，河宗勋，金起范，崔丞佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR