【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)器件(例如,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET))的制造包括多个关键的光刻掩蔽和对齐方法/步骤。美国专利号5,302,537讨论了使用三种掩模方法以用于制造低电压MISFET的有源单元区和终端区。然而,所述专利中所描述的方法不足以构建可靠的高电压(大于80伏特(V))器件。终止有源单元区的平面结的场或终端环通常用于实现高电压器件。美国专利号5,795,793讨论了使用三种掩模方法以用于制造MOSFET的有源区。需要附加的三个掩模来形成终端环,这意味着需要至少六个掩模来制造高电压器件。减少制造高电压器件所需的掩模的数量可减少制造成本并且增加产量。概述根据本专利技术的实施方案涉及在制造金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET),特别是高电压(例如,大于80V)MISFET中使用的方法,并且还涉及使用此类方法制造的器件。在根据本专利技术的实施方案中,在MISFET(例如,MOSFET)的制造期间,第二氧化物层设置在结构的第一区和第二区上。所述结构包括具有n型外延层的半导体基板。第一区对应于MISFET的有源区,并且第二区对应于MISFET的终端区。第二区包括在第二氧化物层与外延层之间的第一氧化物层。在第一区中形成第一类型掺杂源极区、第二类型掺杂本体区和第二类型掺杂注入区。在第二区上形成掩模,并且移除第二区中的第二氧化物层和第一氧化物层的通过掩模中的间隙而暴露出的部分,由此暴露出外延层。第二类型掺杂剂通过第一氧化物层和第二氧化物层中的所得开口沉积到第二区中的外延层中,由此形成MISFET的场环。更 ...
【技术保护点】
一种在制造金属‑绝缘体‑半导体场效应晶体管(MISFET)中使用的方法,所述方法包括:将第二氧化物层沉积在结构的第一区和第二区上,所述第二区包括在所述第二氧化物层与外延层之间的第一氧化物层,所述第一区具有在其中形成的第一类型掺杂源极区、第二类型掺杂本体区和第二类型掺杂注入区,所述第一区对应于所述MISFET的有源区,并且所述第二区对应于所述MISFET的终端区;在所述第二区上形成掩模,所述掩模包括通过间隙分开的多个第一掩模元件;移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的通过所述间隙暴露出的部分,由此暴露出所述外延层;以及将第二类型掺杂剂通过开口沉积到所述外延层中,由此形成所述MISFET的场环,所述开口通过所述移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的部分而形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.20 US 14/311,1651.一种在制造金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)中使用的方法,所述方法包括:将第二氧化物层沉积在结构的第一区和第二区上,所述第二区包括在所述第二氧化物层与外延层之间的第一氧化物层,所述第一区具有在其中形成的第一类型掺杂源极区、第二类型掺杂本体区和第二类型掺杂注入区,所述第一区对应于所述MISFET的有源区,并且所述第二区对应于所述MISFET的终端区;在所述第二区上形成掩模,所述掩模包括通过间隙分开的多个第一掩模元件;移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的通过所述间隙暴露出的部分,由此暴露出所述外延层;以及将第二类型掺杂剂通过开口沉积到所述外延层中,由此形成所述MISFET的场环,所述开口通过所述移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的部分而形成。2.如权利要求1所述的方法,其中所述掩模还包括在所述第一区上的多个第二掩模元件,所述多个第二中的所述掩模元件通过间隙分开,所述方法还包括移除所述第二氧化物层和所述第一类型掺杂源极区的通过所述间隙暴露出的部分,由此还暴露出所述第二类型掺杂注入区。3.如权利要求2所述的方法,其还包括:在所述暴露出所述第二类型掺杂注入区之后,将金属层沉积在所述第一区和所述第二区上;在所述金属层上形成第二掩模;以及将所述金属层从所述第二掩模周围的区域移除,所述金属层与所述第一类型掺杂源极区和所述第二类型掺杂注入区接触。4.如权利要求3所述的方法,其还包括在所述第一区和所述第二区上形成钝化层,所述钝化层延伸到所述开口中,所述开口通过所述移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的部分而形成。5.如权利要求1所述的方法,其还包括在所述沉积所述第二氧化物层之前:将多晶硅层沉积在至少所述第一区上;移除所述多晶硅层的一部分,以便暴露出所述第一区的随后形成所述第一类型掺杂源极区、所述第二类型掺杂本体区和所述第二类型掺杂注入区的区域;以及在形成所述第一类型掺杂源极区和所述第二类型掺杂本体区之后并且在形成所述第二类型掺杂注入区之前,形成与所述多晶硅层的剩余部分接触并且还与所述第一类型掺杂源极区接触的间隔部。6.如权利要求1所述的方法,其中所述间隙均匀地设置尺寸并且均匀地间隔开。7.如权利要求1所述的方法,其中每个所述间隙的宽度在大约0.5微米与0.8微米之间,并且其中每个所述掩模元件具有大约1.8微米的宽度。8.通过如权利要求1所述的方法制造的MISFET。9.一种用于制造金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)的方法,所述方法包括:将第一氧化物层沉积在结构的外延层上;在所述第一氧化物层上形成第一掩模,所述第一掩模限定对应于所述MISFET的终端区的第二区,所述第一氧化物层从所述第一掩模周围移除,以便限定对应于所述MISFET的有源区的第一区;在移除所述第一掩模之后,将多晶硅层沉积在所述第一区和所述第二区上;在所述多晶硅层上形成第二掩模,所述多晶硅层从所述第二掩模周围移除,以便在所述第一区中在所述多晶硅层中形成开口,由此暴露出所述外延层,其中第一类型掺杂源极区,第二类型掺杂本体区和第二类型掺杂注入区通过所述开口形成在所述外延层中;在移除所述第二掩模之后,将第二氧化物层沉积在所述第一区和所述第二区上;在所述第二区上形成第三掩模,所述第三掩模包括通过间隙分开的多个第一掩模元件,其中移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的通过所述间隙暴露出的部分,由此暴露出所述外延层,其中另外的第二类型掺杂剂通过开口沉积到所述外延层中,由此形成所述MISFET的场环,所述开口通过移除所...
【专利技术属性】
技术研发人员:纳维恩·蒂皮勒内尼,迪瓦·巴达纳亚克,
申请(专利权)人:维西埃硅化物公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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