一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构，包括IC芯片、变压器芯片、盖板、键合引线、绝缘介质包覆层和陶瓷外壳，IC芯片、变压器芯片安装于陶瓷外壳的芯腔中，封装结构中所有输入端与输出端耐压弱的部分采用绝缘介质包覆层包覆，IC芯片、变压器芯片、键合引线、绝缘介质包覆层采用陶瓷外壳和盖板构成气密性的密封结构。本发明专利技术不需要重新设计IC芯片、变压器芯片，解决现有数字隔离器输入端与输出端之间的耐压问题，消除现有塑料封装数字隔离器在以潮湿环境下因吸湿导致数字隔离器件耐压下降、太空环境下塑料封装数字隔离器高能射线照射裂解、低真空膨胀等引起的使用可靠性差和寿命短甚至失效的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装
，尤其是一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构。
技术介绍
现有数字隔离器均采用塑料包封装(如PSOP16等)，通过耐击穿电压高的模塑料将数字隔离器的所有输入端与所有输出端进行隔离，消除漏电、表面爬电、击穿等问题。随着数字隔离器应用范围的扩大，如在潮湿环境中常会因吸湿导致数字隔离器出现漏电、击穿电压降低等问题，或在低真空太空环境中受高能射线照射引起模塑料裂解、低真空膨胀等问题，这些恶劣环境下应用就需要气密性陶瓷封装数字隔离器。但是，陶瓷封装数字隔离器的部分或大部分的输入端与输出端之间因无高绝缘性模塑料，间距变小后导致绝缘性下降，在未达到规定耐压值就会出现表面漏电、表面爬电、击穿等现象，导致数字隔离器不能可靠工作，即使使用绝缘金丝进行互连压焊也无法解决数字隔离器输入端与输出端之间的绝缘性能差问题，尤其是其变压器芯片上输入端(压点)与输出端(压点)之间的耐压不足问题，为提高耐压而增大输入端与输出端之间的间隙则需要重新设计芯片，并相应地增大陶瓷封装尺寸，而这往往是不能被应用所接收。针对上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是在不重新设计芯片、不增大陶瓷封装尺寸的情况下，解决现有数字隔离器输入端与输出端之间的耐压问题，消除现有塑料封装数字隔离器在以潮湿环境下因吸湿导致数字隔离器件耐压下降、太空环境下塑料封装数字隔离器高能射线照射裂解、低真空膨胀等引起的使用可靠性差和寿命短甚至失效的问题，从而提供一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案：本专利技术一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构，该封装结构包括IC芯片、变压器芯片、盖板、键合引线、绝缘介质包覆层和陶瓷外壳，变压器芯片的输入端、输出端采用键合引线与IC芯片、陶瓷外壳互连，IC芯片、变压器芯片安装于陶瓷外壳的芯腔中，封装结构中所有输入端与输出端耐压弱的部分采用绝缘介质包覆层包覆，IC芯片、变压器芯片、键合引线、绝缘介质包覆层采用陶瓷外壳和盖板构成气密性的密封结构，确保数字隔离器能在恶劣环境中长期稳定工作。进一步地，陶瓷外壳的芯腔包括IC芯片的第一芯腔和独立于IC芯片的第二芯腔，第二芯腔若为与IC芯片同侧，则第二芯腔低于IC芯片的第一芯腔；第二芯腔若为独立密封腔，则第二芯腔只用于安装变压器芯片。进一步地，绝缘介质包覆层是采用与变压器芯片相同的绝缘介质PI(聚酰亚胺)进行灌注包覆形成高耐压结构。进一步地，封装结构中变压器芯片的输入端(压点)、输出端(压点)及与其互连的键合引线暴露于空气中的耐压弱的部分采用绝缘介质包覆层进行绝缘。进一步地，IC芯片、变压器芯片、键合引线、绝缘介质包覆层是由陶瓷外壳和盖板通过包括但不限于合金焊料熔封、平行缝焊、激光焊的密封工艺进行气密性密封。进一步地，封装结构中未采用绝缘介质包覆层包覆的输入端与输出端的距离大于数字隔离器要求的耐压安全距离，包括盖板也不能缩短该输入端与输出端的距离。本专利技术的有益效果：通过对变压器芯片的输入端与输出端、键合引线采用绝缘介质PI进行灌注包覆，以及陶瓷外壳与盖板形成气密性的密封结构，不需要重新设计IC芯片、变压器芯片，不需要增大陶瓷封装尺寸，使击穿电压不低于塑料封装的数字隔离器，使数字隔离器满足潮湿环境、太空低气压及辐照等恶劣环境下的使用，降低了研发成本，缩短了开发周期，扩大了数字隔离器使用范围，提高数字隔离器可靠性及使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1是本专利技术优选实施例1的一种气密性表面贴装型数字隔离器CSOP16封装结构俯视图；图2是本专利技术优选实施例1的一种气密性表面贴装型数字隔离器CSOP16封装结构仰视图；图3是本专利技术优选实施例1的一种气密性表面贴装型数字隔离器CSOP16封装结构横向(A-A向)剖面图；图4是本专利技术优选实施例1的一种气密性表面贴装型数字隔离器CSOP16封装结构纵向(B-B向)剖面图；图5是本专利技术优选实施例1的一种气密性表面贴装型数字隔离器CSOP16封装结构密封前的俯视图；图6是本专利技术优选实施例2的一种气密性表面贴装型双变压器芯片的数字隔离器CSOP16封装结构俯视图；图7是本专利技术优选实施例2的一种气密性表面贴装型双变压器芯片的数字隔离器CSOP16封装结构仰视图；图8是本专利技术优选实施例2的一种气密性表面贴装型双变压器芯片的数字隔离器CSOP16封装结构横向(A-A向)剖面图；图9是本专利技术优选实施例2的一种气密性表面贴装型双变压器芯片的数字隔离器CSOP16封装结构纵向(B-B向)剖面图；图10是本专利技术优选实施例2的一种气密性表面贴装型双变压器芯片的数字隔离器CSOP16封装结构密封前的俯视图；图11是本专利技术优选实施例2的一种气密性表面贴装型双变压器芯片的数字隔离器CSOP16封装结构密封前的仰视图。图中：1、IC芯片；2、变压器芯片；21、变压器芯片输入端(压点)；22、变压器芯片输出端(压点)；3、盖板；4、键合引线；5、绝缘介质包覆层；6、陶瓷外壳；61、引脚；62、芯腔；621、第一芯腔；622、第二芯腔。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1至图5所示，是本专利技术的优选实施例1的一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构(单腔结构)，包括：IC芯片1、变压器芯片2、盖板3、键合引线4、绝缘介质包覆层5、陶瓷外壳6；陶瓷外壳6的底部设置有引脚61(数字隔离器的引出端)；变压器芯片2安装在陶瓷外壳6的第二芯腔622中，第二芯腔622低于IC芯片1安装面；变压器芯片2，包括变压器芯片2上暴露的输入端(压点)21和输出端(压点)22及与其互连的键合引线4；IC芯片1通过键合引线4、陶瓷外壳6的金属化布线与引脚61形成通路；灌注包封的绝缘介质包覆层5；IC芯片1、变压器芯片2、键合引线4、绝缘介质包覆层5用陶瓷外壳6和盖板3通过合金焊料熔封、平行缝焊、激光焊等密封工艺形成气密性密封。为了方便理解本专利技术的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本专利技术的上述技术方案进行详细说明。在具体使用时，实施例1：一种气密性表面贴装型数字隔离器1.27mm节距CSOP16封装结构，其结构仅一个密封腔，IC芯片1和变压器芯片2位于芯腔62的2个台阶上，具体如下：首先，用合金烧结或导电胶粘接将IC芯片1、变压器芯片2粘接于陶瓷外壳6的芯腔62中，变压器芯片2位于最低处第二芯腔622中；接着，变压器芯片2的输入端(压点)21与输出端(压点)22用金丝等键合引线4与IC芯片1、陶瓷外壳6键合，即采用热压超声键合工艺将其互连起来；然后，变压器芯片2(包括变压器芯片2上的输入端(压点)21与输出端(压点)22等暴露金属部分)、键合引线4用PI绝缘介质包覆层5进行灌本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构，所述封装结构包括IC芯片(1)、变压器芯片(2)、盖板(3)、键合引线(4)、绝缘介质包覆层(5)和陶瓷外壳(6)，变压器芯片(2)的输入端(21)、输出端(22)采用键合引线(4)与IC芯片(1)、陶瓷外壳(6)互连，其特征在于：所述IC芯片(1)、变压器芯片(2)安装于陶瓷外壳(6)的芯腔(62)中；所述封装结构中所有输入端与输出端耐压弱的部分采用绝缘介质包覆层(5)包覆，IC芯片(1)、变压器芯片(2)、键合引线(4)、绝缘介质包覆层(5)采用陶瓷外壳(6)和盖板(3)构成气密性的密封结构。

【技术特征摘要】
1.一种气密性表面贴装型数字隔离器封装结构，所述封装结构包括IC芯片(1)、变压器芯片(2)、盖板(3)、键合引线(4)、绝缘介质包覆层(5)和陶瓷外壳(6)，变压器芯片(2)的输入端(21)、输出端(22)采用键合引线(4)与IC芯片(1)、陶瓷外壳(6)互连，其特征在于：所述IC芯片(1)、变压器芯片(2)安装于陶瓷外壳(6)的芯腔(62)中；所述封装结构中所有输入端与输出端耐压弱的部分采用绝缘介质包覆层(5)包覆，IC芯片(1)、变压器芯片(2)、键合引线(4)、绝缘介质包覆层(5)采用陶瓷外壳(6)和盖板(3)构成气密性的密封结构。2.根据权利要求1所述的气密性表面贴装型数字隔离器封装结构，其特征在于：所述陶瓷外壳(6)的芯腔(62)包括IC芯片(1)的第一芯腔(621)和独立于IC芯片(1)的第二芯腔(622)，第二芯腔(622)若为与IC芯片(1)同侧，则第二芯腔(622)低于IC芯片(1)的第一芯腔(621)；第二芯腔(622)若为独立密封腔，则第二芯腔(62...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁荣峥，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32