阵列基板和液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种阵列基板和液晶显示装置，涉及显示技术领域。阵列基板，包括：一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域。本实用新型专利技术同时还公开了包括该阵列基板的液晶显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板和液晶显示装置。
技术介绍
一般垂直电场的液晶显示装置包括TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)、VA(Vertical Alignment，垂直配向)等液晶显示模式。目前市场上的TN面板多是改良型的TN+film，film即补偿膜，用于弥补TN面板可视角度的不足，目前改良的TN面板的可视角度都达到160°。VA类面板是现在高端液晶应用较多的面板类型，属于广视角面板。VA类面板又分为MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技术)面板、PVA(Patterned Vertical Alignment)面板、PSVA(Polymer Stabilization Vertical Alignment，聚合物稳定垂直配向)面板、UV2A(UV Vertical Alignment，UV光垂直配向)面板，等等。液晶显示模式的像素结构分为阵列基板侧的像素结构和对置基板侧的像素结构两部分。阵列基板侧的像素结构主要实现薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的电学功能，是决定像素电容效应、配向延迟效应、灰阶电压写入特性和保持特性的主要方面。对置基板侧的像素结构主要实现TFT-LCD的光学功能，是决定TFT-LCD对比度和色度域的主要方面。图1所示为阵列基板侧的像素结构，一般采用如的存储电容制作在公共电极上(Cs on COM)的结构。Cs on COM结构的特点是，像素电极107覆盖在本像素公共电极线109(COM线)上设置存储电容。公共电极线的位置可以在像素的上下两侧，也可以在像素的中央。公共电极线延伸到数据线103两侧的结构起到遮光的作用。像素电极107与公共电极线109重叠的区域就是像素的存储电容面积。对置基板侧的像素一般包括黑色矩阵BM、RGB色阻、间隙子、公共电极等结构。对置基板侧像素的结构主要由滤光和遮光两部分组成：滤光结构由RGB色层204构成，遮光结构由黑色矩阵202构成。对置基板侧像素结构的设计主要 考虑黑色矩阵202的遮光尺寸，以及RGB色层204与黑色矩阵遮光层的重叠量。对应图1所示的阵列基板侧像素结构，可以设计出如图2A所示的对置基板侧黑色矩阵遮光结构。实际的对置基板侧像素结构中，黑色矩阵包围的白色开口部分覆盖着RGB色层204。黑色矩阵遮光结构的设计，目的是要保证图2B所示的贴合效果，防止对置基板基板和阵列基板贴合偏移后出现漏光现象。如图2C所示，如果对置基板和阵列基板的贴合精度为6um，那么公共电极线的遮光线段靠近数据线一侧的边与黑色矩阵202挨着色层204一侧的边之间的距离至少要保证在6um以上。现有的像素结构，存在如下问题：(1)金属线多，金属面积大，对环境光的反射现象比较明显。(2)相邻像素之间的黑色矩阵面积较大，影响像素的开口率，降低了像素的光利用效率。
技术实现思路
有鉴于此，本技术所要解决的技术问题在于提供一种金属线少、具有高透光率的阵列基板和液晶显示装置。为了达到上述或其它目的，本技术一方面提出了一种液晶显示装置的阵列基板，包括：一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心设置有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极具有延伸至各个该像素电极单元的区域内设置有复数个重复排列的开口区域。进一步地，该复数个重复排列的像素电极单元之间设有间隔距离，该透明电极延伸至每一个该像素电极单元的各周边区域内设置在与该阵列基板垂直的方向上的重叠区域，该透明电极与该像素电极单元之间的重叠区域形成存储电容器。进一步地，该透明电极分布在该像素电极层的上方，或者分布在该像素电极与该数据线金属层之间，或者分布在该数据线金属层与该扫描线金属层之间， 或者分布在该扫描线金属层下方。进一步地，该透明电极延伸至每一个该像素电极单元的各周边区域内的开口区域的边界呈不规则的锯齿状图案。进一步地，该透明电极的材料采用锡掺杂三氧化铟、铝掺杂氧化锌、纳米银线、或者石墨烯。为了达到上述或其它目的，本技术另一方面提出了一种阵列基板，包括：提供一基板，设置第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线；在该第一金属层的图案上设置栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方设置半导体图案；在该半导体图案上，设置第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的源极、漏极；在该第二层金属薄膜图案上分布厚膜绝缘层，在该厚膜绝缘层上整面分布有像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，设置复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该厚膜绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接；在该像素电极上分布隔离绝缘层，在该隔离绝缘层上整面分布有透明电极；其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内设置有复数个开口区域，该透明电极与该像素电极在与该阵列基板垂直的方向上存在交叠区域，该交叠区域形成存储电容器。为了达到上述或其它目的，本技术又一方面提出了一种阵列基板，包括：提供一基板，设置第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线；在该第一金属层的图案上设置栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方设置半导体图案；在该半导体图案上，设置第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的源极、漏极；在该第二层金属薄膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上整面分布有透明电极；在该透明电极上分布隔离绝缘层，在该隔离绝缘层上分布像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，设置复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该隔离绝缘层和该绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接；其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内设置有复数个开口区域，该透明电极与 该像素电极在与该阵列基板垂直的方向上存在交叠区域，该交叠区域形成存储电容器。为了达到上述或其它目的，本技术又一方面提出了一种阵列基板，包括：提供一基板，设置第一层金属薄膜图案，该第一层金属薄膜图案包括复数条扫描线；在该第一金属层的图案上设置第一栅极绝缘层，在该第一栅极绝缘层的上方整面分布有透明电极；在该透明电极上设置第二栅极绝缘层，在该第二栅极绝缘层的上方设置半导体图案；在该半导体图案上，设置第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的源极、漏极；在该第二层金属薄膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上整面分布有像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，设置复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该厚膜绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接；其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内设置有复数个开口区域，该透明电极与该像素电极在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极具有延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：一基板，具有呈十字型交叉布置的复数条数据线和复数条扫描线；主动元件，设置在该复数条数据线与该复数条扫描线的十字型交叉区域；像素电极，以各个该十字型交叉区域为中心形成有复数个重复排列的像素电极单元，且通过一接触孔与该主动元件电性连接；透明电极，呈整面分布在该基板上，且该透明电极具有延伸至各个该像素电极单元的区域内形成有复数个重复排列的开口区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：该复数个重复排列的像素电极单元之间设有间隔距离，该透明电极延伸至每一个该像素电极单元的各周边区域内形成在与该阵列基板垂直的方向上的重叠区域，该透明电极与该像素电极单元之间的重叠区域形成存储电容器。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极分布在该像素电极的上方，或者分布在该像素电极与该数据线金属层之间，或者分布在该数据线金属层与该扫描线金属层之间，或者分布在该扫描线金属层下方。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极延伸至每一个该像素电极单元的各周边区域内的开口区域的边界呈不规则的锯齿状图案。5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，该透明电极的材料采用锡掺杂三氧化铟、铝掺杂氧化锌、纳米银线、或者石墨烯。6.一种阵列基板，包括：提供一基板，设置第一金属层薄膜图案，该第一金属层薄膜图案包括复数条扫描线；在该第一金属层的图案上设置栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方设置半导体图案；在该半导体图案上，设置第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的源极、漏极；在该第二层金属薄膜图案上分布厚膜绝缘层，在该厚膜绝缘层上整面分布有像素电极，该像素电极为以各个该复数条数据线与该复数条扫描线之间的十字型交叉区域为中心，设置复数个重复排列的像素电极单元，该像素电极单元通过贯穿该厚膜绝缘层的一接触孔与漏极实现电学连接；在该像素电极上分布隔离绝缘层，在该隔离绝缘层上整面分布有透明电极；其中，该透明电极延伸至各个该像素电极单元的区域内设置有复数个开口区域，该透明电极与该像素电极在与该阵列基板垂直的方向上存在交叠区域，该交叠区域形成存储电容器。7.一种阵列基板，包括：提供一基板，设置第一金属层薄膜图案，该第一金属层薄膜图案包括复数条扫描线；在该第一金属层的图案上设置栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方设置半导体图案；在该半导体图案上，设置第二层金属薄膜图案，该第二层金属薄膜图案包括复数条数据线，该复数条数据线与该复数条扫描线呈十字型交叉布置；还包括薄膜晶体管的源极、漏极；在该第二层金属薄膜图案上分布绝缘层，在该绝缘层上整面分布有...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海纪显电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31