显示器及其显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种显示面板，其包括第一基板、第二基板、夹持在第一和第二基板之间的液晶层、设置在第一基板上的第一金属层和第一公共电极层、设置在第一金属层和第一公共电极层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的有源层、设置在有源层上的层间介质层以及设置在层间介质层和有源层上的第二金属层，第二金属层包括设置为一体的第一子金属层和第二子金属层，第一子金属层通过设置在层间介质层上的过孔与有源层导通，第二子金属层位于与第一公共电极层上下对应的区域且第二子金属层设置在有源层上。本发明专利技术还公开了一种显示器。通过上述方式，本发明专利技术能够降低正负帧灰阶电压变化的差异，降低闪烁现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示器及其显示面板。
技术介绍
液晶显示面板由于其轻薄化和低功耗等优点，是目前市场中的主流显示装置，手机屏幕往往采用FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)这种显示模式，因其有较宽的视角和不易受液晶盒厚轻微变化的影响，俗称为硬屏；为降低功耗，FFS显示模式往往需要较低的source(源极)驱动电压，相邻灰阶的压差会较小，因此更容易产生灰阶波动，如闪烁、串扰等。闪烁产生的原因有多重，如液晶漏电、液晶离子残留、薄膜晶体管漏电等；尤其是正负帧(即像素电极在分别接正极性电压和负极性电压时)薄膜晶体管漏电的差异引起的闪烁，往往在解决材料问题后，成为闪烁的主要原因，也须设计者加以关注。由于反馈电压的影响，负帧的漏电会更加严重，而正帧的漏电会较轻微，这种差异无法通过调整基准电压消除。因此，需要提供一种显示器及其显示面板以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种显示器及其显示面板，能够降低正负帧灰阶电压变化的差异，降低闪烁现象。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括第一基板、第二基板、夹持在第一基板和第二基板之间的液晶层、设置在第一基板上的第一金属层和第一公共电极层、设置在第一金属层和第一公共电极层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的有源层、设置在有源层上的层间介质层以及设置在层间介质层和有源层上的第二金属层，第二金属层包括设置为一体的第一子金属层和第二子金属层，第一子金属层通过设置在层间介质层上的过孔与有源层导通，第二子金属层位于与第一公共电极层上下对应的区域且第二子金属层设置在有源层上。其中，有源层包括本征部、分别位于本征部两侧的第一轻掺杂部和第二轻掺杂部、位于第一轻掺杂部远离本征部一侧的第一重掺杂部、位于第二轻掺杂部远离本征部一侧的第二重掺杂部，第二子金属层设置在第一重掺杂部上。其中，有源层为多晶硅半导体层，第一轻掺杂部、第二轻掺杂部、第一重掺杂部以及第二重掺杂部均为N型掺杂。其中，第一重掺掺杂部的宽度大于第二重掺杂部的宽度。其中，第一子金属层通过过孔与第一重掺杂部或者第二重掺杂部导通。其中，显示面板进一步包括设置在第二金属层和层间介质层上的平坦化层、设置在平坦化层上的第二公共电极层、设置在平坦化层和第二公共电极层上的钝化层以及设置在钝化层上的透明电极层。其中，透明电极层通过设置在钝化层和平坦化层上的过孔与第一子金属层导通。其中，显示面板进一步包括设置在第二基板上的彩色滤光片。其中，显示面板为边缘场开关显示面板。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，该显示器包括显示面板和用于为所述显示面板提供背光的背光模组，该显示面板为上述的显示面板。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过设置显示面板包括第一基板、第二基板、夹持在第一基板和第二基板之间的液晶层、设置在第一基板上的第一金属层和第一公共电极层、设置在第一金属层和第一公共电极层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的有源层、设置在有源层上的层间介质层以及设置在层间介质层和有源层上的第二金属层，第二金属层包括设置为一体的第一子金属层和第二子金属层，第一子金属层通过设置在层间介质层上的过孔与有源层导通，第二子金属层位于与第一公共电极层上下对应的区域且第二子金属层设置在有源层上，从而使得第二子金属与有源层形成欧姆接触，第一公共电极层与有源层形成MIS(金属－绝缘体－半导体，Metal-Insulator-Semiconductor)电容，因此第二子金属层与第一公共电极层之间形成一个可变电的存储容器，具体地，当像素电极为正电压(正帧)时，第二子金属层为正电压，存储电容较小，当像素电极为负电压时第二子金属层为正电压(负帧)时，存储电容较大，因此会降低负帧的漏电流的大小，降低正负帧灰阶电压变化的差异，同时也会消弱因漏电对电压的影响，降低画面的闪烁，一方面降低负帧的反馈电压，另一方面增加负帧的储存电容量，增强其抵抗漏电带来的灰阶变化的能力，从而可以降低闪烁现象。附图说明图1是本专利技术优选实施例的显示面板的结构示意图；图2是本专利技术第二子金属层为负电压时第二子金属层和第一公共电极层之间形成存储电容的原理图；图3是本专利技术第二子金属层为正电压时第二子金属层和第一公共电极层之间形成存储电容的原理图；图4是本专利技术显示器的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。请参阅图1，图1是本专利技术优选实施例的显示面板的结构示意图。在本实施例中，显示面板包括第一基板11、第二基板12、夹持在第一基板11和第二基板12之间的液晶层13、设置在第一基板11上的第一金属层14和第一公共电极层15、设置在第一金属层14和第一公共电极层15和第一基板11上的栅极绝缘层16、设置在栅极绝缘层16上的有源层17、设置在有源层17上的层间介质层18以及设置在层间介质层18和有源层17上的第二金属层19，第二金属层19包括设置为一体的第一子金属层191和第二子金属层192，第一子金属层191通过设置在层间介质层18上的过孔与有源层17导通。优选地，有源层17为多晶硅半导体层17。本领域技术人员可以理解，在其他实施例中有源层还可以为其他的半导体层。第二子金属层192位于与第一公共电极层15上下对应的区域且第二子金属层192设置在多晶硅半导体层17上。也就是说，第二子金属层192在第一公共电极层15上的垂直投影与第一公共电极层15至少部分重叠，优选地，在本实施例中，第二子金属层192在第一公共电极层15上的垂直投影与第一公共电极层15完全重叠。第二子金属层192直接设置在多晶硅半导体层17上。请结合图1参阅图2和图3，图2是本专利技术第二子金属层为负电压时第二子金属层和第一公共电极层之间形成存储电容的原理图。图3是本专利技术第二子金属层为正电压时第二子金属层和第一公共电极层之间形成存储电容的原理图。由于第一公共电极层15和第二子金属层192之间依次层叠有栅极绝缘层16和多晶硅半导体层17，因此构成金属－绝缘体－半导体电容结构。本领域技术人员不难理解第一子金属层191为漏源层，优选地，图1中第一子金属层191左边的部分为源极，右边的部分为漏极，在其他实施例中，也可以是第一子金属层191右边的部分为源极，左边的部分为漏极。如图2所示，当数据信号为负电压时(即为负帧数据时)，第一子金属层191的电压为负，所以第二子金属层192的电压为负，电场E1方向由第一公共电极层15指向第二子金属层192，多晶硅半导体层17靠近栅极绝缘层16的界面处聚集电子S，形成电容大小为C1，其电容器的厚度为栅极绝缘层16的厚度。如图3所示，当数据信号为正电压时(即为正帧数据时)，第一子金属层191的电压为正，第二子金属层192的电压为正，电场方向由第二子金属层192指向第一公共电极层15，多晶硅半导体层17靠近栅极绝缘层16的界面处形成耗尽层t，其总电容会降低，为C1和C2两个电容的串联，即大小为C＝1/(1/C1+1/C2)，其中C2为耗尽t层电容。由此可见，第二子金属层192和第一公共电极层15之间形成了一个大小可变的存储电容，当第二子金属层192为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括第一基板、第二基板、夹持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层、设置在所述第一基板上的第一金属层和第一公共电极层、设置在所述第一金属层和所述第一公共电极层上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的层间介质层以及设置在所述层间介质层和所述有源层上的第二金属层，所述第二金属层包括设置为一体的第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层通过设置在所述层间介质层上的过孔与所述有源层导通，所述第二子金属层位于与所述第一公共电极层上下对应的区域且所述第二子金属层设置在所述有源层上。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括第一基板、第二基板、夹持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层、设置在所述第一基板上的第一金属层和第一公共电极层、设置在所述第一金属层和所述第一公共电极层上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的层间介质层以及设置在所述层间介质层和所述有源层上的第二金属层，所述第二金属层包括设置为一体的第一子金属层和第二子金属层，所述第一子金属层通过设置在所述层间介质层上的过孔与所述有源层导通，所述第二子金属层位于与所述第一公共电极层上下对应的区域且所述第二子金属层设置在所述有源层上。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层包括本征部、分别位于所述本征部两侧的第一轻掺杂部和第二轻掺杂部、位于所述第一轻掺杂部远离所述本征部一侧的第一重掺杂部、位于所述第二轻掺杂部远离所述本征部一侧的第二重掺杂部，所述第二子金属层设置在所述第一重掺杂部上。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述有源层为多晶硅半导体层，所述第一轻掺杂部、所述第二轻掺杂部、所述第一重掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42