半导体器件制造技术

公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。

【技术实现步骤摘要】
于2015年4月2日在韩国知识产权局提交的且题为“Semiconductor Device”(半导体器件)的第10-2015-0046761号韩国专利申请通过引用被全部包含于此。
实施例涉及一种半导体器件。
技术介绍
作为为了增加半导体器件的密度的缩放技术中的一种，已经提出多栅极晶体管。多栅极晶体管可以通过在基底上形成鳍形硅主体和在硅主体的表面上形成栅极来获得。
技术实现思路
实施例可以通过提供半导体器件来实现，所述半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开，第一鳍图案和第二鳍图案沿第一方向延伸；栅电极，沿第二方向延伸，栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉；以及接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。半导体器件还可以包括填充第一沟槽的一部分的场绝缘层。接触件的底表面可以接触场绝缘层。在接触件与第一鳍图案交叉的区域中，第一鳍图案的整个侧壁可以接触场绝缘层。在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中，第二鳍图案的一部分可以相比于场绝缘层的顶表面进一步向上突出。第一沟槽可以在第二鳍图案的两侧上，半导体器件还可以包括第二沟槽，第二沟槽可以比第一沟槽深，第二沟槽可以在第二鳍图案的侧面上直接地相邻于第一沟槽。半导体器件还可以包括：第二沟槽，直接地相邻于第一沟槽，第二沟槽可以比第一沟槽深；以及突出结构，在第一沟槽和第二沟槽之间的边界处，突出结构从第一沟槽的底部突出。突出结构的高度可以小于第一高度。接触件可以不接触第二鳍图案。半导体器件还可以包括：场绝缘层，填充第一沟槽的一部分；以及绝缘层图案，在场绝缘层上，绝缘层图案接触场绝缘层，绝缘层图案可以在接触件和第二鳍图案之间。从第一沟槽的底部到绝缘层图案的高度可以小于第二高度。半导体器件还可以包括在栅电极的侧壁上的间隔件，间隔件沿第二方向延伸。第一鳍图案的一部分可以在间隔件和接触件之间。第一鳍图案的在间隔件和接触件之间的顶表面可以比第一鳍图案的被栅电极叠置的顶表面更多地凹进。第一鳍图案的在间隔件和接触件之间的顶表面可以与第一鳍图案的被栅电极叠置的顶表面位于相同的平面中。半导体器件还可以包括：间隔件，在栅电极的侧壁上，间隔件沿第二方向延伸；以及绝缘层图案，在被间隔件叠置的第一鳍图案和接触件之间。实施例可以通过提供半导体器件来实现，所述半导体器件包括：有源区域，由第一沟槽限定；第一鳍图案，在有源区域中，第一鳍图案由比第一沟槽浅的第二沟槽限定，第一鳍图案沿第一方向延伸；第二鳍图案，在有源区域的最外侧上，第二鳍图案由第二沟槽限定，第二鳍图案沿第一方向延伸，第二鳍图案在第一沟槽和第一鳍图案之间；栅电极，沿第二方向延伸，栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉；以及接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。半导体器件还可以包括填充第一沟槽的一部分和第二沟槽的一部分的场绝缘层。接触件的底表面可以沿着场绝缘层的顶表面。半导体器件还可以包括在有源区域的边界处的突出结构，突出结构从第二沟槽的底部突出。第二鳍图案和接触件可以不彼此接触。半导体器件还可以包括在第二鳍图案和接触件之间的层间绝缘膜。实施例可以通过提供半导体器件来实现，所述半导体器件包括：鳍图案组，包括在鳍图案组的最外侧上的第一和第二鳍图案以及在第一和第二鳍图案之间的内侧鳍图案；栅电极，在鳍图案组上，栅电极沿第二方向延伸，栅电极与全部的鳍图案组交叉；以及接触件，在栅电极的至少一侧处，接触件与栅电极并排地延伸，接触件接触内侧鳍图案，第一和第二鳍图案以及内侧鳍图案中的每个由第一沟槽限定，第一和第二鳍图案以及内侧鳍图案中的每个沿第一方向延伸，在接触件与内侧鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到内侧鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。半导体器件还可以包括填充第一沟槽的一部分的场绝缘层。接触件的底表面可以接触场绝缘层。接触件可以穿过内侧鳍图案，内侧鳍图案可以相比于场绝缘层的顶表面进一步向上突出。第一鳍图案和第二鳍图案中的每个可以不接触接触件。半导体器件还可以包括相邻于第一鳍图案和第二鳍图案的第二沟槽，第二沟槽可以比第一沟槽深。鳍图案组可以在由第二沟槽限定的有源区域中。第一沟槽和第二沟槽可以位于第一鳍图案的侧面上，第一沟槽和第二沟槽可以彼此直接地相邻，半导体器件还可以包括在第一沟槽和第二沟槽之间的边界处的突出结构，突出结构从第一沟槽的底部突出。半导体器件还可以包括填充第一沟槽的一部分和第二沟槽的一部分的场绝缘层。突出结构可以比场绝缘层的顶表面低。在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度可以是第三高度，第一高度可以小于第三高度。实施例可以通过提供半导体器件来实现，所述半导体器件包括：第一鳍图案，由沟槽限定，第一鳍图案沿第一方向延伸，第一鳍图案包括第一部分和第二部分，第二部分沿着第一方向在第一部分的两侧上，第二部分具有凹进；第二鳍图案，由沟槽限定，第二鳍图案与第一鳍图案并排地延伸，第二鳍图案包括与第一部分对应的第三部分和与第二部分对应的第四部分，第四部分沿着第一方向在第三部分的两侧上；栅电极，沿不同于第一方向的第二方向延伸，栅电极在第一部分和第三部分上；以及填充凹进的接触件，接触件接触第一鳍图案，接触件的底表面不接触第四部分。半导体器件还可以包括填充沟槽的一部分的场绝缘层。接触件可以穿过第二部分，第二部分可以比场绝缘层的顶表面进一步向上突出。实施例可以通过提供半导体器件来实现，所述半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过沟槽隔开，第一鳍图案和第二鳍图案沿第一方向延伸；栅电极，沿第二方向延伸，栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉；以及接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案和第二鳍图案，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件与第二鳍图案交叉的区域中从沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。接触件的侧壁的一部分可以由第二鳍图案限定。实施例可以通过提供半导体器件来实现，所述半导体器件包括：鳍图案，沿第一方向延伸；栅电极，沿不同于第一方向的第二方向延伸，栅电极与每个鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，由接触件交叉的鳍图案的数量少于由栅电极交叉的鳍图案的数量。被接触件交叉的鳍图案的第一部分可以具有第一高度，被栅电极交叉的鳍图案的第二部分可以具有第二高度，第一高度可以小于第二高度。接触件所交叉的鳍图案可以比栅电极所交叉的鳍图案少一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，由第一沟槽隔开，第一鳍图案和第二鳍图案沿第一方向延伸；栅电极，沿第二方向延伸，栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉；以及接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。

【技术特征摘要】
2015.04.02 KR 10-2015-00467611.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，由第一沟槽隔开，第一鳍图案和第二鳍图案沿第一方向延伸；栅电极，沿第二方向延伸，栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉；以及接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括填充第一沟槽的一部分的场绝缘层，其中，接触件的底表面接触场绝缘层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中，第一鳍图案的全部侧壁接触场绝缘层。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中，第二鳍图案的一部分相比于场绝缘层的顶表面进一步向上突出。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：第一沟槽在第二鳍图案的两侧上，并且半导体器件还包括第二沟槽，第二沟槽比第一沟槽深，在第二鳍图案的侧面上，第二沟槽直接地相邻于第一沟槽。6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第二沟槽，直接地相邻于第一沟槽，第二沟槽比第一沟槽深；以及突出结构，在第一沟槽和第二沟槽之间的边界处，突出结构从第一沟槽的底部突出。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，突出结构的高度小于第一高度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，接触件不接触第二鳍图案。9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：场绝缘层，填充第一沟槽的一部分；以及绝缘层图案，在场绝缘层上，绝缘层图案接触场绝缘层，绝缘层图案在接触件和第二鳍图案之间，其中，从第一沟槽的底部到绝缘层图案的高度小于第二高度。10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括在栅电极的侧壁上的间隔件，间隔件沿第二方向延伸，其中，第一鳍图案的一部分在间隔件和接触件之间。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庭均，李炯宗，金盛民，张锺光，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR