一种具有双单向性的光学纳米天线及其设计方法技术

本发明专利技术提出了一种具有双单向性的光学纳米天线及其设计方法，所述光学纳米天线的基本单元是由金属‑介电‑金属三明治型结构组成的，在入射平面波的激发下，这种结构会激发出两种不同的表面等离子体共振模式：电偶极共振和磁偶极共振。通过多级分解的方法，本发明专利技术给出了达到前向散射和背向散射的广义Kerker条件（即电偶极和磁偶极强度相当）。此外，本发明专利技术还论证了这种纳米天线对电偶极源远场辐射特性的影响，对于阵列型金属‑介电‑金属纳米结构，偶极辐射源的激发位置对此天线是否具有双单向性起着至关重要的作用。本发明专利技术对于纳米光学器件的设计提供了一种理论基础和参考标准。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出了，所述光学纳米天线的基本单元是由金属?介电?金属三明治型结构组成的，在入射平面波的激发下，这种结构会激发出两种不同的表面等离子体共振模式：电偶极共振和磁偶极共振。通过多级分解的方法，本专利技术给出了达到前向散射和背向散射的广义Kerker条件（即电偶极和磁偶极强度相当）。此外，本专利技术还论证了这种纳米天线对电偶极源远场辐射特性的影响，对于阵列型金属?介电?金属纳米结构，偶极辐射源的激发位置对此天线是否具有双单向性起着至关重要的作用。本专利技术对于纳米光学器件的设计提供了一种理论基础和参考标准。【专利说明】-种具有双单向性的光学纳米天线及其设计方法
本专利技术属于微纳光子学
，尤其设及一种可用于调节远场方向特性的光学 微纳天线及其设计方法。
技术介绍
无论在广播，电视，遥感等一些日常生活，还是在科学研究领域，天线都已经得到 比较广泛的应用，常规天线的工作波长是随着其尺寸的变化而变化的。但是，光频段天线的 实现就不能简单地通过控制尺寸来达到，运是因为当天线尺度达到纳米级或者远低于光学 衍射极限时其金属纳米构件对可见近红外部分光线的吸收W及量子尺寸效应的影响不能 忽略。在光频段由于透镜面镜等宏观光学元件用来重定向波阵面而造成天线没有被进一步 研究，因此必须寻找另一种途径来实现光学天线。 Wessel等人基于金属小颗粒也能有类似于传统天线接收入射电磁波的性质最早 提出光学天线的概念。随后，Pohl等人对运种类似性进行系统的讨论，通过比较近场光学探 针与传统天线的相似性得出传统天线理论可W应用于近场光学。由于光学偶极子天线谐振 长度远远小于入射光半波长运与传统天线理论相惇，Novotny等人提出有效波长的概念很 好地解决了该问题。进一步的工作把描述经典天线特征如增益工作波长方向图等参数引入 纳米光学天线中把纳米天线可操作性可表征性地融入到传统天线理论框架，Engheta等人 引入了光阻抗的概念把光学纳米天线及其介质等效于一个由化C振荡电路构成的系统，从 概念上阐明直接通过改变介质来调控光学天线进一步丰富了光学纳米天线理论框架。纳米 光学天线由于其独特的光学性能广泛应用于生物医学，太阳能利用，高灵敏度检测器，非线 性光学，及光催化等领域成为一个新兴的研究前沿。
技术实现思路
本专利技术提出了一种具有双单向性的光学纳米天线的设计方法，该天线由金属-介 电-金属构成的，在入射平面波的激发下，运种结构会支持两种不同的表面等离子体模式： 电偶极共振和磁偶极共振。通过多级分解的方法，本专利技术证明了无论是要达到前向散射和 背向散射，要实现广义的Kerker条件必须是电偶极和磁偶极的强度相当。此外，本专利技术还论 证了在偶极源福射下对运种纳米天线远场福射特性的影响，对于阵列的金属-介电-金属纳 米结构，偶极福射源的激发位置对此天线是否具有双单向性起着至关重要的作用。本专利技术 对于纳米光学器件的设计提供了一种理论基础和参考标准。 本专利技术的有益效果是： 1.本专利技术提出的纳米光学天线可W同时支持电共振和磁共振，我们利用多级分 解，更好的论证了无论在前向散射和背向散射，都必须遵循Kerker条件。 2.本专利技术设计的光学天线，在不同波长会呈现出不同的福射方向性：即在某一工 作频率实现单向前向散射，在另一工作频率实现单向的后向散射。为天线设计提供了很好 的理论基础和技术支持。【附图说明】 图1是本专利技术的光学纳米天线的结构示意图； 图2(a)是本专利技术的光学纳米天线的Gfb和Gfbi曲线图； 图2(b)是本专利技术的光学纳米天线在平面入射波激发下的前向散射和背向散射的 远场分布图； 图3(a)是将近场偶极源放置在其中一个金属板的中间处的示意图； 图3(b)是福射衰减率曲线图； 图3(c)是光学纳米天线在偶极源激发下的前向散射和背向散射的远场分布图和 近场分布图； 图4(a)是电偶极源放置在经过排列的两个光学纳米天线中间的示意图； 图4(b)是两个光学纳米天线福射衰减率曲线图； 图4(c)是两个光学纳米天线在偶极源激发下的前向散射和背向散射的远场分布 图； 图5(a)是电偶极源放置在经过排列的两个光学纳米天线的外侧的示意图； 图5(b)是两个光学纳米天线福射衰减率曲线图； 图5(c)是两个光学纳米天线在偶极源激发下的前向散射和背向散射的远场分布 图。【具体实施方式】 下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本专利技术进一步说明。 其中，Px和Hiy分别代表此纳米结构在X方向上的电偶极矩和y方向上的磁偶极矩。 本专利技术的光学纳米天线具体的结构如附图1所示，整个天线的几何尺寸为几百个 纳米，远小于天线的工作波长，为深亚波长。天线由方块形的金属纳米颗粒和介电质按照金 属-介电-金属的形式构成，所述金属材料为贵金属，例如金(Au)、银(Ag)、销金(Pt)。天线工 作在可见光和近红外波段，支持局域表面等离子体共振，每个金属颗粒都会激发出一个沿 着X方向的电偶极模式。当两个纳米颗粒距离比较近的时候(例如，d=15nm)，由于有很强的 近场禪合导致两个颗粒会发生杂化作用。杂化结果为同相位的Px模式和反相位的my模式。那 么，由多级散射公式(在本专利技术中，由于纳米方块比较小，所W仅仅激发出偶极模，激发出高 级的模式的非常弱，可W忽略），背向的微分散射界面和前向的前向的微分散射截面可W写 成：[00 剖 0) (2) Einc I为入射平面波的能量系数。特别的，当的时候（即Real(Px) =real(my)， Imag(Px) = Imag(Hiy))，背向的散射能量消失，运就是需要满足的Kerker条件来达到背散射 相消。由于Px和my均为复数，而且我们的材料只允许Px和my的虚部为正数，所W在公式（2) 中，不能达到前散射相消，只能是将前向散射达到最小值。 本发巧吿父下玩场处的前向巧后向在远场处的实际数值的比值W此数值与相 对比，来证明Kerker条件适用于本专利技术提出的光学纳米天线，更高的模式（比如电四级，磁 四级或高级)在公式(1)和公式(2)中忽略不计。 如附图2(a)所示，我们发现Gfb和Gfbi在数值上和峰值位置上大致是相等的，并且G 值出现了两个极值，分别为^ = 73 Inm为最小值和A = 774nm为最大值。图2 (b)画出了两个极 值出的远场能量分布图，可W看出，A = 731nm后向散射;A = 774nm前向散射。由此，证明了本 专利技术的光学纳米天线具有双单向性。 另外，本专利技术的纳米天线对点偶极光源的福射特性也有一定的调制作用，附图3和 附图4阐述了本专利技术中设计的纳米天线对于电偶极源的在远场的福射特性的影响。 首先，将近场偶极源放置在其中一个金属板的中间处(其中一个方块的的中间位 置），如附图3(a)所示。通过计算得出了福射衰减率的大小如附图3(b)所示，得到了两个局 域表面等离子体的共振峰，分别在A = 750nm和A = 620nm，由附图3 (C)可W明显看出两个共 振峰分别为两个金属板上的偶极在反相位和同相位的杂化，即磁偶极共振和电偶极共振。 但是在远场福射特性上，此纳米天线对于该位置处的偶极源在不同波长位置处只有前向散 射增强，并没有后向散射增强的效果（同一天线在不同波长位置向前和向后散射出不同颜 色的光）。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有双单向性的光学纳米天线，其特征在于：所述天线由方块形的金属纳米颗粒和介电质按照金属‑介电‑金属的形式构成，所述天线为方块形、材料为贵金属；金属纳米颗粒长度和宽度为100纳米量级；天线的总体尺寸远小于天线的工作波长，为深亚波长纳米天线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖君军，张小明，秦菲菲，张强，刘真真，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44