【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种LDMOS晶体管制作方法，其特征在于，该方法包括：在完成场氧化层FOX制作之后，在所述FOX所在的表面淀积一层多晶硅；对所述多晶硅进行刻蚀形成多晶硅栅极，并将所述多晶硅栅极与LDMOS晶体管漏极对应位置之间的多晶硅刻蚀形成N段多晶硅，其中，N为大于0的正整数；在制作隔离介质层后进行金属层淀积，并在刻蚀所述金属层形成栅极电极以及漏极电极的同时，在所述栅极电极与所述漏极电极之间形成M段金属，其中，M为大于0的正整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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