一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程技术

本发明专利技术涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程，根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况，判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；替代现有的目检方式，有效避免人为操作中易出现的漏检问题，且节省人力资源；在光刻制程中，不仅省去原有的目检制程，且无需引入新的检测制程，有效简化了光刻制程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光刻
，特别涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程。
技术介绍
半导体制造中光刻制程流程包括:光阻涂布制程、曝光制程和显影制程。其中，光阻涂布制程的重要参数是晶元上涂布的光阻的厚度和均匀度。现有制程中是通过厚度控片来管控光阻的厚度，即使用厚度控片量测已涂布光阻的晶元横轴和纵轴两个方向总共49个点的值，从而获取整片晶元上光阻的厚度平均值和发散度；再将厚度检测达标的晶元置于ADI机台，采用目检的方式检测整片晶元涂布的光阻的均匀度。但是，由于此均匀度的检测采用人为操作，且操作员的目检习惯不同，操作过程中易出现漏检；另外，需配置专门的操作员，存在人力资源的耗费。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程，解决现有技术中存在的上述问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:—种检测光阻涂布均匀度的方法，包括如下步骤:步骤1，将待测晶元置于曝光机台；步骤2，读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据；步骤3，根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。本专利技术的有益效果是:根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况，判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；替代现有的目检方式，有效避免人为操作中易出现的漏检问题，且节省人力资源。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述步骤3的具体实现为:按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值，根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。进一步，所述步骤3的具体实现包括如下步骤:步骤31，按行或列依次读取每行或每列的数据值，并求解相邻数据值的差值的绝对值；步骤32，将所述绝对值与预设值进行比较，当所述绝对值小于等于所述预设值，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标；反之，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。本专利技术的另一技术方案如下:一种光刻制程，将光阻涂布厚度检测达标的晶元直接置于曝光机台，采用上述一种检测光阻涂布均匀度的方法，检测所述晶元的光阻涂布均匀度是否达标，是，则进行所述晶元光刻的后续制程；否，则取下所述晶元，并结束所述晶元光刻的后续制程。本专利技术的有益效果是:光刻制程包括光阻涂布制程、曝光制程和显影制程，在曝光制程中，由于输入晶元的质量不一，正式曝光之前均需通过预曝光生成表征待测晶元表面平坦度的数据，再根据所述数据补偿曝光焦距，以使晶元所有区域均达到最佳曝光效果；故，在光刻制程中使用本专利技术检测光阻涂布均匀度，不仅省去原有的目检制程，且无需引入新的检测制程，有效简化了光刻制程。【附图说明】图1为本专利技术一种检测光阻涂布均匀度的方法的方法流程图。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，一种检测光阻涂布均匀度的方法，包括如下步骤:步骤1，将待测晶元置于曝光机台；步骤2，读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据；步骤3，根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。待测晶元的光阻涂布均匀度达标，则曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据的数据值将平滑渐变；故，当数据值出现突变，则表示待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。所述步骤3的具体实现为:按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值，根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。所述步骤3的具体实现包括如下步骤:步骤31，按行或列依次读取每行或每列的数据值，并求解相邻数据值的差值的绝对值；步骤32，将所述绝对值与预设值进行比较，当所述绝对值小于等于所述预设值，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标；反之，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。一种光刻制程，将光阻涂布厚度检测达标的晶元直接置于曝光机台，采用上述一种检测光阻涂布均匀度的方法，检测所述晶元的光阻涂布均匀度是否达标，是，则进行所述晶元光刻的后续制程；否，则取下所述晶元，并结束所述晶元光刻的后续制程。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种检测光阻涂布均匀度的方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1，将待测晶元置于曝光机台； 步骤2，读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据； 步骤3，根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。2.根据权利要求1所述一种检测光阻涂布均匀度的方法，其特征在于，所述步骤3的具体实现为:按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值，根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。3.根据权利要求2所述一种检测光阻涂布均匀度的方法，其特征在于，所述步骤3的具体实现包括如下步骤: 步骤31，按行或列依次读取每行或每列的数据值，并求解相邻数据值的差值的绝对值； 步骤32，将所述绝对值与预设值进行比较，当所述绝对值小于等于所述预设值，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标；反之，则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。4.一种光刻制程，其特征在于，将光阻涂布厚度检测达标的晶元直接置于曝光机台，采用权利要求1至3任一所述一种检测光阻涂布均匀度的方法，检测所述晶元的光阻涂布均匀度是否达标，是，则进行所述晶元的后续光刻制程；否，则取下所述晶元，并结束所述晶元的后续光刻制程。【专利摘要】本专利技术涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程，根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况，判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；替代现有的目检方式，有效避免人为操作中易出现的漏检问题，且节省人力资源；在光刻制程中，不仅省去原有的目检制程，且无需引入新的检测制程，有效简化了光刻制程。【IPC分类】G03F7/16, G03F7/20【公开号】CN105278252【申请号】CN201510765495【专利技术人】周绍顺 【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司【公开日】2016年1月27日【申请日】2015年11月11日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测光阻涂布均匀度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将待测晶元置于曝光机台；步骤2，读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据；步骤3，根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周绍顺，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42