一种光敏电阻检查电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种光敏电阻检查电路，设有阈值电压输入端及光敏电阻电压输入端，包括差分电路及信号输出电路，差分电路分别连接信号输出电路、阈值电压输入端及光敏电阻电压输入端，所述信号输出电路分别连接至一电源及阈值电压输入端，消除晶体管温度漂移导致的昼夜判别阈值改变，同时可兼容高于供电电压的输入。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光敏电阻检查电路。
技术介绍
现安防领域对昼夜判别常通过光敏电阻对光照强度的特性来实现，光敏电阻在不同光照强度下呈现不同阻值，可根据特点光照下的阻值来设定昼夜判别的阈值，同时，为防止光照应环境等客观因素的影响，使光照在一定范围内波动而导致昼夜判别反复切换，需对阈值设定一定迟滞以避免该问题，在一般电压条件下可把该迟滞适度增大来保证可靠性。现安防领域光敏检测电路常使用适配器直接供电，不同适配器电压难免存在差异，且在不同负载情况下容易出现波动，这将导致光敏判断的开关阈值出现偏差。先通过电源芯片转换出稳定的低电压可解决如上问题，但直接使用低压将降低开关阈值，对光照强度精确度要求提高，而阈值会受环境条件等其他客观因素影响，难以实现光敏准确判别，现有设计的检测电路有的是不能同时兼容较高电压的输入，并且其所需要的设计资源及成本较高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种光敏电阻检查电路。本技术是这样实现的:一种光敏电阻检查电路，设有阈值电压输入端及光敏电阻电压输入端，包括差分电路以及信号输出电路，所述差分电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6及晶体管Q7，所述晶体管Ql的源极与晶体管Q2的源极相连接后连接至光敏电阻电压输入端，所述晶体管Q3源极与晶体管Q4的源极相连接后连接至阈值电压输入端，所述晶体管Ql栅极、晶体管Q2栅极、晶体管Q2漏极、晶体管Q3漏极、晶体管Q3栅极及晶体管Q4栅极相互连接后连接至晶体管Q5漏极，所述晶体管Q5源极接地，所述晶体管Q5栅极连接至一偏置电压Vb，所述晶体管Ql漏极、晶体管Q6漏极、晶体管Q6栅极及晶体管Q7栅极相互连接，所述晶体管Q6源极接地，所述晶体管Q7源极接地，所述信号输出电路分别连接所述晶体管Q4漏极及晶体管Q7漏极，所述信号输出电路分别连接至一电源及阈值电压输入端。进一步地，所述信号输出电路包括一电阻R2、三极管Q8、三极管Q9、三极管QlO、三极管Q11、三极管Q12及电阻R1，所述电阻R2的一端连接至阈值电压输入端，所述电阻R2另一端连接至三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极分别连接所述三极管QlO的集电极及电阻Rl的一端，所述三极管Q8的发射极、电阻Rl的另一端及三极管Q9的发射极接地，所述三极管QlO的发射极、三极管Qll的发射极及三极管Q12的发射极相连接至一电源，所述三极管QlO的基极、三极管Qll的基极及三极管Q12的基极相互连接，所述三极管Qll的集电极连接至三极管Qll的基极及三极管Q9的集电极，所述三极管Q12的集电极连接至一信号输出端，所述三极管Q9的基极分别连接所述晶体管Q4漏极及晶体管Q7漏极。进一步地，所述晶体管Ql为MOS管。进一步地，所述晶体管Q2为MOS管。进一步地，所述晶体管Q3为MOS管。进一步地，所述晶体管Q4为MOS管。进一步地，所述晶体管Q5为MOS管。进一步地，所述晶体管Q6为MOS管。进一步地，所述晶体管Q7为MOS管。本技术的优点在于:本技术一种光敏电阻检查电路，该电路能消除晶体管温度漂移导致的昼夜判别阈值改变，在低压条件下有效的保证了摄像机在持续工作下，开关时间不随温度升高而推迟，为兼容较高电压的输入，运用共栅差分电路，允许输入的比较电压高于比较器供电电压，从而不需要修改印制板而兼容高、低电压输入的比较，节省了设计资源与成本；【附图说明】下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1是本技术一种光敏电阻检查电路的示意图。【具体实施方式】请参阅图1所示，本技术光敏电阻检查电路，设有阈值电压输入端及光敏电阻电压输入端，其特征在于:包括差分电路以及信号输出电路，所述差分电路包括晶体管Ql、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6及晶体管Q7，所述晶体管Ql的源极与晶体管Q2的源极相连接后连接至光敏电阻电压输入端，所述晶体管Q3源极与晶体管Q4的源极相连接后连接至阈值电压输入端，所述晶体管Ql栅极、晶体管Q2栅极、晶体管Q2漏极、晶体管Q3漏极、晶体管Q3栅极及晶体管Q4栅极相互连接后连接至晶体管Q5漏极，所述晶体管Q5源极接地，所述晶体管Q5栅极连接至一偏置电压Vb，所述晶体管Ql漏极、晶体管Q6漏极、晶体管Q6栅极及晶体管Q7栅极相互连接，所述晶体管Q6源极接地，所述晶体管Q7源极接地，所述信号输出电路分别连接所述晶体管Q4漏极及晶体管Q7漏极，所述信号输出电路分别连接至一电源及阈值电压输入端，其中所述晶体管Ql为MOS管，所述晶体管Q2为MOS管，所述晶体管Q3为MOS管，所述晶体管Q4为MOS管，所述晶体管Q5为MOS管，所述晶体管Q6为MOS管，所述晶体管Q7为MOS管。如图1所示，本技术中信号输出电路包括一电阻R2、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12及电阻R1，所述电阻R2的一端连接至阈值电压输入端，所述电阻R2另一端连接至三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极分别连接所述三极管QlO的集电极及电阻Rl的一端，所述三极管Q8的发射极、电阻Rl的另一端及三极管Q9的发射极接地，所述三极管QlO的发射极、三极管Qll的发射极及三极管Q12的发射极相连接后连接至一电源，所述三极管QlO的基极、三极管Qll的基极及三极管Q12的基极相互连接，所述三极管Qll的集电极连接至三极管Qll的基极及三极管Q9的集电极，所述三极管Q12的集电极连接至一信号输出端lout，所述三极管Q9的基极分别连接所述晶体管Q4漏极及晶体管Q7漏极。vthl是迟滞信号输出电路的一个阈值电压输入端，⑶S是光敏电阻输入的电压，其中光敏电阻处输出的电压连接至CDS端，用户设定一个阈值电压接入到vthl处。差分电路不仅能抑制温漂，而且能有很高的输入范围，即允许输入的比较电压大于VCC值，这能使设计对多款不同电压型号进行兼容，而不需要开发新板。如图1所示，本技术原理:Q1至Q4为相同特性MOS管，对称性使该部分能消除共模信号的影响，MOS管Q5为Ql至Q4提供偏置，稳定其静态工作点，该结构解决了差分电路输入管饱和的限制；迟滞过程为:CDS电压从O升到vthl时Q9翻转，Qll有电流流过，Q10、Q12和Qll构成镜像电流源，Q12导通，1ut输出电流，同时QlO导通，QlO集电极电流流过Rl使A点电位升高，三极管Q8导通，电流流过R2将B点电位拉低一个压差Δ V,此时⑶S需从高压降到(Vthl — AV)时才发生翻转，实现迟滞效果；通过选取R2阻值可以控制阈值，从而实现迟滞比较，其中1ut输出信号为检测结果。虽然以上描述了本技术的【具体实施方式】，但是熟悉本
的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本技术的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本技术的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本技术的权利要求所保护的范围内。【主权项】1.一种光敏电阻检查电路，设有阈值电压输入端及光敏电阻电压输入端，其特征在于:包括差分电路以及信号输出电路，所述差分电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光敏电阻检查电路，设有阈值电压输入端及光敏电阻电压输入端，其特征在于：包括差分电路以及信号输出电路，所述差分电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6及晶体管Q7，所述晶体管Q1的源极与晶体管Q2的源极相连接后连接至光敏电阻电压输入端，所述晶体管Q3源极与晶体管Q4的源极相连接后连接至阈值电压输入端，所述晶体管Q1栅极、晶体管Q2栅极、晶体管Q2漏极、晶体管Q3漏极、晶体管Q3栅极及晶体管Q4栅极相互连接后连接至晶体管Q5漏极，所述晶体管Q5源极接地，所述晶体管Q5栅极连接至一偏置电压Vb，所述晶体管Q1漏极、晶体管Q6漏极、晶体管Q6栅极及晶体管Q7栅极相互连接，所述晶体管Q6源极接地，所述晶体管Q7源极接地，所述信号输出电路分别连接所述晶体管Q4漏极及晶体管Q7漏极，所述信号输出电路分别连接至一电源及阈值电压输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张成，
申请(专利权)人：福建星网锐捷安防科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35