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本发明涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程，根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况，判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标；替代现有的目检方式，有效避免人为操作中易出现的漏检问题，且节省人力资源；在光刻制程中，不仅省去原...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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