基板处理设备和方法技术

本发明专利技术构思提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括壳体，所述壳体在其内具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；喷嘴单元，所述喷嘴单元将溶液排放到由所述支撑单元支撑的所述基板上；以及溶液供应单元，所述溶液供应单元将所述溶液供应至所述喷嘴单元。所述溶液供应单元包括溶液供应管线，所述溶液供应管线连接至所述喷嘴单元；加热构件，所述加热构件安装在所述溶液供应管线上以加热所述溶液；以及回收管线，所述回收管线在设置于所述加热构件下游的第一点处从所述溶液供应管线分出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种基板处理设备和使用所述基板处理设备处理基板的方法。
技术介绍
通常，可在制造半导体器件的工艺期间，在用作半导体基板的晶片上形成多个层(例如多晶层、氧化层、氮化层和金属层)。光刻胶层可涂覆在上述层上，且光掩膜图案可通过曝光工艺转印到光刻胶层。之后，所需图案可通过刻蚀工艺形成在上述晶片上。刻蚀设备通常可归类为干刻蚀设备和湿刻蚀设备的任一种。湿刻蚀设备可利用例如刻蚀溶液、清洗溶液和冲洗溶液的多种处理溶液处理基板。这些基板处理设备可用于执行刻蚀形成在基板上的层的多余部分的工艺，和/或执行清洗残留在基板的处理表面上的异物的工艺。图1为示出磷酸的刻蚀速率和温度之间的关系的曲线图。高温磷酸可被需要以获得高刻蚀速率。通常，当磷酸的温度增加10摄氏度时，刻蚀速率可增加10%。因此，供应高温溶液至基板上可为重要的。为达到上述目的，溶液可在供应箱中加热，然后被供应。然而，在溶液穿过供应管线然后供应至喷嘴单元的时，溶液的温度可能降低。当溶液的温度变得更高时，溶液温度降低的量可变得更大。此外，如果添加物与溶液混合以增加刻蚀速率，添加物的温度可很大程度上影响溶液的温度降低。
技术实现思路
本专利技术构思实施例可提供一种能够提高刻蚀速率的基板处理设备。本专利技术构思实施例还可提供一种能够有效控制刻蚀溶液的温度的基板处理设备—方面，基板处理设备可包括处理容器，所述处理容器在其内具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；喷嘴单元，所述喷嘴单元将溶液排放到由所述支撑单元支撑的所述基板上；以及溶液供应单元，所述溶液供应单元将所述溶液供应至所述喷嘴单元。所述溶液供应单元可包括溶液供应管线，所述溶液供应管线连接至所述喷嘴单元；加热构件，所述加热构件安装在所述溶液供应管线上以加热所述溶液；以及回收管线，所述回收管线在设置于所述加热构件下游的第一点处从所述溶液供应管线分出。在一个实施例中，冷却单元可安装在所述回收管线上以冷却所述溶液。在一个实施例中，所述设备还可包括控制器，所述控制器控制所述溶液供应单元；以及开关阀，所述开关阀安装在所述第一点处以转换所述喷嘴单元和所述回收管线之间的溶液的供应方向。当执行工艺时，所述控制器可控制所述开关阀将所述溶液供应至所述喷嘴单元，当不执行所述工艺时，所述控制器可控制所述开关阀将所述溶液供应至所述回收管线。在一个实施例中，所述第一点可邻近所述加热构件。在一个实施例中，所述冷却单元可邻近所述开关阀。在一个实施例中，所述喷嘴单元可包括主体，所述主体限定储存所述溶液的内部空间；出口，所述出口将所述溶液排放到所述基板上；以及排气管，所述排气管将在所述内部空间中由所述溶液形成的气泡排放到所述主体的外部。在一个实施例中，所述设备还可包括添加物供应管线，所述添加物供应管线连接至所述主体，且供应添加物。在一个实施例中，所述设备还可包括添加物供应管线，所述添加物供应管线连接至所述溶液供应管线，且供应添加物。在一个实施例中，所述添加物供应管线可在设置于所述第一点下游的第二点处连接至所述溶液供应管线。在一个实施例中，所述添加物可包括沸点不同于所述溶液的沸点的化学材料。在一个实施例中，所述加热构件可为内嵌式安装在所述溶液供应管线上的内嵌式加热器。在一个实施例中，所述溶液可包括磷酸，所述工艺可为刻蚀形成在所述基板上的氮化层的工艺。另一方面，可提供一种使用上述方面所述的设备处理基板的方法。所述方法可包括，将用于处理工艺的所述溶液从所述溶液供应单元供应至所述喷嘴单元。所述溶液可由所述溶液供应管线上的所述加热构件加热，然后可被供应。在另一方面，可提供一种处理基板的方法，所述方法通过将用于处理工艺的溶液通过喷嘴单元供应至基板上处理所述基板。所述方法可包括，通过溶液供应单元将所述溶液供应至所述喷嘴单元。所述溶液可由安装在溶液供应管线上的加热构件加热，然后可被供应至所述喷嘴单元。【附图说明】基于附图和随附的详细说明书，本专利技术构思将变得更明显。图1为示出磷酸的刻蚀速率和温度之间的关系的曲线图。图2示出根据本专利技术构思实施例的基板处理系统。图3为示出根据本专利技术构思实施例的基板处理设备的平面图。图4为示出根据本专利技术构思实施例的基板处理设备的侧面剖视图。图5为示出根据本专利技术构思实施例的溶液供应单元的示意图。图6为示出图5的溶液供应管线的示意图。图7为示出图6的溶液供应管线的内部的实施例的示意图。图8示出图5的喷嘴单元的内部。图9示出流经图8的喷嘴单元的流体。图10为示出根据本专利技术构思的另一个实施例的溶液供应单元的示意图。图11为示出图10的溶液供应管线的示意图。图12示出图11的喷嘴单元的内部。图13示出流经图12的喷嘴单元的流体。【具体实施方式】参照附图，现将在下文更充分地描述本专利技术构思，在下文中，示出了本专利技术构思的示例性实施例。从下面参照附图描述的更加详细的示例性实施例中，本专利技术构思的优点和特征、以及获得上述优点和特征的方法将会明显。然而，应当注意的是，本专利技术构思不限于下面的示例性实施例，且可以各种不同形式实现。相应地，提供示例性实施例仅为公开本专利技术构思，且使本领域技术人员了解本专利技术构思的范畴。在附图中，本专利技术构思实施例不限于本文提供的具体实施例，且为清楚起见被放大。本文所用术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限定本专利技术。如本文使用的单数术语“一个(a，an)”和“该/所述(the)”旨在还包含复数形式，除非上下文明确指出并非如此。如本文所使用的术语“和/或”包括列出的一个或多个关联项目的任何和所有组合。应当理解的是，当一个构件被称为“连接”或“耦合”至另一个构件时，上述一个构件可直接连接或親合到上述另一个构件，或者可存在中间(intervening)构件。相似的，应当理解的是，当一个构件，例如层、部分或基板，被称为“在另一个构件上”时，该构件可为直接在另一个构件上，或者可存在中间构件。相反的，术语“直接”意味着没有中间元件。还应当理解的是，当本文使用术语“包含(comprise、comprising) ”、“包括(include和/或including) ”时，指定存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、构件、和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、构件、组件、和/或以上的组合。此外，详细说明书中的实施例将利用作为本专利技术构思理想示例性视图的剖视图来描述。相应地，可根据制造技术和/或容许误差修改上述示例性视图的形状。因此，本专利技术构思实施例不限于上述示例性视图中示出的具体形状，而是可包括根据制造工艺创造的其他形状。附图中示例的区域具有常规属性，且用于示出构件的具体形状。因此，这不能被解释为限制本专利技术构思的范围。还应当理解的是，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种构件，但是这些构件不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构件与另一个构件进行区分。因此，在一些实施例中的第一构件可在另外的实施例中被称为第二构件，而不背离本专利技术的教导。本文解释和示出的本专利技术构思的各方面的示例性实施例包括它们的补充对应(counterpart)。贯穿说明书，相同的附图标记或相同的参考编号表示相同的构件。图2示出了根据本专利技术构思实施例的基板处理系统。参见图2，根据本专利技术构思的基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，其特征在于，所述设备包括：处理容器，所述处理容器在其内具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；喷嘴单元，所述喷嘴单元将溶液排放到由所述支撑单元支撑的所述基板上；以及溶液供应单元，所述溶液供应单元将所述溶液供应至所述喷嘴单元；其中，所述溶液供应单元包括：溶液供应管线，所述溶液供应管线连接至所述喷嘴单元；加热构件，所述加热构件安装在所述溶液供应管线上以加热所述溶液；以及回收管线，所述回收管线在设置于所述加热构件下游的第一点处从所述溶液供应管线分出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金奉主，李昇浩，崔龙贤，姜秉万，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR