影像传感芯片封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供了一种影像传感芯片封装结构，包括：影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫；从第二表面贯通至焊垫的通孔；沿通孔内壁设置并延伸至第二表面的电连线层，所述电连线层与所述焊垫电连接；填充通孔并覆盖电连线层的阻焊层，阻焊层中形成有开口，所述开口底部暴露出所述电连线层；覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫，所述导引焊垫与所述电连线层电连接；位于导引焊垫上的焊接凸点，所述焊接凸点与所述导引焊垫电连接。该结构降低影像传感芯片电连线层的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，晶圆级封装(Wafer Level Packaging)技术是对整片晶圆进行测试封装后再进行切割，得到单个成品芯片的技术，其逐渐取代引线键合封装技术，成为封装的主流技术。在影像传感器的封装中，也多采用晶圆级封装技术，如图1所示，如图1所示，为现有传统的影像传感器封装结构，该结构包括影像传感芯片10和保护盖板20，影像传感芯片的第一表面上设置有影像传感区12和焊垫14，保护盖板20设置在影像传感区12上方，用于保护影像传感区，通常的，保护盖板20由玻璃基板22和玻璃基板22上的支撑结构24组成，支撑结构24围成空腔，在支撑结构24键合到影像传感区所在的第一表面后，将影像传感区12罩在空腔中，起到保护影像传感区的作用。在第二表面上设置有贯通至焊垫14的导孔以及与导孔电连接的焊接凸点22，从而，实现与外部的电连接，导孔包括通孔中及通孔侧面的第二表面上的绝缘层16、电连线层18和阻焊层22，焊接凸点22形成在导孔侧面的电连线层18上，从而实现外部与焊垫的电连接。然而，在该结构中，电连线层18设置在阻焊层20和绝缘层16之间，绝缘层16多采用有机材料形成，由于阻焊层20和绝缘层16的热膨胀系数较大，在后续的可靠度测试中会有温度的变化，阻焊层20和绝缘层16膨胀后，电连线层受到挤压，使其容易产生虚接甚至断裂的缺陷。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的第一方面提供了一种影像传感芯片封装结构，以降低影像传感芯片电连线层的缺陷。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种影像传感芯片封装结构，包括:影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫；从第二表面贯通至焊垫的通孔；沿通孔内壁设置并延伸至第二表面的电连线层，所述电连线层与所述焊垫电连接;填充通孔并覆盖电连线层的阻焊层，阻焊层中形成有开口，所述开口底部暴露出所述电连线层；覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫，所述导引焊垫与所述电连线层电连接；位于导引焊垫上的焊接凸点，所述焊接凸点与所述导引焊垫电连接。可选的，所述引导焊垫的形状为圆形。可选的，还包括电连线之下通孔侧壁以及第二表面上的钝化层。可选的，所述阻焊层的材质为阻焊感光油墨。可选的，还包括:遮光层，位于第二表面上且覆盖所述影像传感区。可选的，还包括:与所述影像传感器芯片对位压合的保护盖板，所述保护盖板对位压合至所述影像传感芯片的第一表面。可选的，所述保护盖板为光学玻璃，光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。此外，本专利技术还提供了一种影像传感芯片的封装方法，包括:提供晶圆，具有多颗阵列排布的影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，影像传感芯片具有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫，所述影像传感区以及焊垫位于第一表面；提供保护盖板，并将其与所述晶圆对位压合；从第二表面形成贯通至焊垫的通孔；在通孔内壁及第二表面上形成电连线层；形成阻焊层，阻焊层中形成有开口，所述开口底部暴露所述电连线层；在开口中形成导引焊垫，所述导引焊垫与所述电连线层电连接；在导引焊垫上形成焊接凸点。可选的，形成阻焊层至形成焊接凸点的步骤包括:形成阻焊层，以填充通孔并覆盖电连线层；在阻焊层中形成开口，开口暴露第二表面上的电连线层；在开口内壁及开口外的阻焊层上形成导引焊垫； 在导引焊垫上形成焊接凸点。可选的，在形成通孔之后、电连线层之前，还包括:在通孔侧壁以及第二表面上形成钝化层。可选的，形成所述钝化层的步骤包括:沉积钝化层；刻蚀去除通孔底部的钝化层。可选的，在形成通孔之前，还包括:在第二表面对应影像传感区的位置形成遮光层。可选的，所述保护盖板为光学玻璃，光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。本专利技术实施例提供的影像传感芯片封装结构及其封装方法，不直接将焊接凸点设置于电连线层上，而是在焊接凸点下表面与电连线层之间形成有导引焊垫，避免在后续焊接凸点工艺以及其他测试中，对电连线层的热冲击，对电连线层起到保护的作用，防止电连线层产生虚接甚至断裂的缺陷。此外，导引焊垫形成在阻焊层的开口内壁和开口底部及开口外的阻焊层表面上，仅开口底部的导引焊垫与电连线层连接，而焊接凸点通过导引焊垫与电连线层电连接，这样，导引焊垫与焊接凸点匹配，在与焊接凸点的连接处，电连线层无需设置与焊接凸点匹配的端部，使得电连线层可以更密集的设置，大大提高器件的集成度，实现器件进一步的小型化。进一步的，电连线层下设置钝化层，来作为电连线层的绝缘层，钝化层具有小的膨胀系数，使得电连线层由于热膨胀受到的挤压力大大减小，进一步降低影像传感芯片电连线层的缺陷。【附图说明】图1示出了现有技术的影像传感芯片封装结构的剖面结构示意图；图2示出了根据本专利技术一实施例的影像传感芯片封装结构的剖面结构示意图；图3示出了根据本专利技术另一实施例的影像传感芯片封装结构的剖面结构示意图；图4A至图14示出了本专利技术实施例的影像传感芯片的封装方法中所形成的中间结构的结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。另夕卜，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像传感芯片封装结构，其特征在于，包括：影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫；从第二表面贯通至焊垫的通孔；沿通孔内壁设置并延伸至第二表面的电连线层，所述电连线层与所述焊垫电连接；填充通孔并覆盖电连线层的阻焊层，阻焊层中形成有开口，所述开口底部暴露出所述电连线层；覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫，所述导引焊垫与所述电连线层电连接；位于导引焊垫上的焊接凸点，所述焊接凸点与所述导引焊垫电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王之奇，王卓伟，谢国梁，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32