基于像素传感芯片的强子束流监控装置及方法制造方法及图纸

基于像素传感芯片的强子束流监控装置，包括一个垂直支架和两套独立的二维监控装置，两套二维监控装置固定在垂直支架的两垂向板上；每套二维监控装置均由硅像素芯片、芯片bonding电路板、阳极板、阴极板组成。装置的监控方法为：强子束流穿过硅像素芯片上方的气体，使气体电离产生电子簇，电子簇在硅像素芯片上方的电场的作用下漂移，由硅像素芯片上相应的像素收集；根据硅像素芯片上像素的响应，得到强子束流在硅像素芯片所在平面的二维信息；通过使强子束流依次从两套二维监控装置上相互垂直的硅像素芯片上方穿过，重建强子束流的三维分布。本发明专利技术实时监控强子束流的三维分布信息，具有束流非拦截性、抗辐射性和高的位置分辨率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于像素传感芯片的强子束流监控装置，其特征在于，包括一个垂直支架(1)和两套独立的二维监控装置(2)，垂直支架(1)由两垂向板固接而成，两套二维监控装置(2)分别固定在垂直支架(1)的两垂向板上；每套二维监控装置(2)均由硅像素芯片(3)、芯片bonding电路板(4)、阳极板(5)、阴极板(6)组成，所述阳极板(5)与阴极板(6)之间由氧化铝陶瓷结构(7)分隔、并通过第一圆柱头螺栓(8)固定连接；所述芯片bonding电路板(4)通过环氧树脂胶固定在阳极板(5)上，阳极板(5)接地；所述硅像素芯片(3)固定安装在芯片bonding电路板(4)上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙向明，许怒，黄光明，王珍，
申请(专利权)人：华中师范大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42