半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件，该发光器件包括：发光二极管(LED)芯片，其具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。多个电极设置在第一主表面上。波长转换膜设置在第二主表面上。标记形成在波长转换膜中。标记含有发光器件的取向信息，从而使得发光器件能够在接收衬底上合适地取向。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求于2014年1月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2014-0004205的优先权，该申请的公开以引用方式并入本文中。
本公开涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
半导体发光二极管（LED)是一种将电能转换为光能的半导体器件，并包括发射具 有基于能带隙的特定波长的光的化合物半导体材料。与基于灯丝的光源相比，半导体LED 具有诸如长寿命、低功耗、优秀的初始驱动特征等的各种优点，因此对半导体LED的需求持 续增加。半导体LED的用途已延伸至各种
中的从用于液晶显示器（LCD)的背光单 元（BLU)到通用照明装置的各种装置。 半导体LED芯片包括具有不同极性（正（+)和负（-)极性）的电极，因此，在工作 中需要准确地确定芯片的方向。例如，在安装器件的过程中，在准确确定芯片的方向时的失 误可导致有缺陷的电极连接。
技术实现思路
本公开的一方面可提供能够识别半导体发光二极管（LED)芯片的方向的半导体 发光器件。 本公开的一方面是一种发光器件，该发光器件包括：发光二极管（LED)芯片，其具 有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延 伸的一个或多个侧表面。多个电极设置在第一主表面上。波长转换膜设置在第二主表面上。 标记形成在波长转换膜中。标记含有发光器件的取向信息，从而使得发光器件能够在接收 衬底上合适地取向。 在发光器件的特定实施例中，标记可为形成在波长转换膜的周边部分中的孔。孔 可填充有标记材料。标记材料可为反射性材料。标记材料与波长转换膜的颜色可不同。 在发光器件的特定实施例中，标记可包括有色标记材料。 在发光器件的特定实施例中，标记可包括油墨。 在发光器件的特定实施例中，波长转换膜可包括磷光体膜。 在特定实施例中，发光器件还可包括包围LED芯片的一个或多个侧表面的反射结 构。反射结构可具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，并且LED芯片的第一 主表面和反射结构的第一主表面基本共面。反射结构可具有沿着第一方向延伸的第一主表 面和相对的第二主表面以及沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向在反射结构的第一 主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个外侧表面。波长转换膜可具有沿着所述第一方 向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着所述第二方向在波长转换膜的第一主 表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射结构的外侧表面和波长转换膜的侧 表面可沿着所述第二方向基本对齐。反射结构可具有沿着第一方向延伸的第一主表面和相 对的第二主表面以及沿着基本垂直于第一方向的第二方向在反射结构的第一主表面与第 二主表面之间延伸的开口，其中，所述开口包围LED芯片。 在特定实施例中，发光器件还可包括形成在波长转换膜的周边部分中的至少一个 额外标记。 在发光器件的特定实施例中，标记可位于波长转换膜的周边部分中。 在本公开的另一方面，提供了一种制造发光器件的方法，该方法包括步骤：形成波 长转换膜以及在波长转换膜中形成多个标记。在形成标记之后将多个LED芯片附着至波长 转换膜。每个LED芯片具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。LED芯片的第一 主表面附着至波长转换膜，各LED芯片彼此分隔开，并且LED芯片相对于至少一个标记布置 于波长转换膜上。在附着LED芯片之后，将波长转换膜固化，并且执行单分（singulation) 处理以形成多个单独的LED器件。 在特定实施例中，制造发光器件的方法还可包括步骤：将反射性材料沉积在间隔 开的LED芯片之间，以形成包围每个LED芯片的反射结构。每个LED芯片可相对于对应的 标记布置于波长转换膜上。标记可包括有色标记材料。 在特定实施例中，制造发光器件的方法还可包括步骤：将磷光体材料沉积在间隔 开的LED芯片之间，以形成包围每个LED芯片的磷光体层。 在制造发光器件的方法的特定实施例中，在波长转换膜中形成多个标记的步骤可 包括在波长转换膜中形成多个孔。 在特定实施例中，制造发光器件的方法还可包括步骤：用标记材料填充所述多个 孔。标记材料可为反射性材料。标记材料可相对于波长转换膜在视觉上可辨识。 在制造发光器件的方法的特定实施例中，标记可包括油墨。可利用印刷处理形成 标记。每个标记可位于单独的发光器件的周边部分中。 在制造发光器件的方法的特定实施例中，波长转换膜可包括磷光体膜。 在制造发光器件的方法的特定实施例中，反射结构可具有第一主表面和与第一主 表面相对的第二主表面，并且LED芯片的第一主表面和反射结构的第一主表面基本共面。 在制造发光器件的方法的特定实施例中，反射结构可具有沿着第一方向延伸的第 一主表面和相对的第二主表面以及沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向在反射结构 的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个外侧表面。波长转换膜可具有沿着所述 第一方向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着所述第二方向在波长转换膜的 第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射结构的外侧表面与波长转换 膜的侧表面可沿着所述第二方向基本对齐。 在本公开的另一方面，一种发光器件包括：发光二极管（LED)芯片，其包括形成在 衬底上的第一导电类型的氮化物半导体基底层和形成在氮化物半导体基底层上的彼此间 隔开的多个纳米发光结构。每个纳米发光结构包括具有第一导电类型的氮化物半导体的纳 米核。有源层设置在纳米核上，并且第二导电类型的氮化物半导体层设置在有源层上。标 记形成在发光器件的周边部分中。 在特定实施例中，发光器件还可包括设置在所述多个纳米发光结构的第二导电类 型的氮化物半导体层上的接触电极。所述发光器件还可包括与氮化物半导体基底层接触的 第一电极和与接触电极接触的第二电极。发光器件还可包括设置在接触电极上的绝缘层。 在发光器件的特定实施例中，标记可为形成在发光器件的周边部分中的孔。孔可 填充有标记材料。标记材料可为反射性材料。 在发光器件的特定实施例中，标记可包括有色标记材料。 在发光器件的特定实施例中，标记可包括油墨。 在特定实施例中，发光器件还可包括形成在纳米核与有源层之间的电流阻挡层。 电流阻挡层可包括未掺杂的氮化物或掺杂有杂质的氮化物，所述杂质的导电类型与纳米核 的导电类型相反。 在特定实施例中，发光器件还可包括形成在发光器件的周边部分中的至少一个额 外标记。 在发光器件的特定实施例中，标记含有取向信息，从而使得发光器件能够相对于 接收衬底合适地取向。 在特定实施例中，发光器件还可包括覆盖在LED芯片上的保护膜。标记可形成在 保护膜中。标记可相对于保护膜在视觉上可辨识。 在本公开的另一方面，一种制造发光器件的方法包括步骤：形成波长转换膜和在 波长转换膜中形成多个标记。将多个LED芯片附着至波长转换膜。每个LED芯片具有第一 主表面和与第一主表面相对的第二主表面。LED芯片的第一主表面附着至波长转换膜，并且 各LED芯片彼此分隔开。执行单分处理以形成多个单独的LED器件。 在特定实施例中，制造发光器件的方法还可包括步骤：将反射性材料沉积在间隔 开的LED芯片之间，以形成包围每个LED芯片的反射结构。反射结构可具有第一主表面和 与第一主表面相对的第二主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光二极管芯片，其具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面；多个电极，其设置在所述第一主表面上；波长转换膜，其设置在所述第二主表面上，其中，标记形成在所述波长转换膜中，并且所述标记含有所述发光器件的取向信息，从而使得所述发光器件能够在接收衬底上合适地取向。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金兑圭，郑泰午，赵萤哲，韩旻洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR