【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减小3D NAND非易失性存储器中的弱擦除型读取干扰
本专利技术涉及用于在3D非易失性存储器装置中读取存储器单元的技术。
技术介绍
最近,已经提出了使用有时被称为位成本可扩展(BiCS)架构的3D堆叠式存储器结构的超高密度存储装置。例如,可以由交替的导电层和介电层的阵列来形成3D NAND堆叠式存储器装置。在这些层中钻存储器洞以同时限定许多存储器层。然后,通过用适当的材料填充存储器洞来形成NAND串。直NAND串在一个存储器洞中延伸,而管形NAND串或U形NAND串(P-BiCS)包括在两个存储器洞中延伸并且通过底部背栅极结合的一对存储器单元垂直列。通过导电层来设置存储器单元的控制栅极。 【附图说明】 不同附图中,被相似地标记的元件是指共同的部件。 图1A是3D堆叠式非易失性存储器装置的立体图。 图1B是图1A的3D堆叠式非易失性存储器装置100的功能框图。 图1C描绘了图1A的包括U形NAND串的块BLKO的实施方式,其中与公共位线相关联的一组U形NAND串被突出显示。 图1D描绘了图1C的实施方式,其中U形NAND串的子块被突出显示。 图1E描绘了图1A的块BLKO的实施方式,其中与公共位线相关联的一组直NAND串被突出显示。 图1F描绘了图1E的实施方式,其中直NAND串的子块被突出显示。 图2A描绘了与图1C 一致的具有U形NAND串的3D非易失性存储器装置的字线层的俯视图,示出了字线层部分和相关联的驱动器。 图2B描绘了图2A的3D非易失性存储器装置的选择栅极层的俯视图,示出了漏极侧选择栅极线、源极侧选 ...
【技术保护点】
一种用于在包括多个层级的存储器单元的3D堆叠式非易失性存储器装置中进行读取操作的方法,所述读取操作针对处于所述多个层级中的选中的层级中的选中的存储器单元来进行,所述方法包括:针对处于所述多个层级中的未选中的层级中的存储器单元,将通过电压(Vcg_unsel)从初始电平(例如,0V)增大到至少第一升高电平(Vread_pass),所述多个层级的存储器单元中的所述存储器单元布置在至少一个选中的存储器单元串和至少一个未选中的存储器单元串中,所述至少一个选中的存储器单元串包括所述选中的存储器单元中的至少一个选中的存储器单元并且包括具有相关联的第一选择栅极(SGD)的漏极端和具有相关联的第二选择栅极(SGS)的源极端,并且,所述至少一个未选中的存储器单元串不包括所述选中的存储器单元中的任何选中的存储器单元并且包括具有相关联的第三选择栅极(SGD)的漏极端和具有相关联的第四选择栅极(SGS)的源极端;在所述增大期间,将所述第一选择栅极设置为处于导电状态;当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时,使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的至少一个选择栅极在不导电状态与所述导电状态之间转变;以及将控 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.02 US 13/364,5181.一种用于在包括多个层级的存储器单元的3D堆叠式非易失性存储器装置中进行读取操作的方法,所述读取操作针对处于所述多个层级中的选中的层级中的选中的存储器单元来进行,所述方法包括: 针对处于所述多个层级中的未选中的层级中的存储器单元,将通过电压(Vcg_unSel)从初始电平(例如,OV)增大到至少第一升高电平(VreacLpass),所述多个层级的存储器单元中的所述存储器单元布置在至少一个选中的存储器单元串和至少一个未选中的存储器单元串中,所述至少一个选中的存储器单元串包括所述选中的存储器单元中的至少一个选中的存储器单元并且包括具有相关联的第一选择栅极(SGD)的漏极端和具有相关联的第二选择栅极(SGS)的源极端,并且,所述至少一个未选中的存储器单元串不包括所述选中的存储器单元中的任何选中的存储器单元并且包括具有相关联的第三选择栅极(SGD)的漏极端和具有相关联的第四选择栅极(SGS)的源极端; 在所述增大期间,将所述第一选择栅极设置为处于导电状态; 当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时,使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的至少一个选择栅极在不导电状态与所述导电状态之间转变;以及 将控制栅极读取电压施加给所述选中的存储器单元,并且感测所述选中的存储器单元中的所述至少一个选中的存储器单元的阈值电压是否高于所述控制栅极读取电压。2.根据权利要求1所述的方法,还包括: 在所述增大期间,将下述电压施加给所述选中的层级,所述电压足够高以使所述选中的存储器单元处于所述导电状态。3.根据权利要求1所述的方法,还包括: 所述转变包括使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极二者在所述不导电状态与所述导电状态之间转变。4.根据权利要求1所述的方法,还包括: 当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时,使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述导电状态转变回所述不导电状态。5.根据权利要求1所述的方法,其中,另一部分在第一部分之后,所述方法还包括: 在(t5)所述通过电压达到所述至少第一升高电平之后,使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述导电状态转变回所述不导电状态。6.根据权利要求5所述的方法,还包括: 在所述使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述导电状态转变回所述不导电状态之后,将所述通过电压(Vcg_unSel)从所述至少第一升高电平(Vread_passl)增大到第二升高电平。7.根据权利要求1所述的方法,还包括: 当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时,经由公共位线将非零电压(VbI)施加给所述至少一个选中的存储器单元串的所述漏极端和所述至少一个未选中的存储器单元串的所述漏极端。8.根据权利要求1所述的方法,其中: 所述使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极在所述不导电状态与所述导电状态之间转变包括:使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述不导电状态转变为所述导电状态;并且 所述方法还包括:当将所述第一选择...
【专利技术属性】
技术研发人员:董颖达,曼·L·木伊,三轮仁志,
申请(专利权)人:桑迪士克技术有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。