一种检测装置，用于对待测物进行检测，检测装置包括：光源组件，用于提供入射光束；光束整形组件，包括用于在特定方向上对所述入射光束进行第一整形的第一光束整形单元，所述第一光束整形单元包括光束调制器以及位于所述光束调制器光路下游的聚焦准直组件...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及多个分立于衬底上的鳍式结构，鳍式结构包括底部鳍部和位于底部鳍部上的牺牲层以及位于牺牲层上的顶部鳍部；在衬底上形成围绕底部鳍部和牺牲层的隔离层，隔离层暴露出顶部鳍部；在隔离层上形...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底上多个分立的沟道凸起结构；栅极结构，位于衬底上且横跨沟道凸起结构；栅极侧墙，位于栅极结构侧壁，且栅极侧墙与沟道凸起结构的顶部和侧壁相接触；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；沟道结构层，悬置于所述基底上方，沿垂直于所述基底表面的方向，所述沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层；栅极结构，位于所述基底上方，所述栅极结构横跨所述沟道结构层且包围所述沟道层，...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部；栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；层间介质层，位于所述栅极结构侧部的衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；沟道结构层，悬置于基底上方，沿垂直于基底表面的方向，沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层；栅极结构，位于基底上方，栅极结构横跨沟道结构层且包围沟道层，栅极结构中位于基底和相邻沟道...

一种半导体结构的形成方法，所述方法在所述栅极沟槽、所述第一通槽和所述第二通槽内依次形成栅介质层和位于所述栅介质层上的功函数层之后，形成保形覆盖所述功函数层的保护层，在后续去除所述第一器件区的遮挡层过程中可以有效防止所述栅介质层的顶部受到...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；沟道结构层，悬置于所述基底上方，沿垂直于所述基底表面的方向，所述沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层，沿所述沟道层的延伸方向，所述沟道层的端部为平面；栅极结构，位于所述基底上方，...

本申请提供一种半导体物料搬运系统，所述系统包括：生产区间，由依次连接的第一主轨道

一种光学邻近校正方法及系统

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括标记区，所述标记区包括硅衬底，所述硅衬底上包括第一介质层；在所述第一介质层和所述硅衬底中形成第一开口；在所述第一开口的部分底部形成第一标记结构，且所述...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；第一介质层，位于基底上；源漏互连层，位于第一介质层中，源漏互连层的顶部高于第一介质层的顶部；粘附阻挡层，位于源漏互连层侧壁和第一介质层之间

本申请提供一种离子注入方法，采用离子注入机在晶圆中注入砷离子，并用于降低所述晶圆的金属污染含量，包括：通过所述离子注入机的离子源产生砷离子束，所述砷离子束包括多种不同质荷比的掺杂离子，所述不同质荷比的掺杂离子在磁场运动中的轨迹不同；采用...

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括一个或多个自下而上依次堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括占位层和位于占位层上的沟道层，基底上还形成有伪栅结构，伪栅结构横跨叠层结构

一种光学邻近修正方法及系统

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层，第一衬底和第一介质层中形成有焊盘槽和位于所述焊盘槽内的焊盘结构，沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述焊盘槽贯穿所述第一衬底并...

一种测试结构及其形成方法，测试结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，沿第一方向包括测试区

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层，所述第一衬底中形成有呈阵列排布的多个硅通孔结构，沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述硅通孔结构贯穿所述第一衬底且延伸至部分厚...

一种半导体结构及其形成方法，所述方法在对栅介质层执行沉积后退火处理之前，形成保形覆盖所述栅介质层的保护层，以在后续对所述栅介质层执行沉积后退火处理的过程中提高所述栅介质层的结晶温度，从而可以在后续对所述栅介质层执行沉积后退火处理的过程中...

一种半导体互连可靠性结构及其形成方法，半导体互连可靠性结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，沿第一方向包括非引线区