本申请提供一种寄生参数抽取包检测系统及方法，所述方法包括：通过数据获取模块向

本申请提供一种三轨天车轨道及其设计方法，所述方法包括：提供一种三轨天车轨道；设置参考点，以所述参考点为圆心建立坐标系，定义所述三轨天车轨道中任意分叉点的坐标为

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在开口中形成第一源漏插塞，第一源漏插塞露出第一纵向保护层的部分侧壁，且第一源漏插塞与源漏掺杂层电连接；去除第一源漏插塞露出的第一纵向保护层

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构以及伪栅结构，叠层结构包括一个或多个自下而上依次堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括占位层和位于占位层上的沟道层，伪栅结构横跨叠层结构

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括器件区；晶体管结构，位于所述器件区中，包括位于基底上的栅极结构

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底上形成有介电层；第一金属层，位于所述介电层中，所述第一金属层包括沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的金属线层

一种测试结构及测试方法，方法包括：提供测试结构，测试结构包括基底

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；线圈结构，位于所述基底上，所述线圈结构包括沿纵向堆叠的多个线圈层，多个所述线圈层相互电连接，每个所述线圈层均包括多个同心环绕的线圈，且每个所述线圈层的线圈与沿纵向相邻的线圈正对设置；沟槽...

一种

本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一外延区和第二外延区以及覆盖所述半导体衬底

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括器件区以及位于相邻器件区之间的隔断区，器件区的基底顶部凸立有沟道凸起部，沟道凸起部露出的基底上形成有隔离材料层，隔离材料层覆盖沟道凸起部的侧壁；在隔断区的隔离材料层中形成与沟道凸起部的...

一种半导体结构的形成方法，包括：以硬掩膜层为掩膜，刻蚀第二介质复合层、第二晶圆和第一介质复合层，直到暴露出焊垫层，在第二介质复合层、第二晶圆和第一介质复合层内形成通孔，硬掩膜层的第二区侧壁在刻蚀过程中被刻蚀，以使第一开口形成第二开口，第...

一种光学邻近校正方法及系统

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在基底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一电极层；在第一电极层上形成第一电极绝缘层；在第一电极绝缘层上形成第二电极层，覆盖位于第一区域的第一电极绝缘层且暴露出第二区域；在第二电极层和第二区域上形...

一种光电传感器及其形成方法

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一介质层上形成第二电极层，第二电极层覆盖位于第一区域的第一介质层；在第二电极层和第二区域上形成第二介质层；在第二介质层上形成第三电极层，在平行于基底的投影面上，第三电极层与第一区域

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，沿基底表面法线方向上，第一器件区和第二器件区的基底顶部悬置有沟道结构层，沟道结构层包括一个或多个在纵向上间隔设置的沟道层；在沟道层的部分顶部

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；介质层，位于所述基底上，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的开口，所述开口包括第一开口和第二开口，沿平行于所述基底顶面的方向，所述第一开口和第二开口位于所述介质层的不同位置处；生长层，位于...

一种测试结构及其形成方法，测试结构包括：介质层，位于基底上；测试互连结构，位于介质层中，包括金属层以及连接相邻金属层的第一通孔互连结构，金属层包括第一测试金属层以及位于其上方的第二测试金属层，按照电流流向，第一测试金属层和第二测试金属层...

一种版图的拆分方法及系统