半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一介质层上形成第二电极层，第二电极层覆盖位于第一区域的第一介质层；在第二电极层和第二区域上形成第二介质层；在第二介质层上形成第三电极层，在平行于基底的投影面上，第三电极层与第一区域

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]半导体集成电路
(IC)
行业经历了快速增长
。
集成电路行业在材料和设计方面的技术进步已经产生了一代又一代的集成电路
。
每一代都有比前一代更小且更复杂的电路
。
但是，这些进步增加了加工和制造集成电路的复杂性，为了实现这些进步，在集成电路加工和制造方面也需要有类似的发展
。
在集成电路的发展过程中，功能密度
(
即每个芯片面积上的互连器件数量
)
逐渐提高，而几何尺寸
(
即使用制造工艺可以制造的最小元件
)
却在逐步减小
。
[0003]一种类型的电容器是金属
‑
绝缘体
‑
金属
(Metal Insulator Metal
，
MIM)
电容器，通常用于混合信号器件和逻辑器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；第一电极层，位于所述基底上，所述第一电极层包括第一区域以及第二区域；第一介质层，位于所述第一电极层的顶部和侧壁上；第二电极层，覆盖位于所述第一区域的第一介质层；第二介质层，位于所述第二电极层和第二区域上；第三电极层，位于所述第二介质层上，在平行于所述基底的投影面上，所述第三电极层与所述第一区域
、
以及第二区域均具有重叠区域；第一电连接结构组，包括：第一电连接结构，与所述第二电极层相接触；第二电连接结构，位于所述第二区域且与所述第三电极层和第一电极层相接触；或者，第二电连接结构组，包括：第三电连接结构，与所述第一电极层相接触；第四电连接结构，与所述第二电极层和第三电极层相接触
。2.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极层暴露出所述第二区域，且所述第二电极层包括用于电性连接的连接区；所述第三电极层暴露出所述连接区；所述第一电连接结构，位于所述连接区上且与所述第二电极层相接触；所述第二电连接结构，贯穿位于所述第二区域的第一介质层
、
第二介质层和所述第三电极层，且与所述第一电极层相接触，所述第二电连接结构电连接所述第一电极层和第三电极层
。3.
如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：一层或多层的第四电极层，位于所述第三电极层上，且在沿平行于所述基底的投影面上，奇数层的第四电极层覆盖所述第一区域和所述连接区，且暴露出所述第二区域，偶数层的第四电极层与所述第一区域
、
以及第二区域均具有重叠区域；第四介质层，位于所述第四电极层与所述第三电极层之间
、
以及相邻的第四电极层之间；所述第一电连接结构贯穿位于所述连接区的奇数层第四电极层且与所述第二电极层相接触，所述第一电连接结构电连接所述第二电极层以及奇数层的第四电极层；所述第二电连接结构贯穿位于所述第二区域的偶数层的第四电极层且与所述第一电极层相接触，所述第二电连接结构电连接所述第一电极层与所述偶数层的第四电极层
。4.
如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述连接区的所述第二电极层覆盖位于所述基底上的所述第一介质层；所述第一电连接结构贯穿所述位于连接区的第二电极层；所述第二电连接结构贯穿位于所述第二区域的所述第一电极层
。5.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层还包括用于电性连接的第三区域；所述第二电极层包括用于电性连接的连接区；所述第三电极层覆盖所述连接区且暴露出所述第三区域；所述第三电连接结构，位于所述第三区域上且与所述第一电极层相接触；所述第四电连接结构，贯穿位于所述连接区的所述第二介质层和第三电极层，且与所述第二电极层相接触，所述第四电连接结构电连接所述第二电极层和第三电极层
。6.
如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第五介质层，位于所述第三电极层上；第五电极层，位于所述第五介质层上，且在平行于基底的投影面上，所述第五电极层覆盖所述第三区域；
所述第三电连接结构贯穿位于所述第三区域的所述第五电极层且与所述第一电极层相接触
。7.
如权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电连接结构贯穿位于所述第三区域的所述第一电极层；所述第四电连接结构贯穿位于所述连接区的所述第二电极层
。8.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：刻蚀停止层，位于所述基底与所述第一电极层之间
、
以及所述基底与所述第一介质层之间
。9.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料包括
HfO2、HfSiO、TiO2、HfZrO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、Ta2O5、ZrO2、ZrSiO2、Al2O3、SrTiO3、BaSrTiO
和
SiN
中的任意一种或多种；所述第二介质层的材料包括
HfO2、HfSiO、TiO2、HfZrO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、Ta2O5、ZrO2、ZrSiO2、Al2O3、SrTiO3、BaSrTiO
和
SiN
中的任意一种或多种；所述第一电极层的材料包括
W、Cu、Co、TiN、Ti、Ta、TaN、Ru、RuN
和
AL
中的一种或多种；所述第二电极层的材料包括
W、Cu、Co、TiN、Ti、Ta、TaN、Ru、RuN
和
AL
中的一种或多种；所述第三电极层的材料包括
W、Cu、Co、TiN、Ti、Ta、TaN、Ru、RuN
和
AL
中的一种或多种
。10.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电连接结构的材料包括
W、Cu、Co、TiN、Ti、Ta、TaN、Ru、RuN
和
Al
中的一种或多种；所述第二电连接结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：