串联式二极管封装组件制造技术

本发明专利技术提供一种串联式二极管封装组件，其包含多个承载框架

【技术实现步骤摘要】
串联式二极管封装组件


[0001]本专利技术涉及一种二极管封装组件，尤其涉及一种串联式二极管封装组件
。

技术介绍

[0002]在电子电路中，经常会使用二极管组件来执行整流
、
稳压以及回路保护
。
若要应用于高压的电路，可在电路中串联多个二极管组件
。

技术实现思路

[0003]专利技术人认为，现有技术在电路中串联多个二极管的方式增加电路的复杂度而不利于自动化的制程
。
[0004]有鉴于现有技术的缺失，专利技术人遂竭其心力提出一种串联式二极管封装组件，以应用于高压的电路，从而使所应用的电路精简而利于自动化的制程
。
[0005]为达上揭及其他目的，本专利技术提供一种串联式二极管封装组件，其包含多个承载框架
、
多个二极管芯片及多个跨接框架
。
各该承载框架具有芯片设置部或跨接部，或具有芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部
。
各等二极管芯片设于各该芯片设置部上
。
各该跨接框架跨接于两个相邻的承载框架之间，各该跨接框架的两端分别连接于各该二极管芯片及各该跨接部，以形成串联结构
。
[0006]在实施例中，等承载框架可包括入口框架
、
出口框架及排列于该入口框架于该出口框架之间的至少一个中间框架
。
[0007]在实施例中，该入口框架仅具有该芯片设置部，该出口框架仅具有该跨接部，该至少一个中间框架可具有该芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部
。
[0008]在实施例中，该至少一个中间框架可呈
L
形且彼此互补地排列于该入口框架与该出口框架之间
。
[0009]在实施例中，彼此互补地排列的所述承载框架可具有至少一个转折处
。
[0010]在实施例中，该串联式二极管封装组件可还包含封装体
。
该封装体覆盖所述承载框架
、
所述二极管芯片及所述跨接框架以形成封装结构
。
[0011]在实施例中，各该承载框架可设有突出于该封装体的引脚
。
[0012]在实施例中，所述跨接框架可彼此平行设置
。
[0013]在实施例中，该二极管芯片可包含以硅
(Si)
为基底的萧特基二极管
、
碳化硅
(SiC)
萧特基二极管
、
氮化镓
(GaN)
二极管
、
砷化镓
(GaAs)
二极管
、
快恢复型二极管或一般
PN
接面二极管
。
[0014]借此，本专利技术的串联式二极管封装组件，通过所述承载框架及所述跨接框架将多个二极管芯片加以串联，而可应用于高压电路中，从而使所应用的电路精简而利于自动化的制程
。
附图说明
[0015]图1是本专利技术具体实施例的串联式二极管封装组件的俯视透视示意图；
[0016]图2是对应图1的入口框架
、
中间框架
、
二极管芯片及跨接框架进行跨接的剖视示意图；
[0017]图3是对应图1的两个中间框架
、
二极管芯片及跨接框架进行跨接的剖视示意图；
[0018]图4是对应图1的出口框架
、
中间框架
、
二极管芯片及跨接框架进行跨接的剖视示意图；
[0019]图5是对应图1的俯视示意图；
[0020]图6是对应图1的仰视示意图
。
[0021]【
符号说明
】
[0022]100 串联式二极管封装组件
[0023]101 承载框架
[0024]102 二极管芯片
[0025]103 跨接框架
[0026]104 芯片设置部
[0027]105 跨接部
[0028]106 入口框架
[0029]107 出口框架
[0030]108 中间框架
[0031]109 封装体
[0032]110 引脚
具体实施方式
[0033]为充分了解本专利技术的目的
、
特征及效果，现通过下述具体的实施例，并配合附图，对本专利技术做进一步详细说明，说明如下：
[0034]请参考图1至图4，如图1所示，本专利技术的实施例提供一种串联式二极管封装组件
100
，其包含可导电的多个承载框架
101、
多个二极管芯片
102
及可导电的多个跨接框架
103。
各该承载框架
101
具有芯片设置部
104
或跨接部
105
，或具有芯片设置部
104
及弯折于该芯片设置部
104
的跨接部
105。
各该二极管芯片
102
设于各该芯片设置部
104
上
。
各该跨接框架
103
跨接于两个相邻的承载框架
101
之间
。
各该跨接框架
103
的两端分别连接于各该二极管芯片
102
及各该跨接部
105
，以形成串联结构
。
该二极管芯片
102
包含以硅
(Si)
为基底的萧特基二极管
、
碳化硅
(SiC)
萧特基二极管
、
氮化镓
(GaN)
二极管
、
砷化镓
(GaAs)
二极管
、
快恢复型二极管
、
一般
PN
接面二极管
。
但并不仅限于此，也可为其他种类的二极管芯片
。
[0035]借此，本专利技术的实施例的串联式二极管封装组件
100
，通过所述承载框架
101
及所述跨接框架
103
将多个二极管芯片
102
加以串联，而可应用于高压电路
(
图中未示
)
中，从而使所应用的电路精简而利于自动化的制程
。
[0036]如图1至图4所示，在实施例中，等承载框架
101
可包括入口框架
106、
出口框架
107
及排列于该入口框架
106
于该出口框架
107
之间的至少一个中间框架
108。
该入口框架
106
仅具有该芯片设置部
104
，该出口框架
107
仅具有该跨接部
105。
该至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种串联式二极管封装组件，其特征在于，包含：多个承载框架，各该承载框架具有芯片设置部或跨接部，或具有芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部；多个二极管芯片，各该二极管芯片设于各该芯片设置部上；以及多个跨接框架，各该跨接框架跨接于两个相邻的承载框架之间，各该跨接框架的两端分别连接于各该二极管芯片及各该跨接部，以形成串联结构
。2.
根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，所述承载框架包括入口框架
、
出口框架及排列于该入口框架于该出口框架之间的至少一个中间框架
。3.
根据权利要求2所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该入口框架仅具有该芯片设置部，该出口框架仅具有该跨接部，该至少一个中间框架具有该芯片设置部及弯折于该芯片设置部的该跨接部
。4.
根据权利要求3所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该至少一个中间框架呈
L
形且彼此互补地排列于该入口框架与该出口框架之间
。5.
根据权利要求4所述的串联式二极管封装组件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖皇順，
申请(专利权)人：力勤股份有限公司，
类型：发明
国别省市：