温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一介质层上形成第二电极层，第二电极层覆盖位于第一区域的第一介质层；在第二电极层和第二区域上形成第二介质层；在第二介质层上形成第三电极层，在平行于基底的投影面上，第三电极层与第一区域
...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。