中国工程物理研究院电子工程研究所专利技术

中国工程物理研究院电子工程研究所共有906项专利

  • 本发明涉及微电子机械系统技术领域,公开了一种高冲击石英微开关。包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中,中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层。中间基板包括中间边框、第一质量块和第一悬臂梁。中间电极层包括...
  • 本发明涉及微电子机械系统技术领域,公开了一种一体式高冲击石英微开关。基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体,石英微开关主体包括基座、悬臂梁、质量块、下极板、下极板悬臂梁和下极板质量块。质量块通过悬臂梁连接至基座的上端,下极板连接至基座的...
  • 本发明涉及微电子机械系统技术领域,公开了一种一体式高冲击石英微开关。基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体,石英微开关主体包括基座、悬臂梁、质量块、下极板、下极板悬臂梁和下极板质量块。质量块通过悬臂梁连接至基座的上端,下极板连接至基座的...
  • 本发明公开了一种适用于无人机自组网的波束宽度可调的邻居发现方法,所述方法首先,将扫描波束宽度调到较宽波束状态,使用随机扫描算法对节点的邻居进行粗略的扫描,获取节点的邻居信息;然后根据宽波束扫描的结果生成窄波束扫描的概率分布;最后将波束调...
  • 本发明公开了一种谐振式硅微加速度计,涉及微机电系统技术领域,包括下层的衬底硅和上层的机械结构,所述衬底硅上带有左锚点和右锚点,上层的所述机械结构锚定于所述左锚点和右锚点上;所述机械结构包括两个沿X轴对称的左音叉梁谐振器和右音叉梁谐振器,...
  • 本发明公开了一种全硅基双面集成结构,该结构包括:位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板;其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联,下表面均与硅转接板上表面通过微凸点实现机械...
  • 本发明公开了一种强场微波毫米波模式测量装置及方法,该装置在用于屏蔽的密闭箱体侧面上设置传输波导,箱体内与传输波导相对应设置有热敏靶,热敏靶一侧设置有热像仪,利用热像仪拍摄记录热敏靶发热形成的温度场分布,通过变化的温度场分布则由计算可得到...
  • 本发明涉及电子技术领域,具体公开了一种运算放大器抗总剂量效应能力的无损筛选方法,获取需要进行筛选的运算放大器的输入偏置电流I
  • 本发明公开了一种基于3D视觉的高反光零件定位检测方法,首先.利用双目立体工业相机对检测区域进行拍摄,对得到的包含高反光零件的点云图像信息进行预处理,分离背景;然后对分离后的高反光零件点云图像信息进行修正,得到高反光零件在相机坐标系下的位...
  • 本发明公开了一种硅基芯片电离辐照敏感位置的识别方法,涉及电离辐照效应评估领域,获取硅基芯片所配置的晶体管的编号分类信息;设定辐射源进行电离辐射的总剂量和中间辐照测试取样的剂量点;利用微纳探针对未进行电离辐射的晶体管进行电学测试,得到由编...
  • 本发明公开了基于密集连接残差网络的多光谱图像去马赛克结构及方法,该结构包括顺序连接的浅层特征提取模块、多层次特征融合模块和图像重建模块。本发明采用端到端的方法直接对多光谱马赛克图像进行去马赛克处理,无需事先进行图像插值等预处理,能够有效...
  • 本发明公开了一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法,向光致发光薄膜注入非金属离子,后在气氛氛围中进行退火处理;所述非金属离子包括硼、氟、磷、氩以及砷中的至少一种;所述非金属离子的注入剂量为1
  • 本发明公开了一种基于阴离子替代的热电池正极材料及其制备方法,该基于阴离子替代的热电池正极材料包括:正极材料基体以及附着在正极材料基体表面的界面修饰层;界面修饰层通过将正极材料表面层中的部分阴离子替代为不同种类的阴离子后制得。本发明通过将...
  • 本发明公开了一种对接式光学组件同轴度保持精密自动装配夹具,包括壳体、对接机构和同轴度保持机构;对接机构包括竖直设置在壳体内的运动丝杠和丝杠滑轨,运动丝杠和丝杠滑轨套设有丝杠滑块,丝杠滑块与丝杠滑轨滑动连接,丝杠滑块通过螺纹与运动丝杠转动...
  • 本发明公开了基于硅通孔单晶压电薄膜的微机械声波换能器及制备方法,其中微机械声波换能器包括从上到下依次设置的电极、压电薄膜、基底和底硅,其电极包括两组电极,两组电极分离地位于压电薄膜的上表面;底硅围绕在基底下表面四周,并与基底围成微机械声...
  • 本发明公开了一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及制备方法,所述结构包括顶部TSV转接板和底部TSV转接板;其中顶部TSV转接板上刻蚀形成多个TSV阵列柱,TSV阵列柱之间的间隙形成微流道;底部TSV转接板与顶部TSV转接板通过金属...
  • 本发明公开了一种可大规模集成的微纳声学图像传感器及其控制方法。该微纳声学图像传感器包括多个呈阵列排布的像素传感单元;每个像素传感单元均包括位于顶层的微机械超声换能器、位于底层的像素电路以及连接两者的电极间金属键合层;其中微机械超声换能器...
  • 本发明公开了一种金属锂复合负极及其制备方法和应用。金属锂复合负极包括骨架材料和金属锂,骨架材料为LiC
  • 本发明公开一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置,该MEMS微应力放大表征结构包括外框、用于测量所述外框上的应力的微应力测量结构以及用于测量热形变应力的第一热形变解耦结构;第一热形变解耦结构包括相互交叉设置的第一梳指电极以...
  • 本发明公开了一种高灵敏的声学图像传感器及其制备方法,应用于声学传感技术领域,该声学图像传感器包括:亥姆霍兹型微腔超表面结构、设置于亥姆霍兹型微腔超表面结构下方的微机械超声换能器阵列以及设置于微机械超声换能器阵列下方的集成电路;亥姆霍兹型...