本发明公开了一种环形压电微机械声波换能器阵列结构，涉及换能器技术领域，包括多个换能器单元和多个引线结构；换能器单元排列成多个环形阵元，所有环形阵元绕同一圆心A排布；本发明基于传统的环形压电微机械声波换能器阵列进行改进，将换能器单元排列成...

本发明公开了一种无退火工艺的SiC欧姆接触制备方法，该方法首先对4H

本发明公开了一种压电驱动的氧化锌纳米线谐振器，该谐振器包括衬底以及位于衬底上的固定端、纳米线、质量块和电源端；两个固定端位于衬底上，并且固定支撑两根纳米线，两个质量块连接两根纳米线的两端，与纳米线形成矩形电通路，两个电源端与固定端连接，...

本发明公开了一种新型的平衡式肖特基四倍频结构及其使用方法，该结构包括：能够为电路提供两路幅度相等、相位差为90

本发明公开了一种新型的平衡式肖特基二倍频结构及其使用方法，该结构包括：能够为电路提供两路幅度相等、相位差90

本发明公开了一种碳化硅器件类结横向变掺杂结终端结构及其制备方法，该结构在N

本发明公开了基于TO形式的功率器件封装结构及封装方法，所述封装结构包括框架、芯片、转接板、互连结构、引脚和塑封体；其中框架与芯片背面焊接连接，转接板与芯片正面焊接互连，互连结构两端分别与转接板上表面和引脚焊接互连，塑封体实现封装结构的灌...

本发明公开了一种改善大功率器件封装互连层缺陷的方法，该方法在基板芯片承载区设计了凸台结构，通过焊膏印刷，回流焊实现芯片背面与基板的互连。本发明提供的改善大功率器件封装互连层缺陷的方法，在不改变原有封装结构的基础上，仅通过调整芯片承载基板...

本发明公开了一种热电池阴极材料及其制备方法和应用，热电池阴极材料的组分包括活性材料、熔盐电解质、熔盐流动抑制剂和导电剂。在制备时先取配方量的活性材料、熔盐电解质、熔盐流动抑制剂和导电剂，再采用三维混料、球磨混料、手磨或震动过筛的方式将原...

本实用新型公开了一种脊波导微带双探针装置，包括脊波导和两个微带探针印制板；两个微带探针印制板带有微带探针的一端相互对称的由脊波导的波导侧壁垂直插入脊波导上位于脊背的两侧的腔体中；波导侧壁为脊波导上和脊背相对的侧壁面；其中，脊背包括位于两...

本发明公开了一种热电池用高电压超高温FePO4型单体电池，该单体电池的正极材料包含以下重量百分数的组分：10～75％FePO4、25～90％含锂熔融盐电解质和多孔泡沫金属，单体电池的隔离材料包含以下重量百分数的组分：50％MgO和50％...

本发明公开了一种基于光偏转调制的集成光源及其制备方法，激光芯片的出光口指向待集成芯片，调制片位于待集成芯片与激光芯片之间；激光芯片的激光口表面设置有用于对激光芯片发出激光进行整形的微透镜，调制片表面设置有超结构，超结构至少用于将透过调制...

本发明公开了一种纳米空气沟道电子器件的小型化阵列化制备方法，包括在半导体基底一侧表面设置绝缘层；在绝缘层表面设置图形化的牺牲层，形成制备窗口；在制备窗口内进行纳米微球自组装，得到周期紧密排列的纳米微球单层膜；对纳米微球单层膜进行刻蚀得到...

本发明公开了一种片上集成的超快纳米电子器件，通过将SOI衬底划分出高电流超快器件区域、低功耗超快器件区域和互连区域，在对电流要求较高的区域设置立体型纳米空气沟道电子管，在对电流要求较低的区域，通过平面型纳米空气沟道电子管便于连接的特点将...

本发明公开了一种高电流立体型纳米空气沟道电子管，包括：半导体基底；位于半导体基底一侧表面的功能层；半导体基底与功能层之间存在二维电子气；位于功能层背向半导体基底一侧表面的顶电极；多个沿垂直方向从顶电极延伸至半导体基底的纳米空气沟道；多个...

本申请公开了一种基于原子缺陷单光子发射的量子物理不可克隆函数，包括宽禁带半导体薄膜，宽禁带半导体薄膜中随机分布有不同种类的原子缺陷，且宽禁带半导体薄膜为晶体结构；其中，原子缺陷受到激发光的照射时产生单光子，不同种类的原子缺陷发光不同，同...

本申请公开了真随机数生成方法、装置、设备、介质及系统，包括获取散斑图；散斑图由随机编码后光束经过光学物理不可克隆函数器件发生相干多重散射而产生的散射光得到；根据散斑图的灰度信息将散斑图转换为第一数列；根据安全散列算法的输入数列长度，将第...

本发明公开了一种柔性可拉伸光学随机数生成器，入射激光在照射至光学随机数生成器表面3D微纳结构以及随机嵌入的纳米粒子时，会发生复杂的相干多重散射，从而使得外界激光经过柔性可拉伸光学随机数生成器所形成的散射光斑的复杂度极大的增加，有效提高随...

本发明公开了一种钛材的表面处理方法及高温贮氢钛材，涉及表面处理技术领域。发明人创造性地采用无机强酸和氟化物的配合对钛材进行酸洗，发现经过酸洗之后钛材的100℃以上的高温贮氢性能非常优异，具有非常好的工业应用价值，有利于进一步扩宽钛材的应...

本发明公开了一种半导体器件建模方法、系统及电子设备，该方法包括如下步骤：(1)生成半导体器件结构模型；(2)交流非稳态条件下计算半导体器件电学参数；(3)计算半导体器件量子散射参数；(4)获取蒙特卡洛仿真环境；(5)单粒子蒙特卡洛仿真；...