一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法，向光致发光薄膜注入非金属离子，后在气氛氛围中进行退火处理；所述非金属离子包括硼、氟、磷、氩以及砷中的至少一种；所述非金属离子的注入剂量为1

【技术实现步骤摘要】
一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法


[0001]本专利技术涉及光电集成发光材料领域，具体涉及一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法。

技术介绍

[0002]集成微电子器件与光电子器件的光电子集成技术日益成熟，有望接替微电子技术成为未来信息产业的基石。硅基光电子集成的核心目的是将包括光源、光探测器、光波导、光调制器等光学组件集成在微电子芯片上，用光互连代替金属互连，突破金属互连的物理极限，提供效率更高的数据传送能力，显著降低系统功耗，解决由于发热限制集成度提高的问题。然而，硅是间接带隙半导体，电子不能直接从导带底跃迁到价带顶发出光子，只能通过发射或吸收一个声子，间接跃迁到价带顶，这种间接跃迁的几率非常小，所以硅的发光效率很低。研究人员一直在寻找高效的发光硅基材料，研究了许多不同的方法和方案来实现硅基高效发光，但至今都没有研制成功可应用的硅基高效发光器件。
[0003]集成微电子器件中SiO2薄膜作为介质膜或掩蔽膜等已得到广泛应用，因此SiO2薄膜有可能成为一种有效的发光材料。目前有些技术制备的SiO2薄膜发光不稳定，室温下易发生猝灭现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法，其特征在于，向光致发光薄膜注入非金属离子，后在气氛氛围中进行退火处理；所述非金属离子包括硼、氟、磷、氩以及砷中的至少一种；所述非金属离子的注入剂量为1
×
10
11
cm
‑2～1
×
10
16
cm
‑2，注入能量强度为5keV～200keV。2.根据权利要求1所述的光致发光薄膜离子注入改性的制备方法，其特征在于，所述非金属离子的注入剂量为1
×
10
13
cm
‑2～1
×
10
15
cm
‑2，注入能量强度为5keV～70keV。3.根据权利要求2所述的光致发光薄膜离子注入改性的制备方法，其特征在于，所述非金属离子的注入剂量为1
×
10
14
cm
‑2，注入能量强...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨萍，张光辉，孟德超，刘杨，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：