一种复合薄膜及其制备方法技术

本申请实施例提供一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括衬底基板、第一隔离层、第二隔离层和功能薄膜层，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述功能薄膜层自下而上依次层叠设置于所述衬底基板的表面，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同，所述第二隔离层的直径小于所述第一隔离层的直径。本申请会使得第一隔离层与第二隔离层之间的键合力更强，使衬底基板与功能基板所形成的键合体具有更好的键合效果，进而使得从键合体中剥离形成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种复合薄膜及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]复合薄膜因具有压电、铁电、光电、光弹、热释电、光折变和非线性等性质，因而被广泛应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域中。复合薄膜一般包括功能层、隔离层和衬底层，衬底层用于支撑隔离层和功能层，功能层用于实现电
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声间的转换，隔离层用于隔断功能层和衬底层之间的电气耦合。其中，功能层的材料为铌酸锂和钽酸锂等，由于铌酸锂和钽酸锂具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等优点，使得复合铌酸锂薄膜和复合钽酸锂薄膜等尤其在薄膜体声波器件、滤波器、调制器等领域受到越来越广泛的关注和应用。
[0003]复合铌酸锂薄膜和复合钽酸锂薄膜的制备方法主要有外延生长法、减薄抛光法以及离子注入法等。在外延生长法中，由于由铌酸锂和钽酸锂等材料制成的薄膜层与衬底层材料(如硅、石英等)之间的晶格失配比较大、膨胀系数不一样等原因，很难获得大面积、均匀完整的复合薄膜；采用减薄抛光法则很难获得纳米级厚度的复合薄膜，并且减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜，其特征在于，包括衬底基板(100)、第一隔离层(110)、第二隔离层(230)和功能薄膜层(223)，所述第一隔离层(110)、所述第二隔离层(230)和所述功能薄膜层(223)自下而上依次层叠设置于所述衬底基板(100)的表面，且所述第一隔离层(110)和所述第二隔离层(230)的材质相同，所述第二隔离层(230)的直径小于所述第一隔离层(110)的直径。2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述功能薄膜层(223)的直径和所述第二隔离层(230)的直径相同，且均小于所述第一隔离层(110)的直径。3.根据权利要求2所述的复合薄膜，其特征在于，所述第二隔离层(230)直径与所述第一隔离层(110)直径的差值为5
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6mm。4.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，还包括位于所述衬底基板(100)和所述第一隔离层(110)之间的缺陷层(400)，所述缺陷层(400)用于提供捕获所述衬底基板(100)和所述第一隔离层(110)之间载流子的陷阱。5.根据权利要求1
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4任一项所述的复合薄膜，其特征在于，所述第一隔离层(110)和所述第二隔离层(230)的材质为二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅中的一种。6.一种复合薄膜的制备方法，用于制备如权利要求1
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5任一项所述的复合薄膜，其特征在于，包括下述步骤：分别在衬底基板和功能基板的功能层表面制备第一隔离层和第二隔离层，所述第二隔离层的直径小于所述第一隔离层的直径；对所述功能基板进行离子注入，使离子穿过所述第二隔离层进入所述功能...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金翠，连坤，张涛，董玉爽，李慧青，胡卉，胡文，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：