【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体元件制备，尤其涉及一种键合体气泡去除方法及系统。
技术介绍
1、键合体制备加工过程中，铌酸锂和钽酸锂晶体由于其自身具有多种优良的光学性能，如压电、铁电、光电、光弹、热释电、光折变和非线性等光学性质，已被广泛应用于声表面波器件、薄膜体声波谐振器、光电传感器、铁电存储器等各种核心电子元器件。铌酸锂薄膜键合体制备的工艺流程中需要对薄膜和衬底进行键合处理，经过处理的键合体容易出现气泡，影响键合体的质量。因此，需要及时的排除气泡，保证键合体的质量。
2、对键合体去除气泡多为人为操作，工作人员使用人工硬物例如硬质顶销对键合体进行挤压；具体来说，键合体的上部薄膜卡盘中心部位安装有硬质顶销，顶销向下移动并挤压上部薄膜的气泡位置，并由人工控制在上部薄膜的上表面移动，以实现手动驱赶键合产生的气泡。采用人为操作去除键合体的气泡，不仅费时费力，还可能造成键合空洞的产生，恶化键合体表面质量。
技术实现思路
1、本申请提供一种键合体气泡去除方法及系统，以解决人为操作去除键合体的气泡时，不仅费时费力，还可能造成键合空洞的产生，恶化键合体表面质量的问题。
2、第一方面，本申请提供一种键合体气泡去除方法，包括：
3、对键合体进行气泡检测，记录气泡初始位置；
4、控制气泡挤压模块下降至键合体薄膜的圆心处，在所述气泡挤压模块与所述薄膜的上表面接触时施加压力；
5、以所述键合体上层薄膜的圆心为中心，控制所述气泡挤压模块逐渐增大与上层薄膜的接触面积
6、在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
7、控制所述气泡挤压模块向键合体垂直方向运动，以实现所述气泡挤压模块与薄膜上表面脱离接触；
8、根据所述气泡初始位置，对所述键合体进行检测，确定气泡是否完全排除。
9、在一种可能的实现方式中，在所述气泡挤压模块为拼接圆环结构时，控制所述气泡挤压模块中的圆环按照预设速度伸出，直至键合体的薄膜上表面被所述圆环覆盖。
10、在一种可能的实现方式中，在所述气泡挤压模块为抓爪结构时，以键合体薄膜的上表面圆心为中心，控制所述气泡挤压模块不断向上层薄膜外延匀速运动，以改变气泡挤压模块与所述上层薄膜的接触位置，直至所述气泡挤压模块运动至所述上层薄膜外延。
11、在一种可能的实现方式中，在所述气泡挤压模块为球囊结构时，通过向所述气泡挤压模块的球囊中匀速注入气体，以增大所述气泡挤压模块与键合体上层薄膜的接触面积，直至键合体的上层薄面的表面完全被所述球囊覆盖。
12、第二方面，本申请提供一种键合体气泡去除系统，包括：传动机构、检测机构、控制器以及显示设备；
13、所述传动机构包括气泡挤压模块，所述气泡挤压模块被配置为在与键合体上层薄膜完全接触时，对键合体产生压力，以去除键合过程中产生的气泡；
14、所述检测机构被配置为对键合体进行气泡检测；
15、所述显示设备被配置为显示所述键合体的气泡检测结果；
16、所述控制器被配置为：
17、对键合体进行气泡检测，确定并记录气泡初始位置；
18、控制气泡挤压模块下降至键合体薄膜的圆心处，在所述气泡挤压模块与所述薄膜的上表面接触时施加压力；
19、以所述键合体上层薄膜的圆心为中心，控制所述气泡挤压模块逐渐增大与上层薄膜的接触面积或者变更接触位置，直至所述气泡挤压模块与上层薄膜完全接触，以去除键合过程中产生的气泡。
20、在一种可能的实现方式中，所述气泡挤压模块为直径可变的拼接圆环结构，所述气泡挤压模块由两个以上的圆环通过连接件拼接而成，所有圆环均设有供连接件插入的连接槽，其中每个圆环均可伸缩。
21、在一种可能的实现方式中，所述气泡挤压模块为金属抓爪结构，所述气泡挤压模块包括连接杆以及爪手，其中爪手为至少两个，所述爪手与所述连接杆为铰接结构。
22、在一种可能的实现方式中，所述气泡挤压模块为球囊结构，所述气泡挤压模块包括进气管、球囊支撑部、球囊保护部以及球囊；其中所述球囊支撑部、所述球囊保护板以及所述球囊依次连接形成球囊本体，所述进气管贯穿所述球囊本体。
23、在一种可能的实现方式中，所述控制器还被配置为：
24、控制所述气泡挤压模块向键合体垂直方向运动，以实现与薄膜上表面脱离接触，根据所述气泡初始位置，对所述键合体进行检测，确定气泡是否完全排除。
25、由以上内容可知，本申请提供一种键合体气泡去除方法及系统，所述方法包括：对键合体进行气泡检测，记录气泡初始位置；控制气泡挤压模块下降至键合体薄膜的圆心处，在所述气泡挤压模块与所述薄膜的上表面接触时施加压力；以所述键合体上层薄膜的圆心为中心，控制所述气泡挤压模块逐渐增大与上层薄膜的接触面积或者变更接触位置，直至所述气泡挤压模块与上层薄膜完全接触。通过本申请提供的键合体气泡去除方法及系统能有效去除键合工艺中的气泡，提高晶圆的利用率以及成品率，适应范围广，安全可靠，同时可以避免去除气泡的过程中薄膜的破裂，降低键合废品率。
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1.一种键合体气泡去除方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，在所述气泡挤压模块为拼接圆环结构时，控制所述气泡挤压模块中的圆环按照预设速度伸出，直至键合体的薄膜上表面被所述圆环覆盖。
4.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，在所述气泡挤压模块为抓爪结构时，以键合体薄膜的上表面圆心为中心，控制所述气泡挤压模块不断向上层薄膜外延匀速运动，以改变气泡挤压模块与所述上层薄膜的接触位置，直至所述气泡挤压模块运动至所述上层薄膜外延。
5.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，在所述气泡挤压模块为球囊结构时，通过向所述气泡挤压模块的球囊中匀速注入气体，以增大所述气泡挤压模块与键合体上层薄膜的接触面积，直至键合体的上层薄面的表面完全被所述球囊覆盖。
6.一种键合体气泡去除系统，其特征在于，包括：传动机构、检测机构、控制器以及显示设备；
7.根据权利要求6所述的键合体气泡去除系统，其
8.根据权利要求6所述的键合体气泡去除系统，其特征在于，所述气泡挤压模块为金属抓爪结构，所述气泡挤压模块包括连接杆以及爪手，其中爪手为至少两个，所述爪手与所述连接杆为铰接结构。
9.根据权利要求6所述的键合体气泡去除系统，其特征在于，所述气泡挤压模块为球囊结构，所述气泡挤压模块包括进气管、球囊支撑部、球囊保护部以及球囊；其中所述球囊支撑部、所述球囊保护板以及所述球囊依次连接形成球囊本体，所述进气管贯穿所述球囊本体。
10.根据权利要求6所述的键合体气泡去除系统，其特征在于，所述控制器还被配置为：
...【技术特征摘要】
1.一种键合体气泡去除方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，在所述气泡挤压模块为拼接圆环结构时，控制所述气泡挤压模块中的圆环按照预设速度伸出，直至键合体的薄膜上表面被所述圆环覆盖。
4.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，在所述气泡挤压模块为抓爪结构时，以键合体薄膜的上表面圆心为中心，控制所述气泡挤压模块不断向上层薄膜外延匀速运动，以改变气泡挤压模块与所述上层薄膜的接触位置，直至所述气泡挤压模块运动至所述上层薄膜外延。
5.根据权利要求1所述的键合体气泡去除方法，其特征在于，在所述气泡挤压模块为球囊结构时，通过向所述气泡挤压模块的球囊中匀速注入气体，以增大所述气泡挤压模块与键合体上层薄膜的接触面积，直至键合体的上层薄面的表面完全被所述球囊覆盖。
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩智勇，胡文，张秀全，梁龙跃，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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