复合薄膜及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，对功能注入片进行第一次退火处理，待功能注入片与衬底键合后再进行第二次退火处理使注入层断裂，薄膜层转移至衬底上，形成复合薄膜。在第一次退火处理时可使功能注入片的注入层内的离子产生气泡，从而使第二次退火处理时，可以相对较低的温度使注入层断裂，完成键合体的分离工作，避免现有技术中因高温以及退火处理时间较长导致的键合体破裂问题的发生。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、薄膜材料在当今半导体产业中成为越来越重要的材料，其满足了电子元器件向小型化、低功耗、高性能方向发展的要求。近年来一种被称为绝缘体上的复合薄膜越来越引起工业界的重视，其包含最上层的有源层、中间的绝缘介质层和半导体衬底。其中，有源层可以为半导体薄膜(例如si，ge，gaas，sic)，压电薄膜(铌酸锂和钽酸锂)或者铁电薄膜。

2、在复合薄膜生产的过程中，需要对衬底与薄膜基体键合后的键合体退火处理，以在衬底的表面制备有源层。

3、然而，在对键合体退火处理时，键合体容易出现破碎的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，用以解决现有技术中键合体退火时容易出现破碎的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种复合薄膜制备方法，包括：

3、对薄膜基体进行离子注入，制得功能注入片，功能注入片包括依次层叠设置的薄膜层、注入层和余料层；

4、对功能注入片进行第一次退火处理，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的温度范围为200℃-300℃。

3.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的时间范围为1h-10h。

4.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度范围为150℃-200℃。

5.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的时间范围为1h-5h。

6.根据权利要求1-5任一所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述复合薄膜制备...

【技术特征摘要】

1.一种复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的温度范围为200℃-300℃。

3.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的时间范围为1h-10h。

4.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度范围为150℃-200℃。

5.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的时间范围为1h-5h。

6.根据权利要求1-5任一所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述复合薄膜制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂银，胡文，张秀全，杨超，刘亚明，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：