半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供包括CMOS区和LDMOS区的基底；在基底中形成注入阱，注入阱与基底的上表面具有大于零的间距，注入阱包括位于CMOS区的基底中的第一注入阱以及位于LDMOS区的基底中的第二注入阱；在CMOS区的基底上方形成第一栅极，同时在LDMOS区的基底上方形成第二栅极；在基底中的顶部区域形成体区，体区从基底的上表面延伸至第二注入阱；在CMOS区执行LDD注入，LDD注入的掺杂剂穿过第一栅极并在第一栅极下方的基底中形成LDD注入区。利用该制作方法制作半导体结构，能够在不增加生产成本的情况下，解决LDMOS器件均匀性差的问题。本发明专利技术还提供一种半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

1、横向双扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-oxidesemiconductor，ldmos)场效应晶体管，是在高压功率集成电路中常见的一种半导体器件，用于满足高压、实现功率控制等方面的需求。ldmos一个突出的优点是与传统cmos工艺高度兼容，业界通常将ldmos器件、互补金属氧化物半导体(cmos)场效应管和双极结型(bjt)晶体管集成在一起提供bcd(bipolar-cmos-dmos)工艺。

2、图1为一种ldmos器件的结构示意图。参考图1，该ldmos器件例如为无外延层的n型器件，d端为漏极区11(drain)的引出端，g端为栅极15(gate)的引出端，s&b端为源极区13(source)和p阱16(bulk)的引出端。漏极区11和栅极15之间有个横向扩散区12，能够承担高电压，进而构成ldmos。这种ldmos器件的好处是栅极15和cmos器件的栅极能够在同一制程中制作，源极区13和漏极区11也能够cmos器件的源本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供基底，包括：在所述LDMOS区的基底中形成深阱；所述深阱的顶部与所述第二注入阱的底部相连接。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供基底，包括：在所述LDMOS区的基底中的顶部区域形成横向扩散区，所述横向扩散区位于所述第二注入阱的侧边并与所述第二注入阱具有设定间距；所述第二栅极的一端位于所述第二注入阱上方，所述第二栅极的另一端位于所述横向扩散区上方。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：所述在所述CMOS区执行L...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供基底，包括：在所述ldmos区的基底中形成深阱；所述深阱的顶部与所述第二注入阱的底部相连接。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供基底，包括：在所述ldmos区的基底中的顶部区域形成横向扩散区，所述横向扩散区位于所述第二注入阱的侧边并与所述第二注入阱具有设定间距；所述第二栅极的一端位于所述第二注入阱上方，所述第二栅极的另一端位于所述横向扩散区上方。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：所述在所述cmos区执行ldd注入之后，在所述第一栅极两侧的基底中形成第一源极区和第一漏极区，在所述第二栅极两侧的基底中形成第二源极区和第二漏极区；所述第一源极区和所述第一漏极区位于所述第一注入阱上方，且部分延伸进入所述第一注入阱内的顶部区域；所述第二源极区位于所述第二注入阱上方且部分延伸进入所述第二注入阱内的顶部区域，所述第二漏极区位于所述横向扩散区内的顶部区域。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：所述在所述cmos区执行ldd注入之后，在所述第一注入阱和所述第二注入阱上方形成引出区，所述引出区与对应的所述第一注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：张松，刘群，周耀辉，王德进，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：