一种改进型平面栅MOSFET及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种改进型平面栅MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：二氧化硅介质层；所述二氧化硅介质层处于平面栅下方的区域，被栅极氧化层和漂移层包覆。本发明专利技术通过添加二氧化硅介质层结构，在随着MOSFET器件工作环境温度的升高，器件会出现出现受热膨胀的现象，二氧化硅的热膨胀系数比硅的小，因此热膨胀体积较小的二氧化硅介质层能够对体区沟道处的硅产生水平方向的拉伸应力，由于沿着电子传输路径的水平方向的拉伸应力会增加电子的迁移率，于是，这种结构减小了MOSFET器件在高温时的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种改进型平面栅mosfet及制备方法。

技术介绍

1、半导体功率器件的一个实例是金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件，被称为mosfet器件。mosfet器件可以在已经蚀刻在基板中或蚀刻在外延层上的沟槽中形成。mosfet器件通过向mosfet器件的栅电极施加适当的电压来操作，栅电极的施加使器件接通，并形成连接mosfet器件的源极和漏极的通道，允许电流流过。功率半导体器件作为电力控制的核心电力电子器件，应用于电能的变换和控制。近年来，新能源汽车、高速列车、光伏、风电、手机、电脑、电视机、空调等各个领域对于功率半导体器件的需求量大大增加，促进了该领域的飞速发展。mosfet作为一种重要的功率半导体器件，其栅极通过电压控制既能完成器件导通，又可以实现关断，具有高输入阻抗和低导通损耗的优点，现阶段广泛的应用于开关电源、电机控制、移动通讯等领域。

2、mosfet器件的一个重要参数是导通电阻，导通电阻是指在mosfet器件工作时，从漏极到源极的电阻。当漏源之间导通电阻很小时，会让mosfet器件有较大的输出电流，mos本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改进型平面栅MOSFET，其特征在于，包括：二氧化硅介质层；

2.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅MOSFET，其特征在于，所述二氧化硅介质层的宽度为0.2-0.4um。

3.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅MOSFET，其特征在于，所述二氧化硅介质层的高度为1.2-2um。

4.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅MOSFET，其特征在于，还包括：平面栅极；

5.根据权利要求4所述的一种改进型平面栅MOSFET，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为400-600埃。

6.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅MOS...

【技术特征摘要】

1.一种改进型平面栅mosfet，其特征在于，包括：二氧化硅介质层；

2.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅mosfet，其特征在于，所述二氧化硅介质层的宽度为0.2-0.4um。

3.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅mosfet，其特征在于，所述二氧化硅介质层的高度为1.2-2um。

4.根据权利要求1所述的一种改进型平面栅mosfet，其特征在于，还包括：平面栅极；

5.根据权利要求4所述的一种改进型平面栅mosfet，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为400-600埃。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李金耀，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：