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本发明提供了一种改进型平面栅MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：二氧化硅介质层；所述二氧化硅介质层处于平面栅下方的区域，被栅极氧化层和漂移层包覆。本发明通过添加二氧化硅介质层结构，在随着MOSFET器件工作环境温度的升高，器件会出现...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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