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本发明提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供包括CMOS区和LDMOS区的基底；在基底中形成注入阱，注入阱与基底的上表面具有大于零的间距，注入阱包括位于CMOS区的基底中的第一注入阱以及位于LDMOS区的基底中的第二注入阱；在C...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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