一种调整翘曲的工艺方法以及复合薄膜技术

本申请提供一种调整翘曲的工艺方法以及复合薄膜，所述方法包括准备衬底晶圆和供体晶圆；对所述衬底晶圆进行预处理，以及，将所述衬底晶圆和所述供体晶圆键合形成复合薄膜；通过刻蚀对所述复合薄膜的正面薄膜层进行一次减薄；对所述复合薄膜的背面衬底晶圆进行二次减薄；对减薄后的复合薄膜进行高温退火，以去除残余应力。通过刻蚀先对复合薄膜的正面薄膜层进行减薄，为降低刻蚀速率过快带来的表面厚度不均匀，正面减薄完成后，对复合薄膜的背面衬底面进行减薄，以抵消工艺面侧的由于减薄工艺产生的表面残余应力，从而根据不同应用场景对复合薄膜进行减薄，通过对减薄量的控制，解决复合薄膜明显翘曲缺陷的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体元件制备，尤其涉及一种调整翘曲的工艺方法以及复合薄膜。

技术介绍

1、复合薄膜材料满足了电子元器件向小型化、低功耗、高性能方向发展的要求。一种被称为绝缘体上的薄膜结构材料越来越引起工业界的重视，其主要包含最上方的供体晶圆、中间的绝缘介质层和半导体衬底。供体晶圆可以为半导体薄膜(如si，ge，gaas，sic)，压电薄膜(铌酸锂和钽酸锂)，铁电薄膜等。这种材料在cpu芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器的都展现出良好的应用性能。

2、复合薄膜翘曲是半导体制造中的一项重要指标。复合薄膜翘曲是指复合薄膜工艺制程中和使用过程中衬底晶圆和供体晶圆的弯曲程度。复合薄膜因放卷张力和加热温度的作用，当薄膜复合在一起时，彼此的收缩率不同，使复合膜产生内应力，这些内应力的分布及平衡状态决定了复合膜的最终卷曲程度和状态。由于异质结合(两个不同材料的薄膜结合在一起，由于热膨胀系数不同，在受热后的收缩程度不同)会存在一些翘曲，这会影响后续的器件加工工艺。例如，后续工艺为光刻，如果衬底翘曲过大，则光刻机每步进一次均需重新聚焦，严重影响了光刻工艺的效率。为此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调整翘曲的工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合薄膜的厚度为H，所述薄膜层减薄量为hf，所述背面衬底晶圆的减薄量为hs，所述总减薄量hf+hs＜1/3H。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄膜层减薄量hf占总减薄量的70～90％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次减薄以及二次减薄的减薄速率小于或等于0.25μm/s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过刻蚀对所述复合薄膜的正面薄膜层进行减薄时，刻蚀方法包括湿法腐蚀或干法刻蚀。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种调整翘曲的工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合薄膜的厚度为h，所述薄膜层减薄量为hf，所述背面衬底晶圆的减薄量为hs，所述总减薄量hf+hs＜1/3h。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄膜层减薄量hf占总减薄量的70～90％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次减薄以及二次减薄的减薄速率小于或等于0.25μm/s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过刻蚀对所述复合薄膜的正面薄膜层进行减薄时，刻蚀方法包括湿法腐蚀或干法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底晶圆进行预处理，以及，将所述衬底晶圆和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷菲菲，陈明珠，周丽雪，王金翠，连坤，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：