一种激光器的制备方法及激光器技术

本申请公开一种激光器的制备方法及激光器，涉及半导体技术领域，能够降低激光器出光阈值。激光器的制备方法包括：在基底上设置第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层，以得到激光器外延片；在激光器外延片背离基底的一侧表面设置保护层；对设置有保护层的激光器外延片进行切割，以得到激光条；对激光条进行电化学腐蚀；去除电化学腐蚀后的激光条的保护层，得到激光器。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种激光器制备方法及激光器。

技术介绍

1、目前，紧凑、节能、环保、寿命长的algan基深紫外光源吸引了广泛关注。而由于能量密度高、相干性好和光谱半高宽窄，algan基深紫外激光器在生化检测、通信、材料加工等领域表现出独特优势。然而，现有的algan基深紫外激光器，限制层的折射率较高，光场限制能力较弱，导致激光器的出光阈值较高。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种激光器的制备方法及激光器，能够降低激光器的出光阈值。

2、本申请实施例的第一方面，提供一种激光器的制备方法，包括：

3、在基底的一侧依次设置第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层，以得到激光器外延片；

4、在所述激光器外延片背离所述基底的一侧表面设置保护层；

5、对设置有所述保护层的所述激光器外延片进行切割，以得到激光条；

6、对所述激光条进行电化学腐蚀；

7、去除电化学腐蚀后的所述激光条的所述保护层，得到激光器。p>

8、在一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的激光器的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的激光器的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的激光器的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的激光器的制备方法，其特征在于，

6.一种激光器，其特征在于，应用如权利要求1至5中任一项所述的激光器的制备方法制备，所述激光器包括：基底、第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层；

7.根据权利要求6所述的激光器，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的激光...

【技术特征摘要】

1.一种激光器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的激光器的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的激光器的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的激光器的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的激光器的制备方法，其特征在于，

6.一种激光器，其特征在于，应用如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永明，单茂诚，陈长清，吴峰，戴江南，
申请(专利权)人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：