一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及制备方法，所述结构包括顶部TSV转接板和底部TSV转接板；其中顶部TSV转接板上刻蚀形成多个TSV阵列柱，TSV阵列柱之间的间隙形成微流道；底部TSV转接板与顶部TSV转接板通过金属键合，且底部TSV转接板上刻蚀形成微流道出入口以及与顶部TSV转接板上的TSV对应的TSV。本发明专利技术提出的三维集成TSV转接板的微流道结构在硅TSV转接板进行流道刻蚀，形成TSV阵列柱，TSV阵列柱既可以作为翅片，增强扰动，强化了微流道的传热效果；又能够作为电气互连接口，将芯片的多个接口进行引出互联，信号密度高。度高。度高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及制备方法


[0001]本专利技术属于集成电路封装领域，尤其涉及一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子器件的性能及集成度的不断提高，电子器件的功耗也逐渐增加；同时随着芯片3D堆叠技术和2.5D三维集成技术等使芯片或者器件集成小型化和轻量化技术的发展，电子器件的集成功率密度进一步增加，从最初的10W/cm2已经发展到芯片级的100W/cm2，功率密度的增加将导致芯片、模组甚至系统集成过程中出现高温热区域，进而造成电子器件的工作性能下降，工作寿命逐渐降低，因此热管理将会成为制约微电子发展的关键问题。
[0003]在三维集成技术中高性能芯片采用硅基堆叠，单颗芯片的热量可达100W/cm2，若器件中存在多颗高性能芯片时，传统的被动式散热方式难以实现高密度热量的转移，热量的聚集将会大大降低芯片的性能；利用先进主动式热管理方式降低芯片热量传输链路热阻，将热量高效转移是未来发展的趋势，针对三维集成技术中的硅转接板直接引入嵌入式微流道，并且不影响转接板原有的电气互联本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构，其特征在于，所述结构包括顶部TSV转接板和底部TSV转接板；所述顶部TSV转接板上刻蚀形成多个TSV阵列柱，TSV阵列柱之间的间隙形成微流道；所述底部TSV转接板与顶部TSV转接板通过金属键合，且底部TSV转接板上刻蚀形成微流道出入口以及与顶部TSV转接板上的TSV对应的TSV。2.根据权利要求1所述的基于三维集成TSV转接板的微流道结构，其特征在于，所述TSV阵列柱包括一个或者多个TSV。3.根据权利要求1所述的基于三维集成TSV转接板的微流道结构，其特征在于，所述TSV阵列柱底部及顶部TSV转接板四周均进行了金属图像化。4.根据权利要求1所述的基于三维集成TSV转接板的微流道结构，其特征在于，所述TSV阵列柱为圆柱、多面体或者椭圆柱。5.根据权利要求1所述的基于三维集成TSV转接板的微流道结构，其特征在于，所述底部TSV转接板顶部进行了金属图形化，且金属图像化区域与顶部TSV转接板的金属图像化一一对应。6.根据权利要求1所述的基于三维集成TSV转接板的微流道结构，其特征在于，所述顶部TSV转接板和底部TSV转接板材料均为...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹林炜，孙翔宇，安宁，王月兴，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：