MEMS器件及其制备方法技术

本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法，其中MEMS器件包括衬底，以及层叠设置在所述衬底上的第一电极层和第二电极层，其中：所述第二电极层包括相连接的锚点与横梁，所述锚点支撑在所述横梁的至少一个端部与所述第一电极层之间，所述横梁的中部悬空于所述第一电极层；所述锚点包括第一锚固部与第二锚固部，所述第一锚固部与所述第二锚固部间隔设置且分别固定在所述横梁的端部的相对两侧。本申请实施例提供的MEMS器件具有避免温度变化时横梁弯曲，利于提高MEMS器件的性能的优点。利于提高MEMS器件的性能的优点。利于提高MEMS器件的性能的优点。

【技术实现步骤摘要】
MEMS器件及其制备方法


[0001]本申请涉及微电子
，具体涉及一种MEMS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]MEMS(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，微机电系统)是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术。MEMS器件是利用MEMS技术制作的一种机械可动结构。作为MEMS器件的一类，MEMS谐振器是通过机电耦合作用，实现对电信号的选频滤波功能。MEMS谐振器具有以下优点：体积小、功耗低、抗冲击，与微电子集成电路工艺兼容、易于系统集成、性能稳定，可靠性高，而且工作频率集中在射频波段，最高可达GHz量级，品质因数高。
[0003]就静电电容式的MEMS谐振器来说，目前主要采用两种制备工艺方案，其一是采用SOI衬底的体硅深刻蚀工艺，采用顶层硅作为谐振器的结构层，其优点是无膜层应力，谐振结构频率无漂移，但是器件制作成本较高；另外一个方案是采用多次薄膜沉积并刻蚀的平面工艺，以沉积的多晶硅薄膜作为结构层，此方案的优点是与CMOS工艺兼容，成本相对较低，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件，其特征在于，包括衬底，以及基于所述衬底层叠设置的第一电极层和第二电极层，其中：所述第二电极层包括相连接的锚点与横梁，所述锚点支撑在所述横梁的至少一个端部与所述第一电极层之间，所述横梁的中部悬空于所述第一电极层；所述锚点包括第一锚固部与第二锚固部，所述第一锚固部与所述第二锚固部间隔设置且分别固定在所述横梁的端部的相对两侧。2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一锚固部具有第一宽度，所述第二锚固部具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度之和为所述横梁的端部的宽度的10％～50％。3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述横梁具有对称面，所述第一锚固部与所述第二锚固部关于所述横梁的对称面对称。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一锚固部远离所述第二锚固部的端面平齐于所述横梁的端部的端面；和/或，所述第二锚固部远离所述第一锚固部的端面平齐于所述横梁的端部的端面。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一锚固部与所述第二锚固部均为多个，多个所述第一锚固部沿所述横梁的延伸方向间隔布置，多个所述第二锚固部沿所述横梁的延伸方向间隔布置。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括MEMS谐振器。7.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一电极层，并刻蚀所述第一电极层，形成贯穿所述第一电极层的第一凹槽；...

【专利技术属性】
技术研发人员：淮永进，韦仕贡，陈建鹏，张立明，
申请(专利权)人：北京燕东微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：