MEMS器件及其制备方法技术

本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法，其中MEMS器件包括：衬底；基于所述衬底形成的第一电极层；位于第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层包括横梁与锚点；所述横梁悬置于所述第一电极上，所述横梁沿第一方向延伸且具有相对设置的两端，所述横梁沿第二方向具有相对设置的两侧，所述第一方向和所述第二方向均垂直于衬底厚度方向，且所述第一方向垂直于所述第二方向；所述横梁的至少一端设置有所述锚点，每个所述锚点包括两个锚固部，所述两个锚固部分别固定于所述横梁的两侧，且每个所述锚固部与所述第一电极层电接触。本申请实施例提供的MEMS器件及其制备方法，具有避免横梁弯曲，利于提高MEMS器件的性能的优点。利于提高MEMS器件的性能的优点。利于提高MEMS器件的性能的优点。

【技术实现步骤摘要】
MEMS器件及其制备方法


[0001]本申请涉及电子
，具体涉及一种MEMS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]MEMS(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，微机电系统)是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术。MEMS器件是利用MEMS技术制作的一种机械可动结构。作为MEMS器件的一类，MEMS谐振器是通过机电耦合作用，实现对电信号的选频滤波功能。MEMS谐振器具有以下优点：体积小、功耗低、抗冲击，与微电子集成电路工艺兼容、易于系统集成、性能稳定，可靠性高，而且工作频率集中在射频波段，最高可达GHz量级，品质因数高。
[0003]就静电电容式的MEMS谐振器来说，目前主要采用两种制备工艺方案，其一是采用SOI衬底的体硅深刻蚀工艺，采用顶层硅作为谐振器的结构层，其优点是无膜层应力，谐振结构频率无漂移，但是器件制作成本较高；另一是采用多次薄膜沉积并刻蚀的平面工艺，以沉积的多晶硅薄膜作为结构层，此方案的优点是与CMOS工艺兼容，成本相对较低，但是由于多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：衬底；基于所述衬底形成的第一电极层；位于第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层包括横梁与锚点；所述横梁悬置于所述第一电极上，所述横梁沿第一方向延伸且具有相对设置的两端，所述横梁沿第二方向具有相对设置的两侧，所述第一方向和所述第二方向均垂直于衬底厚度方向，且所述第一方向垂直于所述第二方向；所述横梁的至少一端设置有所述锚点，每个所述锚点包括两个锚固部，所述两个锚固部分别固定于所述横梁的两侧，且每个所述锚固部与所述第一电极层电接触。2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述锚固部包括连接段与固定段，所述连接段与所述横梁的一侧连接并沿第二方向延伸，所述固定段与所述连接段连接并沿所述第一方向延伸。3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述固定段沿所述第一方向具有相对的两端，其中至少一端超出所述连接段。4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述横梁包括主体段与外延段；所述主体段呈长条状并沿第一方向延伸；所述外延段设置在所述主体段沿所述第一方向的一端或两端，且所述外延段沿所述第二方向的两端均超出所述主体段；所述锚固部与所述外延段连接。5.根据权利要求4所述的MEMS器件，其特征在于，所述外延段沿所述第二方向具有相对设置的两个侧面；所述锚固部与所述外延段的侧面连接且沿所述第一方向延伸，且所述锚固部沿所述第一方向的两端中至少其一超过所述外延段。6.根据权利要求4所述的MEMS器件，其特征在于，所述锚固部包括两部分；所述外延段沿所述第一方向具有相对设置的两个端面；每个所述端面各连接有所述锚固部的一部分。7.根据权利要求2
‑
5任一项所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一电极层具有朝向所述第二电极层的顶面，所述顶面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：淮永进，张彦秀，陈建鹏，张立明，
申请(专利权)人：北京燕东微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：