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本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法,其中MEMS器件包括:衬底;基于所述衬底形成的第一电极层;位于第一电极层上的第二电极层,所述第二电极层包括横梁与锚点;所述横梁悬置于所述第一电极上,所述横梁沿第一方向延伸且具有相对设置的两端,所...该专利属于北京燕东微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京燕东微电子股份有限公司授权不得商用。
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本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法,其中MEMS器件包括:衬底;基于所述衬底形成的第一电极层;位于第一电极层上的第二电极层,所述第二电极层包括横梁与锚点;所述横梁悬置于所述第一电极上,所述横梁沿第一方向延伸且具有相对设置的两端,所...