【技术实现步骤摘要】
GGNMOS器件以及集成电路
[0001]本申请涉及半导体
,具体涉及一种GGNMOS器件以及集成电路。
技术介绍
[0002]ESD(Electrostatic Discharge,静电放电)现象是不同电位的两个物体在接触的瞬间进行电荷转移,导致瞬态的高电流脉冲。对集成电路而言,ESD现象会导致电路中的相对脆弱器件损坏,造成电路的功能失效或者可靠性衰退。随着集成电路的特征尺寸不断缩小,ESD对集成电路的危害变得越来越显著,ESD防护方案在集成电路产品设计与制造过程中越来越具有挑战性。
[0003]在相关技术的芯片设计中,因为结构简单,导通电阻小,与MOS工艺完全兼容等优点,常采用栅接地N型场效应晶体管(Gate Grounded N Metal Oxide Semiconductor,简称GGNMOS)保护结构作为ESD保护器件。
[0004]然而,为了增加GGNMOS的鲁棒性,相关技术采用了多指结构。多指结构又带来了GGNMOS开启均匀性的问题。为了提高GGNMOS开启的均匀性,现有技术通过增加了漏 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种GGNMOS器件,其特征在于,包括:衬底;栅极结构,包括层叠设置在所述衬底上的栅极介质层和栅极层,且所述栅极层沿第一方向延伸;源极结构,包括源极轻掺区以及源极重掺区;其中所述源极轻掺区形成于所述衬底中,并位于所述栅极结构在第二方向上的一侧;所述源极重掺区位于所述源极轻掺区内;所述第二方向平行于衬底表面且垂直于所述第一方向;漏极结构,包括漏极轻掺区、第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区;其中,所述漏极轻掺区形成于所述衬底中,并位于所述栅极结构在所述第二方向上的另一侧;所述第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区均形成于所述漏极轻掺区中,且沿远离所述栅极结构的方向依次间隔设置;沿所述第二方向,所述第一重掺区的长度大于所述第二重掺区的长度,所述第三重掺区的长度大于所述第二重掺区的长度。2.根据权利要求1所述的GGNMOS器件,其特征在于,沿所述第二方向,所述第一重掺区的长度是所述第二重掺区的长度的1.5~2倍;和/或,所述第三重掺区的长度是所述第二重掺区的长度的1.5~2倍。3.根据权利要求2所述的GGNMOS器件,其特征在于,所述第二重掺区为多个,多个所述第二重掺区间隔设置。4.根据权利要求3所述的GGNMOS器件,其特征在于,多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:代佳,张小麟,于江勇,张欣慰,王振达,罗胡瑞,
申请(专利权)人:北京燕东微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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