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本申请实施例提供一种GGNMOS器件以及集成电路。其中，GGNMOS器件包括：衬底；栅极结构，包括层叠设置在衬底上的栅极介质层和栅极层，且栅极层沿第一方向延伸；漏极结构，包括漏极轻掺区、第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区；其中，漏极轻掺区...
该专利属于北京燕东微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子股份有限公司授权不得商用。

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