沟槽型MOSFET晶体管制造技术

本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括：设置在远离第一表面一侧的栅极；设置在靠近阱区一侧的至少两个介质层，相邻两个介质层的接触面平行于第一表面方向；在垂直于第一表面，且从栅极至栅极沟槽结构的底部的方向上，介质层的正电荷密度依次递增；第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀，且简化制造工艺。且简化制造工艺。且简化制造工艺。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型MOSFET晶体管


[0001]本申请属于半导体器件
，尤其涉及一种沟槽型MOSFET晶体管。

技术介绍

[0002]功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)是多子导电型器件，以沟槽型(trench)MOSFET功率MOSFET为主。其中，沟槽型MOSFET是一种具有垂直导电沟道的器件。
[0003]单场板(Flied Plate，FP)的沟槽型MOSFET结构存在电场分布不均匀的问题。为了实现沟槽型MOSFET晶体管内的电场均匀分布，多阶梯MOSFET结构将深沟槽和漂移区接触的介质层设计成多个阶梯状。但多阶梯MOSFET结构制造时，需要进行多次场板对准来保持阶梯状的介质层对称制造工艺复杂。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种沟槽型MOSFET晶体管，能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀，且简化制造工艺。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种沟槽型MOSFET晶体管，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型MOSFET晶体管，其特征在于，包括：第一掺杂类型的衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在所述外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在所述阱区内的栅极沟槽结构；所述栅极沟槽结构，包括：设置在远离所述第一表面一侧的栅极；设置在靠近所述阱区一侧的至少两个介质层，相邻两个所述介质层的接触面平行于所述第一表面方向；在垂直于所述第一表面，且从所述栅极至所述栅极沟槽结构的底部的方向上，所述介质层的正电荷密度依次递增；所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET晶体管，其特征在于，至少一个所述介质层设置在所述栅极的侧部与所述外延层之间。3.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET晶体管，其特征在于，所述栅极的深度大于所述阱区的深度。4.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET晶体管，其特征在于，各个所述介质层的材料为氧化物。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：付红霞，章剑锋，崔京京，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：