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本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构；栅...
该专利属于瑞能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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