一种半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的栅极；分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源区和漏区；位于所述衬底中的防穿通结构，所述防穿通结构包括彼此相对的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近所述第一表面且低于所述第一表面，所述防穿通结构位于所述源区和所述漏区之间。本申请通过在衬底中的源区和漏区之间设置防穿通结构可以减少或避免短沟道效应的影响，提高器件性能。提高器件性能。提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制程工艺技术的不断发展，诸如场效应晶体管的半导体器件尺寸也不断缩小。当沟道长度减小到一定程度后会出现的一系列的二级物理效应称为短沟道效应。例如晶体管的漏区产生的耗尽区接触或紧密地靠近相对的晶体管的源区产生的相对的耗尽区，耗尽区的穿通能够引起电荷在源区和漏区之间的移动而不受施加到栅的电压的影响。因此，受到穿通影响的晶体管可能致使器件无法关断。因此，寻求一种能抗穿通的半导体器件是本领域技术人员需要解决的课题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体器件。
[0004]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：
[0005]根据本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：
[0006]衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的栅极；分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源区和漏区；位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的栅极；分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源区和漏区；位于所述衬底中的防穿通结构，所述防穿通结构包括彼此相对的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近所述第一表面且低于所述第一表面，所述防穿通结构位于所述源区和所述漏区之间。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述防穿通结构位于所述栅极的下方，且所述防穿通结构与所述源区之间的距离等于所述防穿通结构与所述漏区之间的距离。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述防穿通结构为T形，所述防穿通结构的第三表面宽度大于第四表面宽度。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，包括：两个防穿通结构，所述两个防穿通结构位于所述栅极的下方，且靠近源区的所述防穿通结构与所述源区之间的距离等于靠近漏区的所述防穿通结构与所述漏区之间的距离。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，包括：多个防穿通结构，所述多个防穿通结构相对于所述栅极的中轴线成对称分布，且所述防穿通结构与所述第一表面之间的距离沿所述中轴线至所述源区或所述漏区的方向依次递增。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述防穿通结构的第三表面与所述衬底的第一表面之间的距离大于50埃。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述防穿通结构的材料包括绝缘材料。8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；在所述衬底中形成防穿通结构，所述防穿通结构包括彼此相对的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆克军，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：