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本申请实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的栅极；分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源区和漏区；位于所述衬底中的防穿通结构，所述防穿通结构包括彼此相对的第三表面和第四表面...
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