具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置制造方法及图纸

本公开涉及具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管finFET装置。所述finFET装置可包含鳍结构，所述鳍结构具有第一部分、第二部分及第三部分。所述finFET装置可包含安置于所述第一部分的至少部分之上的第一栅极结构、安置于所述第一部分中的第一源极/漏极区及安置于所述第三部分中的第二漏极/源极区。所述第一、第二及第三部分中的每一者可包含一或多个鳍部。所述第二部分中的总鳍计数少于所述第一部分中的总鳍计数。所述第二部分可包含漂移区。还公开制造finFET的方法。所述finFET装置提供比常规finFET更低的导通电阻及更高的击穿电压。电阻及更高的击穿电压。电阻及更高的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置


[0001]本描述大体上涉及晶体管，包含但不限于具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(finFET)装置。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)可包含微处理器、微控制器、静态随机存取存储器、通信电路、数字逻辑电路及其它电路及制造于衬底上的那些电路的组合。IC可包含例如晶体管的装置。随着IC装置继续按比例缩放到更小尺寸，采用各种设计及技术来改进装置性能。例如基于鳍的场效应晶体管(finFET)结构的基于鳍的结构可用作平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的替代且可提供经改进可扩展性。基于鳍的制造技术可用于在半导体衬底材料(例如，硅)上创建非平面结构，此可增加装置密度，因为沟道、源极及/或漏极以鳍的形式从半导体衬底材料凸出。
[0003]
技术介绍
段落中提供的描述不应仅因其在
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段落相关联而被假设为现有技术。
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段落可包含描述本技术的一或多个方面的信息。

技术实现思路

[0004]在一方面中，本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于鳍的场效应晶体管finFET装置，其包括：鳍结构，其包括第一部分、第二部分及第三部分；第一栅极结构，其安置于所述第一部分的至少部分之上；第一源极/漏极区，其安置于所述第一部分中；及第二漏极/源极区，其安置于所述第三部分中，其中：所述第一、第二及第三部分中的每一者包括一或多个鳍部；且所述第二部分中的鳍部的总数少于所述第一部分中的鳍部的总数。2.根据权利要求1所述的finFET装置，其中：所述第一部分中的第一鳍部经由所述第二部分中的第一鳍部连接到所述第三部分中的第一鳍部；所述第一部分中的第二鳍部通过所述第二部分中的至少一个分隔区域与所述第三部分中的第二鳍部分离；所述第二部分中的所述第一鳍部在第一阱区的第一部分之上且不在沟槽之上；且所述第二部分中的所述分隔区域在所述第一阱区的第二部分之上且在第二沟槽的至少部分之上。3.根据权利要求2所述的finFET装置，其中：所述第一部分中的第三鳍部经由所述第二部分中的第三鳍部连接到所述第三部分中的第三鳍部；所述第一部分中的所述第一与第三鳍部之间的第一端部处的第一区在第二阱区的第一部分之上且在第三沟槽的至少部分之上；所述第一部分中的所述第一与第三鳍部之间的所述第一栅极结构处的第二区在所述第二阱区的第二部分之上且在所述第一阱区的第三部分之上；所述第二部分中的所述第一与第三鳍部之间的第三区在所述第一阱区的第四部分之上且在第四沟槽的至少部分之上；且所述第三部分中的所述第一与第三鳍部之间的第四区在所述第一阱区的第五部分之上且在第五沟槽的至少部分之上。4.根据权利要求1所述的finFET装置，其中：所述第一部分的至少部分毗邻所述第二部分；所述第二部分毗邻所述第三部分的至少部分；且所述第一部分在所述第二部分的第一侧处，且所述第三部分在与所述第二部分的所述第一侧相对的所述第二部分的第二侧处。5.根据权利要求1所述的finFET装置，其中：所述第一部分包括两个或更多个鳍部；所述第三部分包括对应于所述第一部分的所述两个或更多个鳍部的两个或更多个鳍部；所述第一、第二及第三部分中的所有鳍部彼此平行；所述第一部分的所述两个或更多个鳍部中的至少一者与所述第三部分的所述两个或更多个鳍部中的至少对应者分离；且
所述第一部分的所述两个或更多个鳍部中的至少另一者经由所述第二部分的所述一或多个鳍部中的至少一者连接到所述第三部分的所述两个或更多个鳍部中的至少对应另一者。6.根据权利要求5所述的finFET装置，其中所述第一部分的所述两个或更多个鳍部中的所述至少一者与所述第三部分的所述两个或更多个鳍部中的所述至少对应者通过所述第二部分中的至少一个分隔区域彼此分离。7.根据权利要求1所述的finFET装置，其中：所述第二部分包括彼此平行的第一外部分、中间部分及第二外部分；所述第二部分的所述第一及第二外部分及所述中间部分定位于所述第一部分与所述第三部分之间；所述第二部分的所述第一外部分在所述第二部分的所述中间部分的第一侧处，且所述第二部分的所述第二外部分在与所述第二部分的所述中间部分的所述第一侧相对的所述中间部分的第二侧处；所述第二部分的所述中间部分包括一个或一些鳍部；且所述第二部分的所述第一及第二外部分不含鳍部。8.根据权利要求7所述的finFET装置，其中所述第二部分的所述中间部分的所述一个或一些鳍部连接到所述第一部分的对应一个或一些鳍部且连接到所述第三部分的对应一个或一些鳍部。9.根据权利要求7所述的finFET装置，其中：所述第一及第三部分中的每一者包括彼此平行的第一外部分、中间部分及第二外部分；所述第二部分的所述第一及第二外部分分别地定位于所述第一部分的所述第一及第二外部分与所述第三部分的所述第一及第二外部分之间；所述第一部分的所述第一外部分在所述第一部分的所述中间部分的第一侧处，且所述第一部分的所述第二外部分在与所述第一部分的所述第一侧相对的所述第一部分的所述中间部分的第二侧处；所述第三部分的所述第一外部分在所述第三部分的所述中间部分的第一侧处，且所述第三部分的所述第二外部分在与所述第三部分的所述第一侧相对的所述第三部分的所述中间部分的第二侧处；所述第二部分的所述中间部分的所述一个或一些鳍部连接到所述第一部分的所述中间部分的对应一个或一些鳍部且连接到所述第三部分的所述中间部分的对应一个或一些鳍部；且所述第一部分的所述第一及第二外部分的一些鳍部与所述第三部分的所述对应第一及第二外部分的一些鳍部通过所述第二部分的至少所述对应第一及第二外部分分离。10.根据权利要求1所述的finFET装置，其中：所述鳍结构进一步包括第四部分及第五部分；所述finFET装置进一步包括：第二栅极结构，其安置于所述第五部分的至少部分之上；及第三源极/漏极区，其安置于所述第五部分中；且
所述第四部分中的鳍部的总数少于所述第五部分中的鳍部的总数。11.根据权利要求10所述的finFET装置，其中：所述第二部分中的鳍部的所述总数是1或大于1；所述第二部分中的鳍部的所述总数与所述第四部分中的鳍部的所述总数相同；所述第一部分中的鳍部的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘清，
申请(专利权)人：安华高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：