本发明公开了一种自动测试系统测控软件的通用化设计方法，包括以下步骤：新建测试项目、配置测试流程、配置仪器数据流、定义变量、数据处理算法和展示界面和生成配置文件和执行测试。本发明通过提取测试项目中的关键信息并形成配置文件，通过修改配置文件...

本发明提供一种Ti掺杂纳米粒状碲化铋基热电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在衬底表面溅射沉积Ti薄膜层；衬底温度升至250～350℃，再在所述Ti薄膜层表面溅射沉积碲化铋基薄膜层，退火，得到高(015)择优取向的纳米粒状碲化铋基热电薄膜...

本发明公开了基于无源集成器件的电流传感器及其制备方法，涉及微电子技术领域，该硅基板包括硅基板，硅基板贯穿有穿插待测导线的第一通孔，围绕第一通孔环设的多个第二通孔；各个导线柱之间通过互联线相连形成罗氏线圈的传感结构；硅基板的第一表面淀积有...

本申请适用于无线传感网络技术领域，提供了一种融合定位方法、装置、服务器及存储介质，其中，方法包括：获取TDOA站的TDOA测量数据，根据TDOA测量数据确定发射机在初始发射机时间T<subgt;0</subgt;的发射机初始...

本发明公开了一种全固态薄膜电池电极的原位掺杂制备方法,包括如下步骤：步骤1、预先在集流体上溅射厚度为1nm～20μm的掺杂材料层；步骤2、在所述步骤1掺杂层表面生长可掺杂的薄膜电极材料，在1×10<supgt;‑1</sup...

本发明公开了一种激光脉冲沉积制备热电池正极薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1、靶材制备：将正极活性物质、导电剂质量比(95～99)：(1～5)混合均匀，并将其均匀平铺在模具中，在压力70～360MPa下压制成圆片，获得靶材；步骤2、基体的...

本发明公开了一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法,该制备包括如下步骤：将修饰前驱体和固态薄膜正极界面升温产生的副产物在1×10<supgt;‑2</supgt;～1×10<supgt;‑8</supgt;m...

本发明公开了一种低温、高电压全固态热电池及其应用，该电池由正极片1、主体电解质层2、客体电解质层3和负极片4依次组装而成；客体电解质层3为LiBH<subgt;4</subgt;电解质。本发明的低温、高电压全固态热电池，在室...

本发明公开了一种基于状态评估的行波微执行器启停控制方法，本发明基于行波微执行器自身材料与结构设计特性，建立了行波微执行器启动力矩的预测模型，并通过对行波微执行器的性能状态进行实时的在线检测，同时结合离线测试进行数据解析，确定预测模型的参...

本申请涉及半导体领域，公开了一种基于半导体材料的粒子像素探测器，包括：多个像素结构；像素结构包括由下至上依次层叠的第一金属电极、衬底、过渡区、漂移区、掺杂有源区和第二金属电极，嵌入漂移区且与漂移区上表面齐平的注入区和第一掺杂区；第一掺杂...

本发明公开了一种同步测试高弹态聚合物体积模量与热膨胀系数的方法，涉及高弹态聚合物测量技术领域，在考虑温度影响的各向同性材料异质集成轴对称结构弹性力学解的基础上，建立高弹态聚合物材料体积模量、热膨胀系数等与约束套筒外表面可测应变之间的理论...

本发明公开了一种基于偏振耦合调制的集成光源制备方法，包括：在面发射激光芯片的出光口表面设置表面光栅，面发射激光芯片通过表面光栅发射具有预设偏振状态和偏振方向的激光；在液晶超表面的出光侧设置包含微纳颗粒的微透镜；将设置有表面光栅的面发射激...

本发明公开了一种含温度和应变传感的硅基微模组结构及制备方法，所述硅基微模组结构包括：硅基板，利用半导体前道工艺在所述硅基板表面集成温度传感器及应变传感器；芯片，所述芯片通过晶圆级扇出工艺集成在含温度传感器及应变传感器的硅基板腔体内部；以...

本发明公开了一种TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，该方法包括：在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备传感器；沉积互联...

本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器的敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括框架和敏感单元，框架形成有第一容置空间，敏感单元设置于第一容置空间内。敏感单元包括质量块、第一支撑梁和第二支撑梁。质量块具有主体以及固...

本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器，其包括敏感芯片、基板、基座和基板安装座。其中，基座具有安装侧和与安装侧相对的连接侧，基座具有内腔，内腔自连接侧的端面向内延伸。基板安装座包括安装座本体和连接部，敏感芯片安...

本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括边框，边框形成有第一容置空间；外隔离岛，外隔离岛设置于第一容置空间中且固定于边框，外隔离岛形成有第二容置空间；内隔离岛，内隔离岛设置于第二容置空间且连接至...

本发明公开了一种MOS控制晶闸管器件制备方法及MOS控制晶闸管，应用于半导体领域，该方法包括：提供N型衬底，利用非自对准工艺在N型衬底的上表面的第一表面区域注入P型杂质，制备得到P型阱区；在P型阱区中制备N型阱区，且在N型阱区中制备N型...

本发明公开了一种提高触发阈值的MOS栅控晶闸管器件及制备方法，应用于半导体领域，该器件中N型衬底的元胞区中的部分上表面形成有P型阱区；P型阱区的上表面形成有N型阱区；在N型衬底的上表面中，相邻的N型阱区之间的边缘外侧均设置有P型沟道层，...

本申请适用于人工智能技术领域，提供了一种关键点检测模型的训练方法及关键点检测方法，其中，方法包括：获取包括k个关键点的训练数据集；构建输出通道数为3k、尺度数为S的预设卷积神经网络，将训练数据集输入预设卷积神经网络，得到3×k×S个热力...