根据本公开内容的一个方面，提供一种溅射沉积源(100)，所述溅射沉积源(100)具有至少一个电极组件(120)，所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积。所述电极组件(120)包括：阴极(125)，用于提供待沉积的靶材材料...

本文描述自适应背光模块及用于生产自适应背光模块的方法及系统。在一个示例中，自适应背光模块包含：光源；偏光器；至少一个增强膜，所述增强膜设置于所述光源与所述偏光器之间；及扩散器，所述扩散器设置于所述光源与所述增强膜之间。所述扩散器包含第一...

根据本公开内容的一个方面，提供了一种制造多层膜结构(100)的方法，所述多层膜结构(100)被构造为贴附到支撑元件。所述方法包含：提供具有第一主表面(112)和第二主表面(114)的柔性基板(110)，其中所述第一主表面是自粘合的；以及...

本发明涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小...

本实用新型描述了图像投影装置和系统。本实用新型的实施方式总体涉及用于执行光刻工艺的装置和系统。更具体地，提供用于将图像投影到基板上的紧凑装置。在一个实施方式中，图像投影装置包括耦接到第一安装板的光导管，以及耦接到第二安装板的受抑棱镜组件...

在一个示例中，一种分选单元包括分选系统和多个料箱，基板分选到所述料箱中。分选单元包括料箱搬运装置，料箱搬运装置具有用于接收多个料箱中的一个料箱的第一终端受动器和用于将空的料箱安置于所接收的料箱的先前位置中的第二终端受动器。在一个示例中，...

叙述一种用于处理基板的设备(100)。该设备包含第一真空处理装置(101)、第二真空处理装置(102)、和支撑结构(103)，该支撑结构(103)配置在第一真空处理装置(101)和第二真空处理装置(102)之间的大气空间(108)中。

提供一种脉冲直流电源供应器。脉冲直流电源供应器被配置为提供单极脉冲直流电源。脉冲直流电源供应器包括脉冲单元，脉冲单元用于交替地在脉冲直流电源供应器的单极脉冲周期的开启周期期间设定标称开启周期直流电压以及在关闭周期期间设定标称关闭周期电压...

在一方面中，揭示基板抛光设备。设备具有抛光平台，抛光平台具有两个或更多个区域，每一区域适于含有不同的浆料组分。在另一方面中，提供基板抛光系统，系统具有用以托住基板的支架、具抛光垫的抛光平台和分配系统，分配系统适于按时序分配至少两种不同的...

说明了一种用于溅射沉积的沉积源和一种真空沉积设备。沉积源包括：阴极(130,230)，用于提供待沉积的靶材料；至少一个阳极组件(110,210)，至少具有第一阳极区段(111,211)和第二阳极区段(112,212)，第一阳极区段面对阴...

一种掩模组件(100)包括：掩模框(102)及掩模屏(104)，该掩模框(102)及该掩模屏(104)两者以金属材料制成；及金属涂层(105)，该金属涂层(105)安置在该掩模框(102)及该掩模屏(104)中的一或两者的暴露面上。

本文提供闸阀及使用所述闸阀的方法的实施方式。在一些实施方式中，用于处理连续基板的闸阀包括：主体；多个密封件，所述多个密封件设置在所述主体内且经配置以在关闭位置和打开位置之间移动；多个容积，所述多个容积设置在所述多个密封件中的相邻密封件之...

在用于从晶片移除光刻胶膜的系统和方法中，晶片移动至处理罐中的处理液体的浴中。处理液体从晶片移除光刻胶膜。处理液体从处理罐被泵送至过滤组件，并且移动通过过滤介质以从处理液体过滤出固体，并且经过滤的处理液体返回至处理罐。刮削器刮削过滤介质，...

于此公开的实施方式包括一种具有传感器组件的面板，一种具有所述传感器组件的处理腔室、及在处理腔室中用于监控基板的方法。在一个实施方式中，面板经配置以将处理气体导入等离子体处理腔室中。面板具有一个或多个孔。传感器组件设置于一个或多个孔中。传...

本文提供用于复丝丝束(multi‑filament tow)的鉴定和修复的设备。在一些实施方式中，用于检查和修复复丝丝束的设备包括：第一线轴，具有卷绕在第一线轴上的复丝丝束；第一丝束张紧器，在第一线轴之后，以在复丝丝束上施加预定的张力；...

描述一种辊装置(100)，所述辊装置用于导向卷材(200)并且用于在真空环境下的卷材涂覆工艺中控制与辊装置接触的卷材(200)的温度。辊装置包含辊装置(100)的曲面(101)，用于接触卷材(200)，其中曲面(101)包含卷材导向区域...

本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。

处理系统包括至少一个处理器，所述处理器具有用于保持处理液体的罐。在罐上方的清洁组件设有上部壳体和下部壳体，所述上部壳体具有至少一个上部壳体喷射喷嘴，所述下部壳体具有至少一个下部壳体喷射喷嘴，其中下部壳体在上部壳体下方。上部壳体与下部壳体...

一种方法，所述方法包括使包含钇基氧化物的制品浸没在包含水和1摩尔％～10摩尔％的HF酸的酸性清洁溶液中。所述HF酸会溶解部分的所述钇基氧化物。基于所述HF酸与所述钇基氧化物的已溶解部分之间的反应而形成钇基氟氧化物。所述钇基氟氧化物沉淀在...

表面安装微型装置的方法包含：将供体基板上的第一多个微型装置粘附至具有粘合剂层的转印表面上；在第一多个微型装置保持粘附在转印表面上的同时从供体基板移除第一多个微型装置；相对于目标基板定位转印表面使得转印表面上的多个微型装置的子集邻接目标基...