A device (100) for processing a substrate is described. The device comprises a first vacuum processing device (101), a second vacuum processing device (102) and a support structure (103), which is arranged in the atmospheric space (108) between the first vacuum processing device (101) and the second vacuum processing device (102).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理基板的设备、处理系统和方法
本公开内容的实施方式涉及用于处理基板的设备、用于处理基板的处理系统、和用于保养设备的方法。本公开内容的实施方式特别是涉及用于处理二或更多个基板的真空处理设备,例如用于显示器制造,涉及配置成用于基板的真空处理以制造显示器装置的处理系统,和涉及用于从提供在两个真空处理装置(processingarrangement)之间的大气空间保养真空处理设备的方法。
技术介绍
用于基板上的层沉积的技术,例如包含溅射沉积、热蒸镀、和化学气相沉积。溅射沉积工艺能用于在基板上沉积材料层,例如导电材料或绝缘材料的层。在溅射沉积工艺期间,具有待沉积在基板上的靶材料的靶受到在等离子体区中产生的离子轰击,以从靶的表面逐出靶材料的原子。被逐出的原子能在基板上形成材料层。在反应性溅射沉积工艺中,被逐出的原子能和等离子体区中的气体如氮或氧反应,以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物、或氮氧化物。经涂布的材料可用在数种应用和数种
中。举例来说,一种应用是在微电子学的领域,例如产生半导体装置。此外,用于显示器的基板经常通过溅射沉积工艺来涂布。另外的应用包含绝缘面板、带有薄膜晶体管(TFT)的基板、彩色滤光片、或类似者。举例来说,在显示器制造中,降低显示器的制造成本是有利的,所述显示器例如用于手机、平板计算机、电视屏幕、和类似者。制造成本的降低,能例如通过增加真空处理系统如溅射沉积系统的产量来实现。另外,占地能是降低持有真空处理系统的成本的相关因素。考虑到上述情况,克服至少一些
中的问题的设备、系统、和方法是有利的。本公开内容特别是致力于提出提供用于增 ...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的设备(100),包括:第一真空处理装置(101);第二真空处理装置(102);和支撑结构(103),配置在所述第一真空处理装置(101)和所述第二真空处理装置(102)之间的大气空间(108)中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的设备(100),包括:第一真空处理装置(101);第二真空处理装置(102);和支撑结构(103),配置在所述第一真空处理装置(101)和所述第二真空处理装置(102)之间的大气空间(108)中。2.权利要求1所述的设备(100),其中所述支撑结构(103)连接至所述第一真空处理装置(101)的第一壁(104),并连接至所述第二真空处理装置(102)的第二壁(105),其中所述第二壁(105)面向所述第一壁(104)。3.权利要求1或2所述的设备(100),其中所述第一真空处理装置(101)为第一串联式处理装置,且其中所述第二真空处理装置(102)为第二串联式处理装置。4.权利要求1至3中任一项所述的设备(100),其中所述第一真空处理装置(101)为第一垂直处理装置,且其中所述第二真空处理装置(102)为第二垂直处理装置。5.权利要求1至4中任一项所述的设备(100),其中所述支撑结构(103)包括基座架结构(106),所述基座架结构(106)支撑所述第一真空处理装置(101)的第一底壁(104B),并支撑所述第二真空处理装置(102)的第二底壁(105B)。6.权利要求1至5中任一项所述的设备(100),其中所述支撑结构(103)包括强化架结构(107),所述强化架结构(107)连接至所述第一真空处理装置(101)的第一背壁(104A),并连接至所述第二真空处理装置(102)的第二背壁(105A)。7.权利要求5和6所述的设备(100),其中所述强化架结构(107)连接至基座架结构(106)。8.权利要求1至7中任一项所述的设备(100),其中所述第一真空处理装置(101)和所述第二真空处理装置(102)之间的所述大气空间(108)提供保养区,所述保养区用于提供对所述第一真空处理装置(101)的第一背侧的进出和对所述第二真空处理装置(102)的第二背侧的进出。9.权利要求1至8中任一项所述的设备(100),其中所述支撑结构(103)连接至所述第一真空处理装置(101)的第一真空腔室(110),并连接至所述第二真空处理装置(102)的第二真空腔室(120),其中所述第一真空腔室(110)相对于所述第二真空腔室(120)配置。10...
【专利技术属性】
技术研发人员:约翰·M·怀特,岭·灿,拉尔夫·林登贝格,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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